杜勒斯, 弗吉尼亞州, 二月. 25, 2013 /美通社-iReach/ — GeneSiC半導體, 廣泛的碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體今天宣布立即推出一系列 1700V 和 1200 V 碳化矽結晶體管. 結合高壓, 具有高頻和高溫能力的 SiC 結型晶體管將提高轉換效率並減小電力電子設備的尺寸/重量/體積. 這些設備適用於各種應用，包括服務器, 電信和網絡電源, 不間斷電源, 太陽能逆變器, 工業電機控制系統, 和井下應用.
GeneSiC 提供的結型晶體管具有超快的開關能力, 方形反向偏置安全操作區 (蘇格蘭皇家銀行), 以及與溫度無關的瞬態能量損耗和開關時間. 這些開關無柵極氧化物, 常關, 表現出正溫度係數的導通電阻, 並且能夠由商業驅動, 普遍可用 15 V IGBT 柵極驅動器, 不像其他SiC開關. 同時提供與 SiC JFET 驅動器的兼容性, 結型晶體管可以很容易地並聯，因為它們具有匹配的瞬態特性.
“隨著電源系統設計人員不斷突破工作頻率的極限, 同時仍然要求高電路效率, 需要能夠提供性能和生產一致性標準的 SiC 開關. 利用獨特的設備和製造創新, GeneSiC 的晶體管產品可幫助設計人員在更強大的解決方案中實現所有這些,” 醫生說. 蘭比爾·辛格 , GeneSiC半導體總裁.
1700 V 結晶體管技術亮點
- 三供—— 110 兆歐 (GA16JT17-247); 250 兆歐 (GA08JT17-247); 和 500 兆歐 (GA04JT17-247)
- Tjmax = 175°C
- 打開/關閉上升/下降時間 <50 典型的納秒.
1200 V 結晶體管技術亮點
- 兩種供品—— 220 兆歐 (GA06JT12-247); 和 460 兆歐 (GA03JT12-247)
- Tjmax = 175°C
- 打開/關閉上升/下降時間 <50 典型的納秒
所有設備都是 100% 經過全電壓/電流額定值測試，並置於無鹵素環境中, 符合RoHS的TO-247封裝. 該設備可立即從GeneSiC的授權分銷商處購買。.
