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GeneSiC贏得久負盛名的R&SiC基單片晶體管-整流器開關D100獎

杜勒斯, 將, 十二月 5, 2019 — [R&D Magazine選擇了GeneSiC Semiconductor Inc. 杜勒斯, VA作為享有盛譽的接受者 2019 [R&d 100 SiC基單片晶體管-整流器開關開發獎.

GeneSiC半導體公司, 基於碳化矽的功率器件的關鍵創新者因其已獲得久負盛名的獎項而感到榮幸 2019 [R&d 100 獎. 該獎項旨在表彰GeneSiC引入的最重要的技術之一。, 在此期間，多個學科之間最新引入的研發進展 2018. [R&D Magazine認可GeneSiC的中壓SiC功率器件技術，因為它能夠將MOSFET和肖特基整流器單片集成在單個芯片上. GeneSiC的設備所具有的這些功能至關重要，使電力電子研究人員能夠開發下一代電力電子系統，例如逆變器和DC-DC轉換器. 這將允許電動汽車內的產品開發, 充電基礎設施, 可再生能源和儲能行業. GeneSiC已預訂了多個客戶的訂單，以演示使用這些設備的先進功率電子硬件，並繼續開發其碳化矽MOSFET產品系列. R&早期版本的D用於電源轉換應用程序是通過美國部開發的. 能源和與桑迪亞國家實驗室的合作.

R舉辦的年度技術競賽&《 D雜誌》對多家公司和行業參與者的作品進行了評估, 世界各地的研究機構和大學. 該雜誌的編輯和外部專家小組擔任評委, 根據每個條目對科學和研究領域的重要性來評估每個條目.

根據R&D雜誌, 贏得R&d 100 獎項提供了業界知名的卓越標誌, 政府, 和學術界證明該產品是本年度最具創新性的想法之一. 該獎項肯定了GeneSiC在創造基於技術的產品方面的全球領導者，這些產品對我們的工作和生活產生了影響.

關於GeneSiC半導體, 公司.

GeneSiC是SiC功率器件領域中快速崛起的創新者，並堅定致力於碳化矽的發展 (碳化矽) 基於設備: (一種) 電網用HV-HF SiC器件, 脈衝功率和定向能量武器; 和 (b) 用於飛機執行器和石油勘探的高溫SiC功率器件. GeneSiC半導體公司. 開發碳化矽 (碳化矽) 半導體的高溫半導體器件, 輻射, 和電網應用. 這包括整流器的開發, 場效應管, 雙極器件以及粒子 & 光子探測器. GeneSiC可以使用廣泛的半導體設計套件, 製造, 此類設備的表徵和測試設施. GeneSiC充分利用其在設備和工藝設計方面的核心競爭力，為客戶開發最佳的SiC設備. 該公司通過提供專門針對每個客戶要求的高品質產品而脫穎而出. GeneSiC擁有美國主要政府機構（包括ARPA-E）的主要/分包合同, 美國能源部, 海軍, 美國國防部高級研究計劃局, 國土安全部, 美國商務部和其他部門. 國防部. GeneSiC繼續在杜勒斯（Dulles）迅速改善設備和人員基礎設施, 弗吉尼亞工廠. 該公司正在積極招聘具有化合物半導體器件製造經驗的人員, 半導體測試和檢測器設計. 有關公司及其產品的更多信息，請致電GeneSiC，網址為： 703-996-8200 或訪問www.genesicsemi.com.

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高電流能力650V, 1200小型模塊SOT-227封裝的V和1700V SiC肖特基MPS™二極管

杜勒斯, 將, 可能 11, 2019 — GeneSiC成為高電流能力的市場領導者 (100 和 200 一種) SOT-227微型模塊中的SiC肖特基二極管

GeneSiC推出了GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227和GC2X100MPS06-227; 業界額定電流最高的650V和1700V SiC肖特基二極管, 添加到現有的1200V SiC肖特基二極管微型模塊組合– GB2X50MPS12-227和GB2X100MPS12-227. 這些SiC二極管替代了矽基超快恢復二極管, 使工程師能夠構建更高效率和更高功率密度的開關電路. 預計應用將包括電動汽車快速充電器, 馬達驅動, 運輸電源, 大功率整流和工業電源.

