八月 30, 2011 – 杜勒斯, VA – 新物理學讓晶閘管達到更高水平
電網借助確保平穩運行的電子設備提供可靠的電力, 可靠的功率流. 到目前為止, 基於矽的組件一直依賴, 但他們已經無法處理智能電網的要求. 碳化矽等寬帶隙材料 (碳化矽) 提供更好的替代方案，因為它們具有更高的開關速度, 更高的擊穿電壓, 更低的開關損耗, 和比傳統矽基開關更高的結溫. 第一個進入市場的此類基於 SiC 的器件是超高壓碳化矽晶閘管 (碳化矽晶閘管), 由 GeneSiC 半導體公司開發。, 杜勒斯, 弗吉尼亞州, 在桑迪亞國家實驗室的支持下, 阿爾伯克基, 新墨西哥州, 美國. 能源/電力輸送部, 和美國. 陸軍/軍備研究, 開發與工程中心, 皮卡汀尼兵工廠, 新澤西州.
開發人員為此設備採用了不同的操作物理, 它以少數載流子傳輸和集成的第三終端整流器運行, 比其他商用 SiC 器件多一個. 開發人員採用了支持以上評級的新製造技術 6,500 V, 以及用於大電流設備的新型柵極-陽極設計. 能夠在高達 300 C和電流在 80 一種, 碳化矽晶閘管提供高達 10 倍高電壓, 高出四倍的阻斷電壓, 和 100 開關頻率比矽晶閘管快幾倍.
