类别: 新闻稿

电源系统设计访谈 GeneSiC

纽伦堡, 德国五月 12, 2016 — GeneSiC Semiconductor 总裁接受 Power Systems Design 的 Alix Paultre 采访 (http://www.powersystemsdesign.com/psdcast-ranbir-singh-of-genesic-on-their-latest-silicon-carbide-tech/67) 纽伦堡 PCIM 展会, 德国.

 

共同封装的 SiC 晶体管-二极管组合，坚固耐用, 孤立, 4-含铅, 微型模块封装可减少开启能量损耗，并为高频电源转换器提供灵活的电路设计

杜勒斯, VA, 可能 13, 2015 — GeneSiC半导体, 各种碳化硅的先驱和全球供应商 (碳化硅) 功率半导体今天宣布立即可用 20 mOhm-1200 V SiC 结型晶体管二极管, 4-带引线的微型模块封装，可实现极低的开启能量损失，同时提供灵活的, 高频功率转换器的模块化设计. 使用高频, 具有高电压和低导通电阻的 SiC 晶体管和整流器将减小在高工作频率下需要更高功率处理的电子应用的尺寸/重量/体积. 这些设备适用于包括感应加热器在内的各种应用, 等离子发生器, 快速充电器, DC-DC转换器, 和开关模式电源.

联合封装 SiC 结型晶体管 (SJT)-GeneSiC 提供的 SiC 整流器特别适用于电感开关应用，因为 SJT 是唯一提供宽带隙开关的产品 >10 微秒重复短路能力, 即使在 80% 额定电压 (例如. 960 V 为 1200 五号装置). 除了低于 10 纳秒的上升/下降时间和方形反向偏置安全操作区 (RBSOA), 新配置中的栅极返回端子显着提高了降低开关能量的能力. 这些新型产品提供与结温无关的瞬态能量损耗和开关时间. GeneSiC 的 SiC 结型晶体管不含栅极氧化物, 常关, 表现出导通电阻的正温度系数, 并且能够在低栅极电压下被驱动, 与其他 SiC 开关不同.
这些微型模块中使用的 SiC 肖特基整流器显示出低通态压降, 在高温下具有良好的浪涌电流额定值和业界最低的泄漏电流. 与温度无关, 近零反向恢复开关特性, SiC 肖特基整流器是用于高效电路的理想选择.
“GeneSiC 的 SiC 晶体管和整流器产品旨在实现低通态和开关损耗. 将这些技术结合在一个创新的封装中，有望在需要基于宽带隙的器件的电源电路中实现出色的性能. 迷你模块封装提供了极大的设计灵活性，可用于 H 桥等各种电源电路, 反激式和多电平逆变器” 博士说. 兰比尔·辛格, GeneSiC半导体总裁.
今天发布的产品包括
20 mOhm/1200 V SiC 结晶体管/整流器组合包 (GA50SICP12-227):
• 隔离式SOT-227/迷你块/Isotop 封装
• 晶体管电流增益 (氢氟酸) >100
• Tjmax = 175oC (受包装限制)
• 打开/关闭; 上升/下降时间 <10 纳秒典型值.

所有设备都是 100% 经测试达到全电压/电流额定值. 这些器件可立即从 GeneSiC 处获得 授权经销商.

了解更多信息, 请拜访: http://192.168.88.14/商业-sic/sic-modules-copack/

关于 GeneSiC 半导体公司.

GeneSiC半导体公司. 是高温领域的领先创新者, 高功率超高压碳化硅 (碳化硅) 设备, 和广泛的功率半导体的全球供应商. 其器件组合包括基于 SiC 的整流器, 晶体管, 和晶闸管产品, 以及硅二极管模块. GeneSiC 开发了广泛的知识产权和技术知识，涵盖了 SiC 功率器件的最新进展, 面向替代能源的产品, 汽车, 井下石油钻探, 电机控制, 电源, 运输, 和不间断电源应用. 在 2011, 公司荣获久负盛名的R&超高压 SiC 晶闸管商业化 D100 奖.