除了SOT-227迷你模塊封裝的隔離底板, 這些新發布的二極管具有低正向壓降, 零前向恢復, 零反向恢復, 低結電容，額定最高工作溫度為175°C. GeneSiC的第三代SiC肖特基二極管技術可提供業界領先的雪崩強度和浪湧電流 (s) 健壯性, 結合高質量的汽車級6英寸製造技術和先進的高可靠性分立裝配技術.

這些SiC二極管是引腳兼容的直接替代品，可替代SOT-227中提供的其他二極管 (迷你模塊) 包裹. 受益於更低的功率損耗 (冷卻器運行) 和高頻切換能力, 設計人員現在可以在設計中實現更高的轉換效率和更高的功率密度.

關於GeneSiC半導體, 公司.

GeneSiC是SiC功率器件領域中快速崛起的創新者，並堅定致力於碳化矽的發展 (碳化矽) 基於設備: (一種) 電網用HV-HF SiC器件, 脈衝功率和定向能量武器; 和 (b) 用於飛機執行器和石油勘探的高溫SiC功率器件. GeneSiC半導體公司. 開發碳化矽 (碳化矽) 半導體的高溫半導體器件, 輻射, 和電網應用. 這包括整流器的開發, 場效應管, 雙極器件以及粒子 & 光子探測器. GeneSiC可以使用廣泛的半導體設計套件, 製造, 此類設備的表徵和測試設施. GeneSiC充分利用其在設備和工藝設計方面的核心競爭力，為客戶開發最佳的SiC設備. 該公司通過提供專門針對每個客戶要求的高品質產品而脫穎而出. GeneSiC擁有美國主要政府機構（包括ARPA-E）的主要/分包合同, 美國能源部, 海軍, 美國國防部高級研究計劃局, 國土安全部, 美國商務部和其他部門. 國防部. GeneSiC繼續在杜勒斯（Dulles）迅速改善設備和人員基礎設施, 弗吉尼亞工廠. 該公司正在積極招聘具有化合物半導體器件製造經驗的人員, 半導體測試和檢測器設計. 有關公司及其產品的更多信息，請致電GeneSiC，網址為： 703-996-8200 或訪問www.genesicsemi.com.

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GeneSiC發佈業界性能最佳的1700V SiC肖特基MPS™ 二極管

杜勒斯, 將, 一月 7, 2019 — GeneSiC推出採用TO-247-2封裝的第三代1700V SiC肖特基MPS™二極管的全面產品組合

GeneSiC推出了GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247和GB50MPS17-247; 流行的TO-247-2通孔封裝中提供了業界性能最佳的1700V SiC二極管. 這些1700V SiC二極管替代了矽基超快恢復二極管和其他舊式1700V SiC JBS, 使工程師能夠構建更高效率和更高功率密度的開關電路. 預計應用將包括電動汽車快速充電器, 馬達驅動, 運輸電源和可再生能源.

GB50MPS17-247是1700V 50A SiC合併式PiN肖特基二極管, 業界額定電流最高的分立SiC功率二極管. 這些新發布的二極管具有較低的正向壓降, 零前向恢復, 零反向恢復, 低結電容，額定最高工作溫度為175°C. GeneSiC的第三代SiC肖特基二極管技術可提供業界領先的雪崩強度和浪湧電流 (s) 健壯性, 結合高質量的汽車合格6英寸鑄造廠和先進的高可靠性分立裝配技術.

這些SiC二極管是引腳兼容的直接替代品，可替代TO-247-2封裝中提供的其他二極管. 受益於更低的功率損耗 (冷卻器運行) 和高頻切換能力, 設計人員現在可以在設計中實現更高的轉換效率和更高的功率密度.

關於GeneSiC半導體, 公司.

