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SMB 中的 SiC 肖特基二極管 (DO-214) 包提供最小的足跡

高壓, 無反向恢復的 SiC 肖特基二極管通過提供最小尺寸的表面貼裝能力來關鍵地啟用太陽能逆變器和高壓組件

杜勒斯, 弗吉尼亞。, 十一月 19, 2013 — GeneSiC半導體, 廣泛的碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體今天宣布立即推出一系列符合行業標準的 SMB (JEDEC DO-214AA) 在封裝的 SiC 整流器 650 – 3300 V 範圍. 結合這些高電壓, 免反向恢復, 具有高頻和高溫能力的 SiC 二極管將提高轉換效率並減小多 kV 組件的尺寸/重量/體積. 這些產品針對用於各種 X 射線的微型太陽能逆變器以及電壓倍增器電路, 激光和粒子發生器電源.所有整流器

現代微型太陽能逆變器和電壓倍增器電路可能會受到電路效率低和尺寸大的影響，因為矽整流器的反向恢復電流. 在較高的整流器結溫下, 這種情況變得更糟，因為矽整流器中的反向恢復電流隨溫度增加. 具有熱限制的高壓組件, 即使通過適度的電流，結溫也很容易升高. 高壓 SiC 整流器具有獨特的特性，有望徹底改變微型太陽能逆變器和高壓組件. GeneSiC的 650 V/1 安; 1200 V/2 A 和 3300 V/0.3 A 肖特基整流器具有不隨溫度變化的零反向恢復電流. 這 3300 V 級器件在單個器件中提供相對較高的電壓，可減少典型高壓發生器電路所需的電壓倍增級, 通過使用更高的交流輸入電壓. 近乎理想的開關特性允許消除/顯著減少電壓平衡網絡和緩衝電路. 中小企業 (DO-214AA) 包覆成型封裝具有用於表面貼裝組件的行業標準外形尺寸.

“這些產品來自 GeneSiC 多年來為提供引人注目的器件和封裝而進行的持續開發努力. 我們認為 SMB 外形尺寸是微型太陽能逆變器和電壓倍增器市場的關鍵差異化因素, 並將為我們的客戶帶來重大利益. GeneSiC 的低 VF, 低電容 SiC 肖特基整流器和改進的 SMB 封裝使這一突破性產品成為可能” 醫生說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC半導體總裁.

1200 V/2 A SMB SiC 肖特基二極管 (GB02SLT12-214) 技術亮點

  • 典型的 VF = 1.5 V
  • 噸最大 = 175的C
  • 反向恢復電荷 = 14 碳化矽.

3300 V/0.3 A SMB SiC 肖特基二極管 (GAP3SLT33-214) 技術亮點

  • 典型的 VF = 1.7 V
  • 噸最大 = 175的C
  • 反向恢復電荷 = 52 碳化矽.

650 V/1 A SMB SiC 肖特基二極管 (GB01SLT06-214) 技術亮點

  • 典型的 VF = 1.5 V
  • 噸最大 = 175的C
  • 反向恢復電荷 = 7 碳化矽.

所有設備都是 100% 經過全電壓/電流額定值測試，並置於無鹵素環境中, 符合 RoHS 的 SMB (DO-214AA) 包. 提供技術支持和 SPICE 電路模型. 該設備可立即從GeneSiC的授權分銷商處購買。.

關於GeneSiC半導體公司.

GeneSiC半導體公司. 是高溫領域的領先創新者, 大功率和超高壓碳化矽 (碳化矽) 設備, 以及各種功率半導體的全球供應商. 其設備組合包括基於SiC的整流器, 晶體管, 和晶閘管產品, 以及矽整流產品. GeneSiC已開發了廣泛的知識產權和技術知識，其中包括SiC功率器件的最新進展, 針對替代能源的產品, 汽車行業, 石油鑽井, 電機控制, 電源供應, 運輸, 和不間斷電源應用. GeneSiC已獲得美國政府機構的多項研發合同, 包括 ARPA-E, 能源部, 海軍, 軍隊, 美國國防部高級研究計劃局, DTRA, 和國土安全部, 以及主要的政府主要承包商. 在 2011, 公司贏得了久負盛名的R&商業化超高壓SiC晶閘管獲得D100獎.

