GeneSiC Semiconductor 入選 2011 年 ARPA-E 能源創新峰會展示技術

二月 28, 2011 – 杜勒斯, VA – GeneSiC Semiconductor 很高興地宣布其入選 ARPA-E 能源創新峰會的著名技術展示會, 由能源部高級研究計劃署 - 能源部共同主辦 (ARPA-E) 和清潔技術和可持續產業組織 (CTSI). 數百位頂尖技術專家和前沿清潔技術組織競相參加展示會, 美國贏得能源未來的最有希望的前景的走廊.

作為 ARPA-E 的選定組織之一, GeneSiC Semiconductor 將向近 2,000 各國領導人齊聚一堂,推動美國在能源領域的長期競爭力, 包括頂尖研究人員, 投資者, 企業家, 企業高管和政府官員. 多於 200 來自 ARPA-E 獲獎者的突破性技術, 公司, 國家實驗室和能源部 R&D節目將在活動中亮相.

“本次峰會匯集了了解合作和合作將下一代能源技術推向市場的必要性的組織,” GeneSiC 半導體說, 總統, 博士. 蘭比爾·辛格. “將能源界如此多的關鍵參與者聚集在一個屋簷下,這是一個難得而令人興奮的機會,我們期待在技術展示會上與其他創新者和投資者分享我們的碳化矽功率器件。”

研究和業務開發團隊來自 14 致力於技術商業化的企業加速合作夥伴也將出席,包括陶氏, 博世, 應用材料公司和洛克希德馬丁公司.

峰會還邀請了包括美國在內的知名演講者. 能源部長朱棣文, ARPA-E 主管 Arun Majumdar, 我們. 海軍部長雷蒙德·馬布斯, 前加州州長阿諾德施瓦辛格和美國銀行主席查爾斯霍利迪.

第二屆年度 ARPA-E 能源創新峰會將於 2 月舉行 28 – 遊行 2, 2011 在華盛頓郊外的蓋洛德會議中心, 直流電. 要了解更多信息或註冊,請訪問: www.ct-si.org/events/EnergyInnovation.

關於GeneSiC半導體

GeneSiC半導體公司. 開髮用於高溫的寬帶隙半導體器件, 輻射, 和電網應用. 這包括整流器的開發, 電源開關和雙極器件. GeneSiC 使用獨特而廣泛的半導體設計套件, 製造, 此類設備的表徵和測試設施. GeneSiC充分利用其在設備和工藝設計方面的核心競爭力,為客戶開發最佳的SiC設備. 該公司通過為廣泛的大批量市場提供高質量的產品而與眾不同. GeneSiC擁有美國主要政府機構(包括ARPA-E)的主要/分包合同, 美國能源部, 海軍, 軍隊, 美國國家航空航天局, 美國國防部高級研究計劃局, 國土安全部, 美國商務部和其他部門. 國防部.

關於 ARPA-E

高級研究計劃署——能源 (ARPA-E) 是美國境內的新機構. 能源部——第一個專注於可以從根本上改變我們使用能源方式的突破性能源技術. 而不是直接進行研究, ARPA-E 投資於高風險, 大學正在開發的高回報能源技術, 初創公司, 小企業, 和公司. 我們的員工結合了行業領先的科學家, 工程師, 和投資管理人員,為美國最關鍵的能源問題尋找有希望的解決方案,並將頂尖技術快速推向市場——這對於確保美國的全球技術領先地位和創造新的美國產業和就業機會至關重要. 訪問 www.arpa-e.energy.gov了解更多信息.

關於 CTSI

清潔技術 & 可持續產業組織 (CTSI), 501c6 非營利行業協會, 代表發展中的組織, 商業化, 和實施能源, 水, 和環境技術. 清潔技術為日益增長的資源安全和可持續性問題提供了急需的解決方案,對保持經濟競爭力至關重要. CTSI 將全球領導者聚集在一起進行宣傳, 社區發展, 聯網, 和信息共享,以幫助將這些所需的技術更快地推向市場. 訪問 www.ct-si.org 了解更多信息.