GeneSiC是SiC功率器件領域中快速崛起的創新者，並堅定致力於碳化矽的發展 (碳化矽) 基於設備: (一種) 電網用HV-HF SiC器件, 脈衝功率和定向能量武器; 和 (b) 用於飛機執行器和石油勘探的高溫SiC功率器件. GeneSiC半導體公司. 開發碳化矽 (碳化矽) 半導體的高溫半導體器件, 輻射, 和電網應用. 這包括整流器的開發, 場效應管, 雙極器件以及粒子 & 光子探測器. GeneSiC可以使用廣泛的半導體設計套件, 製造, 此類設備的表徵和測試設施. GeneSiC充分利用其在設備和工藝設計方面的核心競爭力，為客戶開發最佳的SiC設備. 該公司通過提供專門針對每個客戶要求的高品質產品而脫穎而出. GeneSiC擁有美國主要政府機構（包括ARPA-E）的主要/分包合同, 美國能源部, 海軍, 美國國防部高級研究計劃局, 國土安全部, 美國商務部和其他部門. 國防部. GeneSiC繼續在杜勒斯（Dulles）迅速改善設備和人員基礎設施, 弗吉尼亞工廠. 該公司正在積極招聘具有化合物半導體器件製造經驗的人員, 半導體測試和檢測器設計. 有關公司及其產品的更多信息，請致電GeneSiC，網址為： 703-996-8200 或訪問www.genesicsemi.com.

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全碳化矽結型晶體管-二極管提供 4 含鉛微型模塊

堅固的共封裝SiC晶體管-二極管組合, 隔離的, 4-含鉛, 微型模塊封裝減少了開啟能量損耗，並為高頻功率轉換器實現了靈活的電路設計

杜勒斯, 將, 可能 13, 2015 — GeneSiC半導體, 廣泛的碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體今天宣布立即供貨 20 隔離狀態中的mOhm-1200 V SiC結型晶體管二極管, 4-帶引線的微型模塊封裝，可實現極低的開啟能量損耗，同時提供靈活的靈活性, 高頻功率轉換器中的模塊化設計. 使用高頻, 具有高電壓和低導通電阻能力的SiC晶體管和整流器將減小要求在高工作頻率下具有更高功率處理能力的電子應用的尺寸/重量/體積. 這些設備專門用於包括感應加熱器在內的各種應用中, 等離子發生器, 快速充電器, DC-DC轉換器, 和開關模式電源.

碳化矽結晶體管共裝整流器SOT-227 Isotop

1200 V / 20 mO碳化矽結晶體管整流器，共封裝在隔離的SOT-227封裝中，提供獨立的柵極源極和接收器功能

共同封裝的SiC結晶體管 (SJT)-GeneSiC提供的SiC整流器特別適用於感應開關應用，因為SJT是唯一的寬帶隙開關產品 >10 微秒重複短路能力, 即使在 80% 額定電壓 (例如. 960 V代表 1200 V裝置). 除了10納秒以下的上升/下降時間和平方反偏安全操作區域 (蘇格蘭皇家銀行), 新配置的Gate Return端子顯著提高了降低開關能量的能力. 這些新型產品提供的瞬態能量損失和開關時間與結溫無關. GeneSiC的SiC結晶體管不含柵極氧化物, 常關, 表現出正溫度係數的導通電阻, 並能夠在低柵極電壓下驅動, 不像其他SiC開關.
這些微型模塊中使用的SiC肖特基整流器顯示出低的通態壓降, 在高溫下具有良好的浪湧電流額定值和業界最低的洩漏電流. 與溫度無關, 接近零的反向恢復開關特性, SiC肖特基整流器是用於高效電路的理想選擇.
“GeneSiC的SiC晶體管和整流器產品經過精心設計和製造，以實現低導通狀態和開關損耗. 這些技術的組合以創新的封裝形式保證了要求基於寬帶隙器件的電源電路的卓越性能. 微型模塊包裝提供了極大的設計靈活性，可用於H型橋等各種電源電路, 反激和多電平逆變器” 醫生說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC半導體總裁.
今天發布的產品包括
20 mOhm / 1200 V SiC結晶體管/整流器共裝 (GA50SICP12-227):
•隔離式SOT-227 / mini-block / Isotop封裝
•晶體管電流增益 (hFE) >100
•Tjmax = 175oC (受包裝限制)
•打開/關閉; 上升/下降時間 <10 典型的納秒.