想要查詢更多的信息, 請訪問http://192.168.88.14/index.php/sic-products/schottky

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碳化矽肖特基整流器擴展到 3300 額定電壓

受益於這些低電容整流​​器的高壓組件，在隔離封裝中提供與溫度無關的零反向恢復電流

小偷河瀑布/杜勒斯, 弗吉尼亞。, 可能 28, 2013 — GeneSiC半導體, 廣泛的碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體宣布立即上市 3300 V/0.3 安培 SiC 肖特基整流器 – GAP3SLT33-220FP. 這種獨特的產品代表了市場上最高電壓的 SiC 整流器, 專門針對用於各種 X 射線的電壓倍增器電路和高壓組件, 激光和粒子發生器電源.3300 V SiC 肖特基二極管 GeneSiC

現代電壓倍增器電路的電路效率低且尺寸大，因為來自矽整流器的反向恢復電流會對並聯的電容器放電. 在較高的整流器結溫下, 這種情況變得更糟，因為矽整流器中的反向恢復電流隨溫度增加. 具有熱限制的高壓組件, 即使通過適度的電流，結溫也很容易升高. 高壓 SiC 整流器具有獨特的特性，有望徹底改變高壓組件. GeneSiC的 3300 V/0.3 A 肖特基整流器具有不隨溫度變化的零反向恢復電流. 單個器件中的這種相對較高的電壓允許減少典型高壓發生器電路所需的電壓倍增級, 通過使用更高的交流輸入電壓. 近乎理想的開關特性允許消除/顯著減少電壓平衡網絡和緩衝電路. TO-220 Full Pack 包覆成型隔離封裝具有行業標準的外形尺寸，在通孔組件中增加了引腳間距.3300 V SiC 肖特基二極管 SMB GeneSiC

“該產品來自 GeneSiC 多年的持續努力. 我們相信 3300 V 額定值是高壓發電機市場的關鍵差異化因素, 並將為我們的客戶帶來重大利益. GeneSiC 的低 VF, 低電容 SiC 肖特基整流器實現了這一突破性產品” 醫生說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC半導體總裁.

3300 V/0.3 A SiC 整流器技術亮點

  • 狀態下降 1.7 電壓 0.3 一種
  • VF 上的正溫度係數
  • 噸最大 = 175的C
  • 電容充電 52 碳化矽 (典型的).

所有設備都是 100% 經過全電壓/電流額定值測試，並置於無鹵素環境中, 符合 RoHS 的行業標準 TO-220FP (全包) 包. 這些設備可立即從 GeneSiC 的授權經銷商處獲得, 數碼鑰匙.

關於GeneSiC半導體公司.

GeneSiC半導體公司. 是高溫領域的領先創新者, 大功率和超高壓碳化矽 (碳化矽) 設備, 以及各種功率半導體的全球供應商. 其設備組合包括基於SiC的整流器, 晶體管, 和晶閘管產品, 以及矽整流產品. GeneSiC已開發了廣泛的知識產權和技術知識，其中包括SiC功率器件的最新進展, 針對替代能源的產品, 汽車行業, 石油鑽井, 電機控制, 電源供應, 運輸, 和不間斷電源應用. GeneSiC已獲得美國政府機構的多項研發合同, 包括 ARPA-E, 能源部, 海軍, 軍隊, 美國國防部高級研究計劃局, DTRA, 和國土安全部, 以及主要的政府主要承包商. 在 2011, 公司贏得了久負盛名的R&商業化超高壓SiC晶閘管獲得D100獎.

想要查詢更多的信息, 請訪問 www.genesicsemi.com

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碳化矽裸片高達 8000 GeneSiC 的 V 評級

高壓電路和組件受益於提供前所未有的額定電壓和超高速開關的 SiC 芯片

杜勒斯, 弗吉尼亞。, 十一月 7, 2013 — GeneSiC半導體, 廣泛的碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體宣布立即上市 8000 V SiC PiN 整流器; 8000 V 碳化矽肖特基整流器, 3300 V 碳化矽肖特基整流器和 6500 裸片形式的 V SiC 晶閘管. 這些獨特的產品代表了市場上最高電壓的 SiC 器件, 並且專門針對石油和天然氣儀器, 電壓倍增器電路和高壓組件.