高温 (>210^○C) 采用小型金属罐封装的结型晶体管和整流器为包括放大在内的各种应用提供革命性的性能优势, 低噪声电路和井下执行器控制

杜勒斯, VA, 行进 9, 2015 — GeneSiC半导体, 各种碳化硅的先驱和全球供应商 (碳化硅) 功率半导体今天宣布立即推出一系列紧凑型, 采用 TO-46 金属罐封装的高温 SiC 结晶体管以及一系列整流器. 这些分立元件的设计和制造可在高于 215^○C. 使用温度高, 高电压和低导通电阻的 SiC 晶体管和整流器将减小在高温下需要更高功率处理的电子应用的尺寸/重量/体积. 这些设备适用于各种应用，包括各种井下回路, 地热仪器, 电磁阀驱动, 通用放大, 和开关模式电源.

高温碳化硅结型晶体管 (SJT) GeneSiC 提供的上升/下降时间低于 10 纳秒，可实现 >10 MHz 开关以及方形反向偏置安全操作区 (RBSOA). 瞬态能量损耗和开关时间与结温无关. 这些开关无栅极氧化物, 常关, 表现出导通电阻的正温度系数, 并且能够被驱动 0/+5 V TTL 栅极驱动器, 与其他 SiC 开关不同. 与其他 SiC 开关相比，SJT 的独特优势在于其更高的长期可靠性, >20 usec 短路能力, 和卓越的雪崩能力. 这些器件可用作高效放大器，因为它们比任何其他 SiC 开关具有更高的线性度.

GeneSiC 提供的高温 SiC 肖特基整流器具有低通态压降, 以及高温下业界最低的漏电流. 与温度无关, 近零反向恢复开关特性, SiC 肖特基整流器是高效率应用的理想选择, 高温电路. TO-46 金属罐封装以及用于制造这些产品的相关封装工艺对于确保高可靠性至关重要的长期使用至关重要.

“GeneSiC 的晶体管和整流器产品经过彻底设计和制造，可实现高温运行. 这些紧凑型 TO-46 封装 SJT 提供高电流增益 (>110), 0/+5 V TTL控制, 和稳健的性能. 这些器件提供低传导损耗和高线性度. 我们设计了我们的“SHT”系列整流器, 在高温下提供低泄漏电流. 这些金属罐封装产品增强了我们去年发布的 TO-257 和金属 SMD 产品，以提供小尺寸, 抗振解决方案” 博士说. 兰比尔·辛格, GeneSiC半导体总裁.

今天发布的产品包括:

240 mOhm SiC 结型晶体管:

• 300 V 阻断电压. 零件号 GA05JT03-46
• 100 V 阻断电压. 零件号 GA05JT01-46
• 当前增益 (H_FE) >110
• 吨_最大 = 210^○C
• 打开/关闭; 上升/下降时间 <10 纳秒典型值.

取决于 4 安培高温肖特基二极管:

• 600 V 阻断电压. 零件号 GB02SHT06-46
• 300 V 阻断电压. 零件号 GB02SHT03-46
• 100 V 阻断电压. 零件号 GB02SHT01-46
• 总电容电荷 9 数控
• 吨_最大 = 210^○C.

所有设备都是 100% 经过全电压/电流额定值测试，采用金属罐 TO-46 封装。这些设备可立即从 GeneSiC 的授权经销商处获得.

关于 GeneSiC 半导体公司.

GeneSiC半导体公司. 是高温领域的领先创新者, 高功率超高压碳化硅 (碳化硅) 设备, 和广泛的功率半导体的全球供应商. 其器件组合包括基于 SiC 的整流器, 晶体管, 和晶闸管产品, 以及硅二极管模块. GeneSiC 开发了广泛的知识产权和技术知识，涵盖了 SiC 功率器件的最新进展, 面向替代能源的产品, 汽车, 井下石油钻探, 电机控制, 电源, 运输, 和不间断电源应用. 在 2011, 公司荣获久负盛名的R&超高压 SiC 晶闸管商业化 D100 奖.