所有設備都是 100% 經過全電壓/電流額定值測試. 該設備可立即從GeneSiC的 授權分銷商.

想要查詢更多的信息, 請拜訪: http://192.168.88.14/commercial-sic / sic-modules-copack /

關於GeneSiC半導體公司.

GeneSiC半導體公司. 是高溫領域的領先創新者, 大功率和超高壓碳化矽 (碳化矽) 設備, 以及各種功率半導體的全球供應商. 其設備組合包括基於SiC的整流器, 晶體管, 和晶閘管產品, 以及矽二極管模塊. GeneSiC已開發了廣泛的知識產權和技術知識，其中包括SiC功率器件的最新進展, 針對替代能源的產品, 汽車行業, 井下石油鑽探, 電機控制, 電源供應, 運輸, 和不間斷電源應用. 在 2011, 公司贏得了久負盛名的R&商業化超高壓SiC晶閘管獲得D100獎.

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低成本提供通用高溫SiC晶體管和整流器

高溫 (>210的C) 小型金屬罐封裝的結型晶體管和整流器為包括放大在內的各種應用提供了革命性的性能優勢, 低噪聲電路和井下執行器控制

杜勒斯, 將, 遊行 9, 2015 — GeneSiC半導體, 廣泛的碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體今天宣布立即推出緊湊型產品線, 高溫SiC結晶體管以及一系列採用TO-46金屬罐封裝的整流器. 這些分立組件的設計和製造可在高於200°C的環境溫度下運行 215的C. 使用溫度高, 具有高電壓和低導通電阻能力的SiC晶體管和整流器將減小要求在高溫下具有更高功率處理能力的電子應用的尺寸/重量/體積. 這些設備專門用於各種應用，包括各種井下電路, 地熱儀器, 螺線管致動, 通用擴增, 和開關模式電源.

高溫SiC結晶體管 (SJT) 由GeneSiC提供的展覽展示了低於10納秒的上升/下降時間 >10 MHz 開關以及方形反向偏置安全工作區 (蘇格蘭皇家銀行). 瞬態能量損耗和開關時間與結溫無關. 這些開關無柵極氧化物, 常關, 表現出正溫度係數的導通電阻, 並且能夠被 0/+5 V TTL 柵極驅動器, 不像其他SiC開關. 與其他SiC開關相比，SJT的獨特優勢在於其更高的長期可靠性, >20 用戶短路能力, 以及出色的雪崩能力. 這些器件可用作高效放大器，因為它們承諾比任何其他 SiC 開關具有更高的線性度.

GeneSiC 提供的高溫 SiC 肖特基整流器顯示低通態電壓降, 和行業在高溫下的最低洩漏電流. 與溫度無關, 接近零的反向恢復開關特性, SiC 肖特基整流器是用於高效率的理想選擇, 高溫電路. TO-46 金屬罐封裝以及用於製造這些產品的相關封裝工藝至關重要，可在高可靠性至關重要的情況下長期使用.

“GeneSiC的晶體管和整流器產品是完全從頭開始設計和製造的，以實現高溫操作. 這些緊湊的TO-46封裝的SJT可提供高電流增益 (>110), 0/+5 V TTL控制, 強大的性能. 這些器件具有低傳導損耗和高線性度. 我們設計“ SHT”整流器系列, 在高溫下提供低洩漏電流. 這些金屬罐包裝產品增強了我們去年發布的TO-257和金屬SMD產品，可提供較小的外形尺寸, 防振解決方案” 醫生說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC半導體總裁.

今天發布的產品包括:TO-46 SiC晶體管二極管

240 兆歐SiC結晶體管:

  • 300 V阻斷電壓. 零件號 GA05JT03-46
  • 100 V阻斷電壓. 零件號 GA05JT01-46
  • 當前收益 (H有限元) >110
  • 噸最大 = 210的C
  • 開啟/關閉; 上升/下降時間 <10 典型的納秒.

取決於 4 安培高溫肖特基二極管:

所有設備都是 100% 經測試可達到全額定電壓/電流，並裝在TO-46金屬罐中。該設備可立即從GeneSiC的授權分銷商處購買。.