現代超高壓電路存在電路效率低和尺寸大的問題，因為矽整流器的反向恢復電流會使並聯電容器放電. 在較高的整流器結溫下, 這種情況會進一步惡化，因為矽整流器中的反向恢復電流會隨著溫度的升高而增加. 具有熱限制的高壓組件, 即使通過適度的電流，結溫也很容易升高. 高壓 SiC 整流器具有獨特的特性，有望徹底改變高壓組件. GeneSiC的 8000 V和 3300 V 肖特基整流器具有不隨溫度變化的零反向恢復電流. 單個器件中的這種相對較高的電壓允許減少典型高壓發生器電路所需的電壓倍增級, 通過使用更高的交流輸入電壓. 近乎理想的開關特性允許消除/顯著減少電壓平衡網絡和緩衝電路. 8000 V PiN 整流器提供更高的電流水平和更高的工作溫度. 6500 V SiC晶閘管芯片也可用於加速R&D 新系統.

“這些產品展示了 GeneSiC 在多 kV 額定 SiC 芯片開發方面的強大領先地位. 我們相信 8000 V 額定值超出了矽器件在額定溫度下所能提供的範圍, 並將為我們的客戶帶來重大利益. GeneSiC 的低 VF, 低電容 SiC 整流器和晶閘管將帶來以前無法實現的系統級優勢” 醫生說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC半導體總裁.

8000 V/2 A SiC 裸片 PiN 整流器技術亮點

  • 噸最大 = 210的C
  • 反向漏電流 < 50 uA 在 175的C
  • 反向恢復電荷 558 碳化矽 (典型的).

8000 V/50 mA SiC 裸片肖特基整流器技術亮點

  • 總電容 25 pF (典型的, 在 -1 V, 25的C).
  • VF 上的正溫度係數
  • 噸最大 = 175的C

6500 V SiC 晶閘管裸片技術亮點

  • 三供—— 80 安培 (GA080TH65-CAU); 60 安培 (GA060TH65-CAU); 和 40 安培 (GA040TH65-CAU)
  • 噸最大 = 200的C

3300 V/0.3 A SiC 裸芯片整流器技術亮點

  • 狀態下降 1.7 電壓 0.3 一種
  • VF 上的正溫度係數
  • 噸最大 = 175的C
  • 電容充電 52 碳化矽 (典型的).

關於GeneSiC半導體公司.

GeneSiC半導體公司. 是高溫領域的領先創新者, 大功率和超高壓碳化矽 (碳化矽) 設備, 以及各種功率半導體的全球供應商. 其設備組合包括基於SiC的整流器, 晶體管, 和晶閘管產品, 以及矽整流產品. GeneSiC已開發了廣泛的知識產權和技術知識，其中包括SiC功率器件的最新進展, 針對替代能源的產品, 汽車行業, 石油鑽井, 電機控制, 電源供應, 運輸, 和不間斷電源應用. GeneSiC已獲得美國政府機構的多項研發合同, 包括 ARPA-E, 能源部, 海軍, 軍隊, 美國國防部高級研究計劃局, DTRA, 和國土安全部, 以及主要的政府主要承包商. 在 2011, 公司贏得了久負盛名的R&商業化超高壓SiC晶閘管獲得D100獎.

想要查詢更多的信息, 請拜訪 http://192.168.88.14/index.php/hit-sic/baredie

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GeneSiC 的混合 SiC 肖特基整流器/Si IGBT 模塊支持 175°C 運行

杜勒斯, 弗吉尼亞。, 遊行 5, 2013 — GeneSiC半導體, 廣泛的碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體公司今天宣布其第二代混合微型模塊立即可用 1200 V/100 安培 SiC 肖特基整流器，配備堅固耐用的矽 IGBT – GB100XCP12-227. 該產品發佈時的性能價格點允許許多電源轉換應用受益於成本/尺寸/重量/體積的降低，矽 IGBT/矽整流器解決方案, 純 SiC 模塊也無法提供. 這些設備旨在用於各種應用，包括工業電機, 太陽能逆變器, 專用設備和電網應用.