了解更多信息, 请拜访 http://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; 和 http://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.

栅极驱动板针对高开关速度和基于行为的模型进行了优化，使电力电子设计工程师能够验证和量化 SJT 在板级评估和电路仿真中的优势

杜勒斯, 弗吉尼亚州, 十一月 19, 2014 — GeneSiC半导体, 各种碳化硅的先驱和全球供应商 (碳化硅) 功率半导体今天宣布立即推出栅极驱动器评估板，并扩大了对业界最低损耗开关——SiC 结型晶体管的设计支持 (SJT) – 具有完全合格的 LTSPICE IV 模型. 使用新的栅极驱动板, 电源转换电路设计人员可以验证低于 15 纳秒的优势, SiC 结型晶体管的温度无关开关特性, 驱动器功率损耗低. 结合新的 SPICE 模型, 电路设计人员可以轻松评估 GeneSiC 的 SJT 在实现比传统硅功率开关器件更高水平的效率方面的优势.

SiC 结型晶体管与其他 SiC 晶体管技术具有显着不同的特性, 以及硅晶体管. 需要能够提供低功率损耗同时仍提供高开关速度的栅极驱动器板，以提供驱动解决方案以利用 SiC 结型晶体管的优势. GeneSiC 完全隔离 GA03IDDJT30-FR4 栅极驱动板接收 0/12V 和 TTL 信号，以最佳方式调节提供短上升/下降时间所需的电压/电流波形, 同时仍最大限度地减少保持常断 SJT 在导通状态期间导通的连续电流要求. 引脚配置和外形尺寸与其他 SiC 晶体管相似. GeneSiC 还向最终用户发布了 Gerber 文件和 BOM，使他们能够融入所实现的驱动器设计创新的优势.

SJT 提供良好的通态和开关特性, 可以轻松创建基于行为的 SPICE 模型，该模型也与底层基于物理的模型非常一致. 使用完善且易于理解的基于物理的模型, SPICE 参数是在对设备行为进行广泛测试后发布的. GeneSiC 的 SPICE 模型与所有器件数据表上的实验测量数据进行了比较，适用于所有 1200 V 和 1700 V SiC 结型晶体管发布.
GeneSiC 的 SJT 能够提供超过 15 比基于 IGBT 的解决方案高出数倍. 它们更高的开关频率可以实现更小的磁性和电容元件, 从而缩小整体尺寸, 电力电子系统的重量和成本.

该 SiC 结型晶体管 SPICE 模型增加了 GeneSiC 的全套设计支持工具, 技术文档, 和可靠性信息，为电力电子工程师提供将 GeneSiC 全面的 SiC 结型晶体管和整流器系列应用于下一代电力系统所需的设计资源.

GeneSiC 的栅极驱动板数据表和 SJT SPICE 模型可从以下网址下载 http://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/

为高频电源电路推出具有最低传导损耗和卓越短路能力的 SiC 开关

杜勒斯, 弗吉尼亚。, 十月 28, 2014 — GeneSiC半导体, 各种碳化硅的先驱和全球供应商 (碳化硅) 功率半导体今天宣布立即推出一系列低导通电阻 1700V 和 1200 采用 TO-247 封装的 V SiC 结晶体管. 高电压的使用, 高频, 耐高温、低导通电阻的碳化硅结晶体管将提高转换效率并减小需要更高总线电压的电力电子应用的尺寸/重量/体积. 这些设备适用于各种应用，包括直流微电网, 车载快速充电器, 服务器, 电信和网络电源, 不间断电源, 太阳能逆变器, 风力发电系统, 和工业电机控制系统.