關於GeneSiC半導體公司.

GeneSiC半導體公司. 是高溫領域的領先創新者, 大功率和超高壓碳化矽 (碳化矽) 設備, 以及各種功率半導體的全球供應商. 其設備組合包括基於SiC的整流器, 晶體管, 和晶閘管產品, 以及矽二極管模塊. GeneSiC已開發了廣泛的知識產權和技術知識，其中包括SiC功率器件的最新進展, 針對替代能源的產品, 汽車行業, 井下石油鑽探, 電機控制, 電源供應, 運輸, 和不間斷電源應用. 在 2011, 公司贏得了久負盛名的R&商業化超高壓SiC晶閘管獲得D100獎.

想要查詢更多的信息, 請拜訪 http://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; 和 http://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.

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碳化矽結晶體管的柵極驅動器板和SPICE模型 (SJT) 已發行

柵極驅動器板針對高開關速度和基於行為的模型進行了優化，使電力電子設計工程師能夠驗證和量化SJT在板級評估和電路仿真中的優勢

杜勒斯, V.A., 十一月 19, 2014 — GeneSiC半導體, 廣泛的碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體今天宣布柵極驅動器評估板可立即供貨，並已擴展了其對業界最低損耗開關SiC結晶體管的設計支持 (SJT) –具有完全合格的LTSPICE IV模型. 使用新的柵極驅動器板, 電源轉換電路設計人員可以驗證15納秒以下的優勢, SiC結晶體管的溫度無關開關特性, 驅動器功率損耗低. 整合新的SPICE模型, 電路設計人員可以輕鬆評估GeneSiC的SJT提供的好處，以實現比同等等級的設備所用的傳統矽功率開關設備更高的效率.

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柵極驅動器板GA03IDDJT30-FR4適用於GeneSiC的SJT

SiC結晶體管的特性與其他SiC晶體管技術明顯不同, 以及矽晶體管. 為了提供利用SiC結晶體管的優勢的驅動器解決方案，需要能夠提供低功率損耗同時仍提供高開關速度的柵極驅動器板. GeneSiC完全隔離 GA03IDDJT30-FR4 柵極驅動器板接受0 / 12V和TTL信號，以最佳地調節提供小的上升/下降時間所需的電壓/電流波形, 同時仍將導通狀態下保持常關SJT導通的連續電流需求降至最低. 引腳配置和形狀因數保持與其他SiC晶體管相似. GeneSiC還向最終用戶發布了Gerber文件和BOM，以使它們能夠結合已實現的驅動器設計創新的優勢.

SJT提供良好的通態和開關特性, 易於創建基於行為的SPICE模型，該模型與基於物理的基礎模型也非常吻合. 使用公認的，基於物理學的模型, 經過對設備行為的廣泛測試後，發布了SPICE參數. 將GeneSiC的SPICE模型與所有器件數據手冊上的實驗測量數據進行了比較，並適用於所有 1200 V和 1700 V SiC結型晶體管發布.
GeneSiC的SJT能夠提供比 15 比基於IGBT的解決方案高出十倍. 它們較高的開關頻率可以實現較小的磁性和電容性元件, 從而縮小整體尺寸, 電力電子系統的重量和成本.

此 SiC 結晶體管 SPICE 模型增加了 GeneSiC 的綜合設計支援工具套件, 技術文件, 和可靠性信息，為電力電子工程師提供將 GeneSiC 全面的 SiC 結型電晶體和整流器系列應用於下一代電力系統所需的設計資源.

GeneSiC 的閘極驅動板資料表和 SJT SPICE 模型可從以下網址下載 http://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/

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GeneSiC發布 25 mOhm / 1700 V碳化矽晶體管

SiC開關為高頻功率電路提供了最低的傳導損耗和出色的短路性能

杜勒斯, 弗吉尼亞。, 十月 28, 2014 — GeneSiC半導體, 廣泛的碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體公司今天宣布，該系列低導通電阻1700V和 1200 V-SiC結型晶體管，採用TO-247封裝. 使用高壓, 高頻, 具有高溫和低導通電阻能力的SiC結晶體管將提高轉換效率，並減小需要更高總線電壓的電力電子應用的尺寸/重量/體積. 這些設備旨在用於各種應用，包括直流微電網, 車載快速充電器, 服務器, 電信和網絡電源, 不間斷電源, 太陽能逆變器, 風力發電系統, 和工業電機控制系統.1410 28 GA50JT17-247