SiC 肖特基/Si IGBT 微型模塊 (聯合包裝) GeneSiC 提供的矽 IGBT 具有導通壓降的正溫度係數, 堅固的穿通設計, 能夠由商業驅動的高溫操作和快速開關特性, 普遍可用 15 V IGBT 柵極驅動器. 這些 Co-pack 模塊中使用的 SiC 整流器允許極低的電感封裝, 低通態壓降和無反向恢復. SOT-227 封裝提供隔離基板, 12mm 薄型設計，可以非常靈活地用作獨立電路元件, 大電流並聯配置, 相位腿 (兩個模塊), 或作為斬波電路元件.

“自從該產品首次提供以來，我們幾乎聽取了主要客戶的意見 2 幾年前. 這個二代 1200 V/100 A Co-pack 產品採用低電感設計，適用於高頻, 高溫應用. 矽二極管較差的高溫和反向恢復特性嚴重限制了 IGBT 在較高溫度下的使用. GeneSiC 的低 VF, 低電容 SiC 肖特基二極管使這款突破性產品成為可能” 醫生說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC半導體總裁.

1200 V/100 A Si IGBT/SiC 整流器技術亮點

  • 狀態下降 1.9 電壓 100 一種
  • VF 上的正溫度係數
  • Tjmax = 175°C
  • 開啟能量損失 23 微焦耳 (典型的).

所有設備都是 100% 經過全電壓/電流額定值測試，並置於無鹵素環境中, 符合 RoHS 的行業標準 SOT-227 封裝. 該設備可立即從GeneSiC的授權分銷商處購買。.

關於GeneSiC半導體公司.

GeneSiC半導體公司. 是高溫領域的領先創新者, 大功率和超高壓碳化矽 (碳化矽) 設備, 以及各種功率半導體的全球供應商. 其設備組合包括基於SiC的整流器, 晶體管, 和晶閘管產品, 以及矽整流產品. GeneSiC已開發了廣泛的知識產權和技術知識，其中包括SiC功率器件的最新進展, 針對替代能源的產品, 汽車行業, 石油鑽井, 電機控制, 電源供應, 運輸, 和不間斷電源應用. GeneSiC已獲得美國政府機構的多項研發合同, 包括 ARPA-E, 能源部, 海軍, 軍隊, 美國國防部高級研究計劃局, DTRA, 和國土安全部, 以及主要的政府主要承包商. 在 2011, 公司贏得了久負盛名的R&商業化超高壓SiC晶閘管獲得D100獎.

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GeneSiC 推出碳化矽結型晶體管

杜勒斯, 弗吉尼亞州, 二月. 25, 2013 /美通社-iReach/ — GeneSiC半導體, 廣泛的碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體今天宣布立即推出一系列 1700V 和 1200 V 碳化矽結晶體管. 結合高壓, 具有高頻和高溫能力的 SiC 結型晶體管將提高轉換效率並減小電力電子設備的尺寸/重量/體積. 這些設備適用於各種應用，包括服務器, 電信和網絡電源, 不間斷電源, 太陽能逆變器, 工業電機控制系統, 和井下應用.

GeneSiC 提供的結型晶體管具有超快的開關能力, 方形反向偏置安全操作區 (蘇格蘭皇家銀行), 以及與溫度無關的瞬態能量損耗和開關時間. 這些開關無柵極氧化物, 常關, 表現出正溫度係數的導通電阻, 並且能夠由商業驅動, 普遍可用 15 V IGBT 柵極驅動器, 不像其他SiC開關. 同時提供與 SiC JFET 驅動器的兼容性, 結型晶體管可以很容易地並聯，因為它們具有匹配的瞬態特性.

“隨著電源系統設計人員不斷突破工作頻率的極限, 同時仍然要求高電路效率, 需要能夠提供性能和生產一致性標準的 SiC 開關. 利用獨特的設備和製造創新, GeneSiC 的晶體管產品可幫助設計人員在更強大的解決方案中實現所有這些,” 醫生說. 蘭比爾·辛格 , GeneSiC半導體總裁.

1700 V 結晶體管技術亮點

  • 三供—— 110 兆歐 (GA16JT17-247); 250 兆歐 (GA08JT17-247); 和 500 兆歐 (GA04JT17-247)
  • Tjmax = 175°C
  • 打開/關閉上升/下降時間 <50 典型的納秒.