碳化硅结型晶体管 (SJT) GeneSiC 提供的具有超快速开关能力 (与 SiC MOSFET 相似), 方形反向偏置安全操作区 (RBSOA), 以及与温度无关的瞬态能量损耗和开关时间. 这些开关无栅极氧化物, 常关, 表现出导通电阻的正温度系数, 并且能够由商业栅极驱动器驱动, 与其他 SiC 开关不同. 与其他 SiC 开关相比，SJT 的独特优势在于其更高的长期可靠性, >10 usec 短路能力, 和卓越的雪崩能力

“这些改进的 SJT 提供更高的电流增益 (>100), 与其他 SiC 开关相比，性能高度稳定且稳健. GeneSiC 的 SJT 在额定电流下提供极低的导通损耗，同时在电源电路中具有卓越的关断损耗. 利用独特的设备和制造创新, GeneSiC 的晶体管产品帮助设计人员实现更强大的解决方案,” 博士说. 兰比尔·辛格, GeneSiC半导体总裁.

1700 V SiC结型晶体管发布

• 25 毫欧姆 (GA50JT17-247), 65 毫欧姆 (GA16JT17-247), 220 毫欧姆 (GA04JT17-247)
• 当前增益 (H_FE) >90
• 吨_最大 = 175^○C
• 打开/关闭; 上升/下降时间 <30 纳秒典型值.

1200 V SiC结型晶体管发布

• 25 毫欧姆 (GA50JT12-247), 120 毫欧姆 (GA10JT12-247), 210 毫欧姆 (GA05JT12-247)
• 当前增益 (H_FE) >90
• 吨_最大 = 175^○C
• 打开/关闭; 上升/下降时间 <30 纳秒典型值.

所有设备都是 100% 经过全电压/电流额定值测试并采用无卤素封装, 符合 RoHS 标准的 TO-247 封装. 这些设备可立即从 GeneSiC 的授权经销商处购买.

了解更多信息, 请访问http://192.168.88.14/商业-sic/sic-结晶体管/

GeneSiC 的 SiC 晶体管和整流器为实现 小盒子挑战

最先进的. 碳化硅功率晶体管 & 整流器. 可用的. 现在!

GeneSiC 目前在全球范围内拥有广泛的产品组合，可从顶级分销商处获得

裸芯片 可直接从工厂获得的 SiC 器件形式 (请填写以下表格)

离散的 SJT 和 整流器 在商业温度等级 (175°C)

离散的 命中 SJT沙 HiT 整流器 在高温下 (高达 250° C)

GeneSiC 提供种类最齐全的 SiC 产品——封装产品和裸片形式，以实现更大的设计灵活性和创新性. GeneSiC 通过引入新的产品不断努力保持领先地位, 创新产品. 如果您今天没有看到您正在寻找的确切产品, 你可能会在不久的将来看到它.

通过兼容的行业标准封装实现的 SiC 晶体管高温承诺将极大地增强井下和航空航天执行器和电源

杜勒斯, 弗吉尼亚。, 十二月 10, 2013 — GeneSiC半导体, 各种碳化硅的先驱和全球供应商 (碳化硅) 功率半导体今天宣布通过其分销商和直接家庭高温封装立即可用 600 V 碳化硅结晶体管 (SJT) 在里面 3-50 JEDEC 行业标准通孔和表面贴装封装中的安培电流额定值. 结合这些高温, 低导通电阻, 密封封装中的高频 SiC 晶体管, 高温焊料和封装将提高转换效率并减少高温功率转换应用的尺寸/重量/体积.

现代高温电源, 石油/天然气/井下和航空航天应用中使用的电机控制和执行器电路缺乏可行的高温碳化硅解决方案. 硅晶体管因漏电流高、开关特性低而导致电路效率低、尺寸大. 这两个参数在结温较高时变得更差. 具有热约束环境, 即使通过适度的电流，结温也很容易升高. 密封封装的 SiC 晶体管具有独特的特性，有望彻底改变井下和航空航天应用的能力. GeneSiC 650 V/3-50 A SiC 结型晶体管具有接近零开关时间且不随温度变化的特性. 这 210^○C 结温额定器件为在极端环境下运行的应用提供相对较大的温度裕度.