SiC結晶體管 (SJT) GeneSiC提供的超快開關功能 (類似於SiC MOSFET), 方形反向偏置安全操作區 (蘇格蘭皇家銀行), 以及與溫度無關的瞬態能量損耗和開關時間. 這些開關無柵極氧化物, 常關, 表現出正溫度係數的導通電阻, 並能夠由商業門驅動器驅動, 不像其他SiC開關. 與其他SiC開關相比，SJT的獨特優勢在於其更高的長期可靠性, >10 用戶短路能力, 以及出色的雪崩能力

“這些改進的SJT提供了更高的電流增益 (>100), 與其他SiC開關相比，具有很高的穩定性和魯棒性. GeneSiC的SJT在額定電流下具有極低的傳導損耗，這是電源電路中出色的關斷損耗. 利用獨特的設備和製造創新, GeneSiC的晶體管產品可幫助設計人員實現更強大的解決方案,” 醫生說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC半導體總裁.

1700 V SiC結型晶體管發布

  • 25 兆歐 (GA50JT17-247), 65 兆歐 (GA16JT17-247), 220 兆歐 (GA04JT17-247)
  • 當前收益 (H有限元) >90
  • 噸最大 = 175的C
  • 開啟/關閉; 上升/下降時間 <30 典型的納秒.

1200 V SiC結型晶體管發布

  • 25 兆歐 (GA50JT12-247), 120 兆歐 (GA10JT12-247), 210 兆歐 (GA05JT12-247)
  • 當前收益 (H有限元) >90
  • 噸最大 = 175的C
  • 開啟/關閉; 上升/下降時間 <30 典型的納秒.

所有設備都是 100% 經過全電壓/電流額定值測試，並置於無鹵素環境中, 符合RoHS的TO-247封裝. 該設備可立即從GeneSiC的授權分銷商處購買。.

想要查詢更多的信息, 請訪問http://192.168.88.14/商業Sic / Sic結晶體管/

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GeneSiC 支援 Google/IEEE 的 Little Box 挑戰

GeneSiC 的 SiC 電晶體和整流器為實現以下目標提供了顯著優勢： 小盒子挑戰

最先進的. 碳化矽功率電晶體 & 整流器. 可用的. 現在!

GeneSiC 目前擁有來自全球頂級經銷商的廣泛產品組合

裸晶片 直接從工廠提供 SiC 裝置形式 (請填寫下面的表格)

離散的 SJT 和 整流器 商業溫度額定值 (175°C)

離散的 希特SJT沙 HiT 整流器 在高溫下 (高達 250°C)

GeneSiC 提供最廣泛的 SiC 產品 – 封裝產品和裸晶片格式，以實現更大的設計靈活性和創新. GeneSiC 不斷努力透過推出新產品來保持領先地位, 創新產品. 如果您沒有看到您今天正在尋找的確切產品, 你可能會在不久的將來看到它.

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高溫 (210 C) 採用密封封裝的 SiC 結型晶體管

通過兼容的行業標準封裝實現的 SiC 晶體管高溫承諾將極大地增強井下和航空航天執行器和電源

杜勒斯, 弗吉尼亞。, 十二月 10, 2013 — GeneSiC半導體, 廣泛的碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體今天宣布通過其分銷商和直接家庭高溫封裝立即可用 600 V 碳化矽結晶體管 (SJT) 在裡面 3-50 JEDEC 行業標准通孔和表面貼裝封裝中的安培電流額定值. 結合這些高溫, 低導通電阻, 密封封裝中的高頻 SiC 晶體管, 高溫焊料和封裝將提高轉換效率並減小高溫功率轉換應用的尺寸/重量/體積.HiT_肖特基

現代高溫電源, 石油/天然氣/井下和航空航天應用中使用的電機控制和執行器電路缺乏可行的高溫碳化矽解決方案. 矽晶體管的電路效率低，尺寸大，因為它們的漏電流高，開關特性差。. 在較高的結溫下，這兩個參數都會變差. 具有熱約束環境, 即使通過適度的電流，結溫也很容易升高. 密封封裝的 SiC 晶體管具有獨特的特性，有望徹底改變井下和航空航天應用的能力. GeneSiC的 650 V/3-50 A SiC 結型晶體管具有接近零開關時間且不隨溫度變化的特性. 這 210的C 結溫度額定器件為在極端環境下運行的應用提供相對較大的溫度裕量.