1200 V 結晶體管技術亮點

  • 兩種供品—— 220 兆歐 (GA06JT12-247); 和 460 兆歐 (GA03JT12-247)
  • Tjmax = 175°C
  • 打開/關閉上升/下降時間 <50 典型的納秒

所有設備都是 100% 經過全電壓/電流額定值測試，並置於無鹵素環境中, 符合RoHS的TO-247封裝. 該設備可立即從GeneSiC的授權分銷商處購買。.

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新物理學讓晶閘管更上一層樓

八月 30, 2011 – 杜勒斯, VA – 新物理學讓晶閘管達到更高水平

電網借助確保平穩運行的電子設備提供可靠的電力, 可靠的功率流. 到目前為止, 基於矽的組件一直依賴, 但他們已經無法處理智能電網的要求. 碳化矽等寬帶隙材料 (碳化矽) 提供更好的替代方案，因為它們具有更高的開關速度, 更高的擊穿電壓, 更低的開關損耗, 和比傳統矽基開關更高的結溫. 第一個進入市場的此類基於 SiC 的器件是超高壓碳化矽晶閘管 (碳化矽晶閘管), 由 GeneSiC 半導體公司開發。, 杜勒斯, 弗吉尼亞州, 在桑迪亞國家實驗室的支持下, 阿爾伯克基, 新墨西哥州, 美國. 能源/電力輸送部, 和美國. 陸軍/軍備研究, 開發與工程中心, 皮卡汀尼兵工廠, 新澤西州.

開發人員為此設備採用了不同的操作物理, 它以少數載流子傳輸和集成的第三終端整流器運行, 比其他商用 SiC 器件多一個. 開發人員採用了支持以上評級的新製造技術 6,500 V, 以及用於大電流設備的新型柵極-陽極設計. 能夠在高達 300 C和電流在 80 一種, 碳化矽晶閘管提供高達 10 倍高電壓, 高出四倍的阻斷電壓, 和 100 開關頻率比矽晶閘管快幾倍.

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GeneSiC贏得久負盛名的R&並網太陽能和風能應用中的 SiC 器件 D100 獎

杜勒斯, 將, 七月 14, 2011 — [R&D Magazine選擇了GeneSiC Semiconductor Inc. 杜勒斯, VA作為享有盛譽的接受者 2011 [R&d 100 具有高額定電壓的碳化矽器件的商業化獎.

GeneSiC半導體公司, 上週，基於碳化矽的功率器件的關鍵創新者宣布榮獲著名的 2011 [R&d 100 獎. 該獎項旨在表彰GeneSiC引入的最重要的技術之一。, 在此期間，多個學科之間最新引入的研發進展 2010. [R&D Magazine 認可 GeneSiC 的超高壓 SiC 晶閘管能夠實現以前從未用於電力電子演示的阻斷電壓和頻率. 的電壓額定值 >6.5千伏, 通態電流額定值 80 A 和工作頻率 >5 kHz 遠高於市場上之前推出的那些. GeneSiC 的晶閘管實現的這些功能使電力電子研究人員能夠開發並網逆變器, 靈活的

交流輸電系統 (事實) 和高壓直流系統 (高壓直流輸電). 這將允許可再生能源領域的新發明和產品開發, 太陽能逆變器, 風電逆變器, 和儲能行業. 博士. 蘭比爾·辛格, GeneSiC Semiconductor 總裁評論說：“預計在電力轉換領域的研究人員充分認識到 SiC 晶閘管的好處後，固態變電站和風力發電機的大規模市場將打開。. 這些第一代 SiC 晶閘管利用了 SiC 晶閘管所實現的最低通態壓降和差分導通電阻. 我們打算發布針對門控關斷能力和脈衝功率能力優化的下一代 SiC 晶閘管，以及 >10千伏額定值. 隨著我們不斷開發高溫超高壓封裝解決方案, 目前的 6.5kV 晶閘管採用完全焊接觸點的模塊封裝, 限制在 150oC 的結溫。”由於該產品於 10 月推出 2010, GeneSiC 已預訂多個客戶的訂單，用於演示使用這些碳化矽晶閘管的先進電力電子硬件. GeneSiC 繼續開發其碳化矽晶閘管產品系列. R&D 早期版本的電源轉換應用是通過美國部門的 SBIR 資金支持開發的. 能量的. 更先進, 根據與 ARDEC 簽訂的另一份 SBIR 合同，正在開發脈衝功率優化的 SiC 晶閘管, 美國軍隊. 利用這些技術發展, 來自 GeneSiC 的內部投資和來自多個客戶的商業訂單, GeneSiC 能夠將這些 UHV 晶閘管作為商業產品提供.

