高壓, 無反向恢復的 SiC 肖特基二極管通過提供最小尺寸的表面貼裝能力來關鍵地啟用太陽能逆變器和高壓組件
杜勒斯, 弗吉尼亞。, 十一月 19, 2013 — GeneSiC半導體, 廣泛的碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體今天宣布立即推出一系列符合行業標準的 SMB (JEDEC DO-214AA) 在封裝的 SiC 整流器 650 – 3300 V 範圍. 結合這些高電壓, 免反向恢復, 具有高頻和高溫能力的 SiC 二極管將提高轉換效率並減小多 kV 組件的尺寸/重量/體積. 這些產品針對用於各種 X 射線的微型太陽能逆變器以及電壓倍增器電路, 激光和粒子發生器電源.
現代微型太陽能逆變器和電壓倍增器電路可能會受到電路效率低和尺寸大的影響，因為矽整流器的反向恢復電流. 在較高的整流器結溫下, 這種情況變得更糟，因為矽整流器中的反向恢復電流隨溫度增加. 具有熱限制的高壓組件, 即使通過適度的電流，結溫也很容易升高. 高壓 SiC 整流器具有獨特的特性，有望徹底改變微型太陽能逆變器和高壓組件. GeneSiC的 650 V/1 安; 1200 V/2 A 和 3300 V/0.3 A 肖特基整流器具有不隨溫度變化的零反向恢復電流. 這 3300 V 級器件在單個器件中提供相對較高的電壓，可減少典型高壓發生器電路所需的電壓倍增級, 通過使用更高的交流輸入電壓. 近乎理想的開關特性允許消除/顯著減少電壓平衡網絡和緩衝電路. 中小企業 (DO-214AA) 包覆成型封裝具有用於表面貼裝組件的行業標準外形尺寸.
“這些產品來自 GeneSiC 多年來為提供引人注目的器件和封裝而進行的持續開發努力. 我們認為 SMB 外形尺寸是微型太陽能逆變器和電壓倍增器市場的關鍵差異化因素, 並將為我們的客戶帶來重大利益. GeneSiC 的低 VF, 低電容 SiC 肖特基整流器和改進的 SMB 封裝使這一突破性產品成為可能” 醫生說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC半導體總裁.
1200 V/2 A SMB SiC 肖特基二極管 (GB02SLT12-214) 技術亮點
- 典型的 VF = 1.5 V
- 噸最大 = 175的C
- 反向恢復電荷 = 14 碳化矽.
3300 V/0.3 A SMB SiC 肖特基二極管 (GAP3SLT33-214) 技術亮點
- 典型的 VF = 1.7 V
- 噸最大 = 175的C
- 反向恢復電荷 = 52 碳化矽.
650 V/1 A SMB SiC 肖特基二極管 (GB01SLT06-214) 技術亮點
- 典型的 VF = 1.5 V
- 噸最大 = 175的C
- 反向恢復電荷 = 7 碳化矽.
所有設備都是 100% 經過全電壓/電流額定值測試，並置於無鹵素環境中, 符合 RoHS 的 SMB (DO-214AA) 包. 提供技術支持和 SPICE 電路模型. 該設備可立即從GeneSiC的授權分銷商處購買。.
關於GeneSiC半導體公司.
GeneSiC半導體公司. 是高溫領域的領先創新者, 大功率和超高壓碳化矽 (碳化矽) 設備, 以及各種功率半導體的全球供應商. 其設備組合包括基於SiC的整流器, 晶體管, 和晶閘管產品, 以及矽整流產品. GeneSiC已開發了廣泛的知識產權和技術知識，其中包括SiC功率器件的最新進展, 針對替代能源的產品, 汽車行業, 石油鑽井, 電機控制, 電源供應, 運輸, 和不間斷電源應用. GeneSiC已獲得美國政府機構的多項研發合同, 包括 ARPA-E, 能源部, 海軍, 軍隊, 美國國防部高級研究計劃局, DTRA, 和國土安全部, 以及主要的政府主要承包商. 在 2011, 公司贏得了久負盛名的R&商業化超高壓SiC晶閘管獲得D100獎.
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