GeneSiC 提供的結型晶體管具有超快的開關能力, 方形反向偏置安全操作區 (蘇格蘭皇家銀行), 以及與溫度無關的瞬態能量損耗和開關時間. 這些開關無柵極氧化物, 常關, 表現出正溫度係數的導通電阻, 並且能夠由商業驅動, 普遍可用 15 V IGBT 柵極驅動器, 不像其他SiC開關. 同時提供與 SiC JFET 驅動器的兼容性, SiC 結型晶體管可以很容易地並聯，因為它們具有匹配的瞬態特性.

“隨著井下和航空航天應用設計師不斷突破工作頻率的極限, 同時仍然要求高電路效率, 他們需要能夠提供性能標準的 SiC 開關, 可靠性和生產一致性. 利用獨特的設備和製造創新, GeneSiC 的 SJT 產品可幫助設計人員在更強大的解決方案中實現所有目標. 這些產品補充了 GeneSiC 去年發布的密封封裝 SiC 整流器, 以及今年早些時候發布的裸片產品, 同時為我們提供高溫鋪路, 低電感, 近期的電源模塊 ” 醫生說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC半導體總裁.

隔離 TO-257 與 600 V SJT:

  • 65 毫歐/20 安培 (2N763​​9-GA); 170 毫歐/8 安培 (2N763​​7-GA); 和 425 毫歐/4 安培 (2N763​​5-GA)
  • 噸最大 = 210的C
  • 開啟/關閉; 上升/下降時間 <50 典型的納秒.
  • 對應裸片 GA20JT06-CAL (在 2N7639-GA); GA10JT06-CAL (在 2N7637-GA); 和 GA05JT06-CAL (在 2N7635-GA)

非隔離 TO-258 原型封裝 600 SJT

  • 25 毫歐/50 安培 (GA50JT06-258 原型封裝)
  • 噸最大 = 210的C
  • 開啟/關閉; 上升/下降時間 <50 典型的納秒.
  • 對應裸片GA50JT06-CAL (在 GA50JT06-258)

表面貼裝 TO-276 (貼片0.5) 和 600 SJT

  • 65 毫歐/20 安培 (2N7640-GA); 170 毫歐/8 安培 (2N763​​8-GA); 和 425 毫歐/4 安培 (2N763​​6-GA)
  • 噸最大 = 210的C
  • 開啟/關閉; 上升/下降時間 <50 典型的納秒.

所有設備都是 100% 經過全電壓/電流額定值測試並採用密封封裝. 提供技術支持和 SPICE 電路模型. 這些設備可立即從 GeneSiC 直接和/或通過其授權經銷商獲得.

關於GeneSiC半導體公司.

GeneSiC半導體公司. 是高溫領域的領先創新者, 大功率和超高壓碳化矽 (碳化矽) 設備, 以及各種功率半導體的全球供應商. 其設備組合包括基於SiC的整流器, 晶體管, 和晶閘管產品, 以及矽整流產品. GeneSiC已開發了廣泛的知識產權和技術知識，其中包括SiC功率器件的最新進展, 針對替代能源的產品, 汽車行業, 石油鑽井, 電機控制, 電源供應, 運輸, 和不間斷電源應用. GeneSiC已獲得美國政府機構的多項研發合同, 包括 ARPA-E, 能源部, 海軍, 軍隊, 美國國防部高級研究計劃局, DTRA, 和國土安全部, 以及主要的政府主要承包商. 在 2011, 公司贏得了久負盛名的R&商業化超高壓SiC晶閘管獲得D100獎.

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