由R主辦的第49屆年度科技競賽&《 D雜誌》對多家公司和行業參與者的作品進行了評估, 世界各地的研究機構和大學. 該雜誌的編輯和外部專家小組擔任評委, 根據每個條目對科學和研究領域的重要性來評估每個條目.

根據R&D雜誌, 贏得R&d 100 獎項提供了業界知名的卓越標誌, 政府, 和學術界證明該產品是本年度最具創新性的想法之一. 該獎項肯定了GeneSiC在創造基於技術的產品方面的全球領導者，這些產品對我們的工作和生活產生了影響.

關於GeneSiC半導體, 公司.

GeneSiC是SiC功率器件領域中快速崛起的創新者，並堅定致力於碳化矽的發展 (碳化矽) 基於設備: (一種) 電網用HV-HF SiC器件, 脈衝功率和定向能量武器; 和 (b) 用於飛機執行器和石油勘探的高溫SiC功率器件. GeneSiC半導體公司. 開發碳化矽 (碳化矽) 半導體的高溫半導體器件, 輻射, 和電網應用. 這包括整流器的開發, 場效應管, 雙極器件以及粒子 & 光子探測器. GeneSiC可以使用廣泛的半導體設計套件, 製造, 此類設備的表徵和測試設施. GeneSiC充分利用其在設備和工藝設計方面的核心競爭力，為客戶開發最佳的SiC設備. 該公司通過提供專門針對每個客戶要求的高品質產品而脫穎而出. GeneSiC擁有美國主要政府機構（包括ARPA-E）的主要/分包合同, 美國能源部, 海軍, 美國國防部高級研究計劃局, 國土安全部, 美國商務部和其他部門. 國防部. GeneSiC繼續在杜勒斯（Dulles）迅速改善設備和人員基礎設施, 弗吉尼亞工廠. 該公司正在積極招聘具有化合物半導體器件製造經驗的人員, 半導體測試和檢測器設計. 有關公司及其產品的更多信息，請致電GeneSiC，網址為： 703-996-8200 或訪問 www.genesicsemi.com.

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GeneSiC Semiconductor 入選 2011 年 ARPA-E 能源創新峰會展示技術

二月 28, 2011 – 杜勒斯, VA – GeneSiC Semiconductor 很高興地宣布其入選 ARPA-E 能源創新峰會的著名技術展示會, 由能源部高級研究計劃署 - 能源部共同主辦 (ARPA-E) 和清潔技術和可持續產業組織 (CTSI). 數百位頂尖技術專家和前沿清潔技術組織競相參加展示會, 美國贏得能源未來的最有希望的前景的走廊.

作為 ARPA-E 的選定組織之一, GeneSiC Semiconductor 將向近 2,000 各國領導人齊聚一堂，推動美國在能源領域的長期競爭力, 包括頂尖研究人員, 投資者, 企業家, 企業高管和政府官員. 多於 200 來自 ARPA-E 獲獎者的突破性技術, 公司, 國家實驗室和能源部 R&D節目將在活動中亮相.

“本次峰會匯集了了解合作和合作將下一代能源技術推向市場的必要性的組織,” GeneSiC 半導體說, 總統, 博士. 蘭比爾·辛格. “將能源界如此多的關鍵參與者聚集在一個屋簷下，這是一個難得而令人興奮的機會，我們期待在技術展示會上與其他創新者和投資者分享我們的碳化矽功率器件。”

研究和業務開發團隊來自 14 致力於技術商業化的企業加速合作夥伴也將出席，包括陶氏, 博世, 應用材料公司和洛克希德馬丁公司.

峰會還邀請了包括美國在內的知名演講者. 能源部長朱棣文, ARPA-E 主管 Arun Majumdar, 我們. 海軍部長雷蒙德·馬布斯, 前加州州長阿諾德施瓦辛格和美國銀行主席查爾斯霍利迪.

