杜勒斯, 將, 九月 28, 2010 – 高級研究計劃署 – 能源 (ARPA-E) 已與 GeneSiC Semiconductor 領導的團隊達成合作協議，以開發新型超高壓碳化矽 (碳化矽) 基於晶閘管的設備. 這些設備有望成為將大型風能和太陽能發電廠集成到下一代智能電網的關鍵推動因素.
“GeneSiC 獲得的這一極具競爭力的獎項將使我們能夠擴大我們在多 kV 碳化矽技術方面的技術領先地位, 以及我們對具有固態解決方案的電網規模替代能源解決方案的承諾,”博士評論道. 蘭比爾·辛格, GeneSiC總裁. “我們正在開發的多 kV 碳化矽晶閘管是實現靈活交流輸電系統的關鍵使能技術 (事實) 元件和高壓直流 (高壓直流輸電) 構想的集成架構, 高效的, 未來的智能電網. GeneSiC 的基於 SiC 的晶閘管提供 10 倍更高的電壓, 100與傳統的矽基晶閘管相比，FACTS 和 HVDC 電源處理解決方案中的開關頻率更快，工作溫度更高。”
在四月份 2010, GeneSiC 響應電力技術的敏捷交付 (熟練) 來自 ARPA-E 的招標尋求投資材料以實現高壓開關的根本進步，這些材料有可能超越現有電源轉換器的性能，同時降低成本. 該公司題為“用於中壓功率轉換的碳化矽陽極開關晶閘管”的提案被選中，以提供一種輕型, 固體狀態, 用於高功率應用的中壓能量轉換，例如固態變電站和風力渦輪發電機. 部署這些先進的功率半導體技術可以提供 25-30 通過提高電力輸送效率來減少電力消耗的百分比. 選定的創新是為了支持和促進美國. 通過技術領先的企業, 通過競爭激烈的過程.
碳化矽是下一代半導體材料，其性能遠遠優於傳統矽, 例如能夠在高達 300ºC 的溫度下處理十倍的電壓和一百倍的電流. 這些特性使其非常適合混合動力和電動汽車等大功率應用, 可再生能源 (風能和太陽能) 裝置, 和電網控制系統.
現在已經很好地確定了超高壓 (>10千伏) 碳化矽 (碳化矽) 設備技術將在下一代公用電網中發揮革命性作用. 基於晶閘管的 SiC 器件可提供最高的通態性能 >5 千伏設備, 並廣泛適用於故障限流器等中壓功率轉換電路, 交直流轉換器, 靜態無功補償器和串聯補償器. 由於碳化矽晶閘管與傳統電網元件的相似性，它們也提供了早期採用的最佳機會. 這些設備的其他有前途的應用和優勢包括:
- 未來海軍能力下尋求中壓直流轉換的電源管理和電源調節系統 (FNC) 美國海軍, 電磁發射系統, 高能武器系統和醫學成像. 工作頻率提高 10-100 倍，可實現前所未有的尺寸改進, 重量, 量和最終, 此類系統的成本.
- 多種儲能, 高溫高能物理應用. 隨著全球關注更高效、更具成本效益的能源管理解決方案，儲能和電網應用正受到越來越多的關注.
GeneSiC是SiC功率器件領域中快速崛起的創新者，並堅定致力於碳化矽的發展 (碳化矽) 基於設備: (一種) 電網用HV-HF SiC器件, 脈衝功率和定向能量武器; 和 (b) 用於飛機執行器和石油勘探的高溫SiC功率器件.
“通過利用我們在器件和工藝設計方面的核心競爭力以及廣泛的製造套件，我們已成為超高壓 SiC 技術的領導者, 表徵, 和測試設施,”博士總結道. 辛格. “GeneSiC 的立場現在已經得到了美國能源部的有效驗證，並獲得了這一重要的後續獎項。”
關於GeneSiC半導體
位於華盛頓附近的戰略位置, DC在杜勒斯, 弗吉尼亞州, GeneSiC半導體公司. 是高溫領域的領先創新者, 大功率超高壓碳化矽 (碳化矽) 設備. 目前的開發項目包括高溫整流器, 超結晶體管 (SJT) 以及各種基於晶閘管的設備. GeneSiC 已經或已經與美國主要政府機構簽訂了主要/分包合同, 包括能源部, 海軍, 軍隊, 美國國防部高級研究計劃局, 和國土安全部. 公司目前正在經歷大幅增長, 並聘請合格的功率器件和探測器設計人員, 製造, 和測試. 了解更多, 請拜訪 www.genesicsemi.com.