GeneSiC 提供的结型晶体管具有超快的开关能力, 方形反向偏置安全操作区 (RBSOA), 以及与温度无关的瞬态能量损耗和开关时间. 这些开关无栅极氧化物, 常关, 表现出导通电阻的正温度系数, 并且能够由商业驱动, 普遍可用 15 V IGBT 栅极驱动器, 与其他 SiC 开关不同. 同时提供与 SiC JFET 驱动器的兼容性, SiC 结型晶体管可以很容易地并联，因为它们具有匹配的瞬态特性.

“随着井下和航空航天应用设计人员不断突破工作频率的极限, 同时仍然要求高电路效率, 他们需要能够提供性能标准的 SiC 开关, 可靠性和生产一致性. 利用独特的设备和制造创新, GeneSiC 的 SJT 产品可帮助设计人员通过更强大的解决方案实现所有这些目标. 这些产品是对 GeneSiC 去年发布的密封封装 SiC 整流器的补充, 以及今年早些时候发布的裸片产品, 同时为我们提供高温铺平道路, 低电感, 不久的将来电源模块 ” 博士说. 兰比尔·辛格, GeneSiC半导体总裁.

隔离 TO-257 具有 600 V SJT:

• 65 毫欧/20 安培 (2N763​​9-GA); 170 毫欧/8 安培 (2N763​​7-GA); 和 425 毫欧/4 安培 (2N763​​5-GA)
• 吨_最大 = 210^○C
• 打开/关闭; 上升/下降时间 <50 纳秒典型值.
• 对应裸芯片 GA20JT06-CAL (在2N7639-GA中); GA10JT06-CAL (在2N7637-GA中); 和GA05JT06-CAL (在2N7635-GA中)

非隔离式 TO-258 原型封装 600 SJT

• 25 毫欧/50 安培 (GA50JT06-258原型机封装)
• 吨_最大 = 210^○C
• 打开/关闭; 上升/下降时间 <50 纳秒典型值.
• 对应裸芯片 GA50JT06-CAL (在GA50JT06-258中)

表面贴装 TO-276 (贴片0.5) 和 600 SJT

• 65 毫欧/20 安培 (2N7640-GA); 170 毫欧/8 安培 (2N763​​8-GA); 和 425 毫欧/4 安培 (2N763​​6-GA)
• 吨_最大 = 210^○C
• 打开/关闭; 上升/下降时间 <50 纳秒典型值.

所有设备都是 100% 经过全电压/电流额定值测试并采用密封封装. 提供技术支持和 SPICE 电路模型. 这些设备可立即从 GeneSiC 直接和/或通过其授权经销商购买.

关于 GeneSiC 半导体公司.

GeneSiC半导体公司. 是高温领域的领先创新者, 高功率超高压碳化硅 (碳化硅) 设备, 和广泛的功率半导体的全球供应商. 其器件组合包括基于 SiC 的整流器, 晶体管, 和晶闸管产品, 以及硅整流产品. GeneSiC 开发了广泛的知识产权和技术知识，涵盖了 SiC 功率器件的最新进展, 面向替代能源的产品, 汽车, 下石油钻井, 电机控制, 电源, 运输, 和不间断电源应用. GeneSiC获得美国政府机构多项研发合同, 包括 ARPA-E, 能源部, 海军, 军队, DARPA, 国防情报局, 和国土安全部, 以及主要政府主承包商. 在 2011, 公司荣获久负盛名的R&超高压 SiC 晶闸管商业化 D100 奖.