第二屆年度 ARPA-E 能源創新峰會將於 2 月舉行 28 – 遊行 2, 2011 在華盛頓郊外的蓋洛德會議中心, 直流電. 要了解更多信息或註冊，請訪問: www.ct-si.org/events/EnergyInnovation.

關於GeneSiC半導體

GeneSiC半導體公司. 開髮用於高溫的寬帶隙半導體器件, 輻射, 和電網應用. 這包括整流器的開發, 電源開關和雙極器件. GeneSiC 使用獨特而廣泛的半導體設計套件, 製造, 此類設備的表徵和測試設施. GeneSiC充分利用其在設備和工藝設計方面的核心競爭力，為客戶開發最佳的SiC設備. 該公司通過為廣泛的大批量市場提供高質量的產品而與眾不同. GeneSiC擁有美國主要政府機構（包括ARPA-E）的主要/分包合同, 美國能源部, 海軍, 軍隊, 美國國家航空航天局, 美國國防部高級研究計劃局, 國土安全部, 美國商務部和其他部門. 國防部.

關於 ARPA-E

高級研究計劃署——能源 (ARPA-E) 是美國境內的新機構. 能源部——第一個專注於可以從根本上改變我們使用能源方式的突破性能源技術. 而不是直接進行研究, ARPA-E 投資於高風險, 大學正在開發的高回報能源技術, 初創公司, 小企業, 和公司. 我們的員工結合了行業領先的科學家, 工程師, 和投資管理人員，為美國最關鍵的能源問題尋找有希望的解決方案，並將頂尖技術快速推向市場——這對於確保美國的全球技術領先地位和創造新的美國產業和就業機會至關重要. 訪問 www.arpa-e.energy.gov了解更多信息.

關於 CTSI

清潔技術 & 可持續產業組織 (CTSI), 501c6 非營利行業協會, 代表發展中的組織, 商業化, 和實施能源, 水, 和環境技術. 清潔技術為日益增長的資源安全和可持續性問題提供了急需的解決方案，對保持經濟競爭力至關重要. CTSI 將全球領導者聚集在一起進行宣傳, 社區發展, 聯網, 和信息共享，以幫助將這些所需的技術更快地推向市場. 訪問 www.ct-si.org 了解更多信息.

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GeneSiC 贏得 NASA 的電源管理項目，以支持未來的金星探索任務

十二月 14, 2010 – GeneSiC 半導體公司, 新型碳化矽的關鍵創新者 (碳化矽) 高溫設備, 大功率, 和超高壓應用, 宣布選擇其名為“用於大功率電機控制模塊的集成 SiC 超結晶體管二極管器件”的項目 500 oC” 美國國家航空航天局 (美國國家航空航天局) 獲得第一階段 SBIR 獎. 該SBIR項目專注於單片集成SiC JBS二極管-超結晶體管的開發 (中間) 在類似金星的環境下運行的設備 (500 °C 表面溫度). 本項目開發的 SiC MIDSJT 器件將用於構建電機控制電源模塊，與金星探測車直接集成.

“我們對 NASA 對我們的高溫 SiC 器件解決方案表現出的信心感到高興. 該項目將使 GeneSiC 通過其創新的器件和封裝解決方案開發行業領先的基於 SiC 的電源管理技術” 醫生說. 悉達多·桑達瑞森, GeneSiC 技術總監. “該計劃所針對的 SiC MIDSJT 器件將允許在高達 500 ℃. 除了外太空應用, 這項新技術有可能徹底改變關鍵的航空航天和地熱油鑽井硬件，這些硬件要求環境溫度超過 200 ℃. 這些應用領域目前受到當代矽甚至基於 SiC 的器件技術（如 JFET 和 MOSFET）較差的高溫性能的限制” 他加了.

GeneSiC繼續在杜勒斯（Dulles）迅速改善設備和人員基礎設施, 弗吉尼亞工廠. 該公司正在積極招聘具有化合物半導體器件製造經驗的人員, 半導體測試和檢測器設計. 有關公司及其產品的更多信息，請致電GeneSiC，網址為： 703-996-8200 或訪問 www.genesicsemi.com.

關於GeneSiC半導體, 公司.

