杜勒斯, 弗吉尼亞。, 遊行 5, 2013 — GeneSiC半導體, 廣泛的碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體公司今天宣布其第二代混合微型模塊立即可用 1200 V/100 安培 SiC 肖特基整流器，配備堅固耐用的矽 IGBT – GB100XCP12-227. 該產品發佈時的性能價格點允許許多電源轉換應用受益於成本/尺寸/重量/體積的降低，矽 IGBT/矽整流器解決方案, 純 SiC 模塊也無法提供. 這些設備旨在用於各種應用，包括工業電機, 太陽能逆變器, 專用設備和電網應用.
SiC 肖特基/Si IGBT 微型模塊 (聯合包裝) GeneSiC 提供的矽 IGBT 具有導通壓降的正溫度係數, 堅固的穿通設計, 能夠由商業驅動的高溫操作和快速開關特性, 普遍可用 15 V IGBT 柵極驅動器. 這些 Co-pack 模塊中使用的 SiC 整流器允許極低的電感封裝, 低通態壓降和無反向恢復. SOT-227 封裝提供隔離基板, 12mm 薄型設計，可以非常靈活地用作獨立電路元件, 大電流並聯配置, 相位腿 (兩個模塊), 或作為斬波電路元件.
“自從該產品首次提供以來，我們幾乎聽取了主要客戶的意見 2 幾年前. 這個二代 1200 V/100 A Co-pack 產品採用低電感設計，適用於高頻, 高溫應用. 矽二極管較差的高溫和反向恢復特性嚴重限制了 IGBT 在較高溫度下的使用. GeneSiC 的低 VF, 低電容 SiC 肖特基二極管使這款突破性產品成為可能” 醫生說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC半導體總裁.
1200 V/100 A Si IGBT/SiC 整流器技術亮點
- 狀態下降 1.9 電壓 100 一種
- VF 上的正溫度係數
- Tjmax = 175°C
- 開啟能量損失 23 微焦耳 (典型的).
所有設備都是 100% 經過全電壓/電流額定值測試，並置於無鹵素環境中, 符合 RoHS 的行業標準 SOT-227 封裝. 該設備可立即從GeneSiC的授權分銷商處購買。.
關於GeneSiC半導體公司.
GeneSiC半導體公司. 是高溫領域的領先創新者, 大功率和超高壓碳化矽 (碳化矽) 設備, 以及各種功率半導體的全球供應商. 其設備組合包括基於SiC的整流器, 晶體管, 和晶閘管產品, 以及矽整流產品. GeneSiC已開發了廣泛的知識產權和技術知識，其中包括SiC功率器件的最新進展, 針對替代能源的產品, 汽車行業, 石油鑽井, 電機控制, 電源供應, 運輸, 和不間斷電源應用. GeneSiC已獲得美國政府機構的多項研發合同, 包括 ARPA-E, 能源部, 海軍, 軍隊, 美國國防部高級研究計劃局, DTRA, 和國土安全部, 以及主要的政府主要承包商. 在 2011, 公司贏得了久負盛名的R&商業化超高壓SiC晶閘管獲得D100獎.