了解更多信息, 请拜访 http://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt

高压, 无反向恢复 SiC 肖特基二极管通过提供最小外形尺寸的表面贴装功能，为太阳能逆变器和高压组件提供关键支持

杜勒斯, 弗吉尼亚。, 十一月 19, 2013 — GeneSiC半导体, 各种碳化硅的先驱和全球供应商 (碳化硅) 功率半导体今天宣布立即推出一系列行业标准 SMB (JEDEC DO-214AA) 封装的 SiC 整流器 650 – 3300 电压范围. 结合这些高电压, 无反向恢复, 具有高频和高温能力的碳化硅二极管将提高转换效率并减少多kV组件的尺寸/重量/体积. 这些产品针对微型太阳能逆变器以及广泛用于 X 射线的电压倍增器电路, 激光和粒子发生器电源.

由于硅整流器的反向恢复电流，当代微型太阳能逆变器和电压倍增器电路可能会遇到电路效率低和尺寸大的问题. 在较高的整流器结温下, 这种情况变得更糟，因为硅整流器的反向恢复电流随着温度的增加而增加. 具有热约束的高压组件, 即使通过适度的电流，结温也很容易升高. 高压碳化硅整流器具有独特的特性，有望彻底改变微型太阳能逆变器和高压组件. GeneSiC 650 V/1A; 1200 V/2 A 和 3300 V/0.3 A 肖特基整流器具有不随温度变化的零反向恢复电流. 这 3300 V 级器件在单个器件中提供相对较高的电压，允许减少典型高压发生器电路所需的电压倍增级, 通过使用更高的交流输入电压. 近乎理想的开关特性允许消除/显着减少电压平衡网络和缓冲电路. 中小型企业 (DO-214AA) 包覆成型封装具有适用于表面贴装组件的行业标准外形尺寸.

“这些产品来自 GeneSiC 多年的持续开发努力，旨在提供引人注目的设备和封装. 我们相信 SMB 外形是微型太阳能逆变器和电压倍增器市场的关键差异化因素, 并将为我们的客户带来巨大的利益. GeneSiC 的低 VF, 低电容 SiC 肖特基整流器和改进的 SMB 封装使这一突破性产品成为可能” 博士说. 兰比尔·辛格, GeneSiC半导体总裁.

1200 V/2 A SMB SiC 肖特基二极管 (GB02SLT12-214) 技术亮点

• 典型的室颤 = 1.5 V
• 吨_最大 = 175^○C
• 反向恢复电荷 = 14 数控.

3300 V/0.3 A SMB SiC 肖特基二极管 (GAP3SLT33-214) 技术亮点

• 典型的室颤 = 1.7 V
• 吨_最大 = 175^○C
• 反向恢复电荷 = 52 数控.

650 V/1 A SMB SiC 肖特基二极管 (GB01SLT06-214) 技术亮点

• 典型的室颤 = 1.5 V
• 吨_最大 = 175^○C
• 反向恢复电荷 = 7 数控.

所有设备都是 100% 经过全电压/电流额定值测试并采用无卤素封装, 符合 RoHS 标准的中小企业 (DO-214AA) 包. 提供技术支持和 SPICE 电路模型. 这些设备可立即从 GeneSiC 的授权经销商处购买.

关于 GeneSiC 半导体公司.

GeneSiC半导体公司. 是高温领域的领先创新者, 高功率超高压碳化硅 (碳化硅) 设备, 和广泛的功率半导体的全球供应商. 其器件组合包括基于 SiC 的整流器, 晶体管, 和晶闸管产品, 以及硅整流产品. GeneSiC 开发了广泛的知识产权和技术知识，涵盖了 SiC 功率器件的最新进展, 面向替代能源的产品, 汽车, 下石油钻井, 电机控制, 电源, 运输, 和不间断电源应用. GeneSiC获得美国政府机构多项研发合同, 包括 ARPA-E, 能源部, 海军, 军队, DARPA, 国防情报局, 和国土安全部, 以及主要政府主承包商. 在 2011, 公司荣获久负盛名的R&超高压 SiC 晶闸管商业化 D100 奖.