GeneSiC半導體公司. 開發碳化矽 (碳化矽) 半導體的高溫半導體器件, 輻射, 和電網應用. 這包括整流器的開發, 場效應管, 雙極器件以及粒子 & 光子探測器. GeneSiC可以使用廣泛的半導體設計套件, 製造, 此類設備的表徵和測試設施. GeneSiC充分利用其在設備和工藝設計方面的核心競爭力，為客戶開發最佳的SiC設備. 該公司通過提供專門針對每個客戶要求的高品質產品而脫穎而出. GeneSiC擁有美國主要政府機構（包括ARPA-E）的主要/分包合同, 美國能源部, 海軍, 美國國防部高級研究計劃局, 國土安全部, 美國商務部和其他部門. 國防部.

發表於

多kHz, 向美國研究人員取樣的超高壓碳化矽晶閘管

杜勒斯, 將, 十一月. 1, 2010 –在同類產品中的第一個, GeneSiC Semiconductor 宣布推出用於智能電網應用的電力電子設備的 6.5kV SCR 模式碳化矽晶閘管系列. 這些功率器件的革命性性能優勢有望刺激公用事業規模電力電子硬件的關鍵創新，以增加分佈式能源的可訪問性和開發 (這). “到現在, 多kV碳化矽 (碳化矽) 美國研究人員並未公開使用功率器件來充分利用 SiC 功率器件的眾所周知的優勢——即 5-15kV 額定值下的 2-10kHz 工作頻率。”評論博士. 蘭比爾·辛格, GeneSiC總裁. “GeneSiC 最近完成了許多 6.5kV/40A 的交付, 6.5kV/60A 和 6.5kV/80A 晶閘管，供多個進行可再生能源研究的客戶使用, 陸軍和海軍電力系統應用. 具有這些額定值的 SiC 器件現在正被更廣泛地提供。”

基於碳化矽的晶閘管提供 10 倍的高電壓, 100X 與傳統矽基晶閘管相比，開關頻率更快，工作溫度更高. 這些設備的目標應用研究機會包括通用中壓功率轉換 (多直流直流), 並網太陽能逆變器, 風電逆變器, 脈衝功率, 武器系統, 點火控制, 和触發控制. 現在已經很好地確定了超高壓 (>10千伏) 碳化矽 (碳化矽) 設備技術將在下一代公用電網中發揮革命性作用. 基於晶閘管的 SiC 器件可提供最高的通態性能 >5 千伏設備, 並廣泛適用於故障限流器等中壓功率轉換電路, 交直流轉換器, 靜態無功補償器和串聯補償器. 由於碳化矽晶閘管與傳統電網元件的相似性，它們也提供了早期採用的最佳機會. 部署這些先進的功率半導體技術可以提供 25-30 通過提高電力輸送效率來減少電力消耗的百分比.

博士. Singh 繼續說道：“預計在電力轉換領域的研究人員充分認識到 SiC 晶閘管的好處之後，固態變電站和風力渦輪發電機的大規模市場將會打開。. 這些第一代 SiC 晶閘管利用了 SiC 晶閘管所實現的最低通態壓降和差分導通電阻. 我們打算發布針對門控關斷能力和優化的下一代 SiC 晶閘管 >10千伏額定值. 隨著我們不斷開發高溫超高壓封裝解決方案, 目前的 6.5kV 晶閘管採用完全焊接觸點的模塊封裝, 限制在 150oC 的結溫。” GeneSiC 是 SiC 功率器件領域快速崛起的創新者，並堅定致力於碳化矽的發展 (碳化矽) 基於設備: (一種) 電網用HV-HF SiC器件, 脈衝功率和定向能量武器; 和 (b) 用於飛機執行器和石油勘探的高溫SiC功率器件.

位於華盛頓附近, DC在杜勒斯, 弗吉尼亞州, GeneSiC半導體公司. 是高溫領域的領先創新者, 大功率超高壓碳化矽 (碳化矽) 設備. 目前的開發項目包括高溫整流器, 超結晶體管 (SJT) 以及各種基於晶閘管的設備. GeneSiC 已經或已經與美國主要政府機構簽訂了主要/分包合同, 包括能源部, 海軍, 軍隊, 美國國防部高級研究計劃局, 和國土安全部. 公司目前正在經歷大幅增長, 並聘請合格的功率器件和探測器設計人員, 製造, 和測試. 了解更多, 請拜訪 www.genesicsemi.com.