GeneSiC半導體公司, 上週，基於碳化矽的功率器件的關鍵創新者宣布榮獲著名的 2011 [R&d 100 獎. 該獎項旨在表彰GeneSiC引入的最重要的技術之一。, 在此期間，多個學科之間最新引入的研發進展 2010. [R&D Magazine 認可 GeneSiC 的超高壓 SiC 晶閘管能夠實現以前從未用於電力電子演示的阻斷電壓和頻率. 的電壓額定值 >6.5千伏, 通態電流額定值 80 A 和工作頻率 >5 kHz 遠高於市場上之前推出的那些. GeneSiC 的晶閘管實現的這些功能使電力電子研究人員能夠開發並網逆變器, 靈活的
交流輸電系統 (事實) 和高壓直流系統 (高壓直流輸電). 這將允許可再生能源領域的新發明和產品開發, 太陽能逆變器, 風電逆變器, 和儲能行業. 博士. 蘭比爾·辛格, GeneSiC Semiconductor 總裁評論說：“預計在電力轉換領域的研究人員充分認識到 SiC 晶閘管的好處後，固態變電站和風力發電機的大規模市場將打開。. 這些第一代 SiC 晶閘管利用了 SiC 晶閘管所實現的最低通態壓降和差分導通電阻. 我們打算發布針對門控關斷能力和脈衝功率能力優化的下一代 SiC 晶閘管，以及 >10千伏額定值. 隨著我們不斷開發高溫超高壓封裝解決方案, 目前的 6.5kV 晶閘管採用完全焊接觸點的模塊封裝, 限制在 150oC 的結溫。”由於該產品於 10 月推出 2010, GeneSiC 已預訂多個客戶的訂單，用於演示使用這些碳化矽晶閘管的先進電力電子硬件. GeneSiC 繼續開發其碳化矽晶閘管產品系列. R&D 早期版本的電源轉換應用是通過美國部門的 SBIR 資金支持開發的. 能量的. 更先進, 根據與 ARDEC 簽訂的另一份 SBIR 合同，正在開發脈衝功率優化的 SiC 晶閘管, 美國軍隊. 利用這些技術發展, 來自 GeneSiC 的內部投資和來自多個客戶的商業訂單, GeneSiC 能夠將這些 UHV 晶閘管作為商業產品提供.
由R主辦的第49屆年度科技競賽&《 D雜誌》對多家公司和行業參與者的作品進行了評估, 世界各地的研究機構和大學. 該雜誌的編輯和外部專家小組擔任評委, 根據每個條目對科學和研究領域的重要性來評估每個條目.
根據R&D雜誌, 贏得R&d 100 獎項提供了業界知名的卓越標誌, 政府, 和學術界證明該產品是本年度最具創新性的想法之一. 該獎項肯定了GeneSiC在創造基於技術的產品方面的全球領導者，這些產品對我們的工作和生活產生了影響.
關於GeneSiC半導體, 公司.
GeneSiC是SiC功率器件領域中快速崛起的創新者，並堅定致力於碳化矽的發展 (碳化矽) 基於設備: (一種) 電網用HV-HF SiC器件, 脈衝功率和定向能量武器; 和 (b) 用於飛機執行器和石油勘探的高溫SiC功率器件. GeneSiC半導體公司. 開發碳化矽 (碳化矽) 半導體的高溫半導體器件, 輻射, 和電網應用. 這包括整流器的開發, 場效應管, 雙極器件以及粒子 & 光子探測器. GeneSiC可以使用廣泛的半導體設計套件, 製造, 此類設備的表徵和測試設施. GeneSiC充分利用其在設備和工藝設計方面的核心競爭力，為客戶開發最佳的SiC設備. 該公司通過提供專門針對每個客戶要求的高品質產品而脫穎而出. GeneSiC擁有美國主要政府機構（包括ARPA-E）的主要/分包合同, 美國能源部, 海軍, 美國國防部高級研究計劃局, 國土安全部, 美國商務部和其他部門. 國防部. GeneSiC繼續在杜勒斯（Dulles）迅速改善設備和人員基礎設施, 弗吉尼亞工廠. 該公司正在積極招聘具有化合物半導體器件製造經驗的人員, 半導體測試和檢測器設計. 有關公司及其產品的更多信息，請致電GeneSiC，網址為： 703-996-8200 或訪問 www.genesicsemi.com.