了解更多信息, 请访问http://192.168.88.14/index.php/sic-products/肖特基

High Voltage assemblies to benefit from these low capacitance rectifiers offering temperature-independent zero reverse recovery currents in isolated packages

Thief River Falls/Dulles, 弗吉尼亚。, 可能 28, 2013 — GeneSiC半导体, 各种碳化硅的先驱和全球供应商 (碳化硅) power semiconductors announce the immediate availability of 3300 V/0.3 Ampere SiC Schottky Rectifiers – the GAP3SLT33-220FP. This unique product represents the highest voltage SiC rectifier on the market, and is specifically targeted towards voltage multiplier circuits and high voltage assemblies used in a wide range of X-Ray, 激光和粒子发生器电源.

Contemporary voltage multiplier circuits suffer from low circuit efficiencies and large sizes because the reverse recovery currents from Silicon rectifiers discharge the parallel connected capacitors. 在较高的整流器结温下, 这种情况变得更糟，因为硅整流器的反向恢复电流随着温度的增加而增加. 具有热约束的高压组件, 即使通过适度的电流，结温也很容易升高. High Voltage SiC rectifiers offer unique characteristics that promises to revolutionize the high voltage assemblies. GeneSiC 3300 V/0.3 A 肖特基整流器具有不随温度变化的零反向恢复电流. This relatively high voltage in a single device allows a reduction in voltage multiplication stages required in typical high voltage generator circuits, 通过使用更高的交流输入电压. 近乎理想的开关特性允许消除/显着减少电压平衡网络和缓冲电路. The TO-220 Full Pack overmolded isolated package features industry-standard form factor with increased pin spacing in through hole assemblies.

“This product offering comes from years of sustained efforts at GeneSiC. We believe the 3300 V rating is a key differentiator for the high voltage generator market, 并将为我们的客户带来巨大的利益. GeneSiC 的低 VF, low capacitance SiC Schottky Rectifiers enables this breakthrough product” 博士说. 兰比尔·辛格, GeneSiC半导体总裁.

3300 V/0.3 A SiC Rectifier Technical Highlights

• 通态下降 1.7 电压 0.3 一种
• VF 上的正温度系数
• 吨_最大 = 175^○C
• Capacitive charge 52 数控 (典型的).

所有设备都是 100% 经过全电压/电流额定值测试并采用无卤素封装, RoHS compliant industry-standard TO-220FP (Full Pack) 包. The devices are immediately available from GeneSiC’s Authorized Distributor, Digikey.

关于 GeneSiC 半导体公司.

GeneSiC半导体公司. 是高温领域的领先创新者, 高功率超高压碳化硅 (碳化硅) 设备, 和广泛的功率半导体的全球供应商. 其器件组合包括基于 SiC 的整流器, 晶体管, 和晶闸管产品, 以及硅整流产品. GeneSiC 开发了广泛的知识产权和技术知识，涵盖了 SiC 功率器件的最新进展, 面向替代能源的产品, 汽车, 下石油钻井, 电机控制, 电源, 运输, 和不间断电源应用. GeneSiC获得美国政府机构多项研发合同, 包括 ARPA-E, 能源部, 海军, 军队, DARPA, 国防情报局, 和国土安全部, 以及主要政府主承包商. 在 2011, 公司荣获久负盛名的R&超高压 SiC 晶闸管商业化 D100 奖.

了解更多信息, please visit www.genesicsemi.com

High Voltage circuits and assemblies to benefit from SiC chips that offer unprecedented voltage ratings and ultra-high speed switching

杜勒斯, 弗吉尼亚。, 十一月 7, 2013 — GeneSiC半导体, 各种碳化硅的先驱和全球供应商 (碳化硅) power semiconductors announce the immediate availability of 8000 V SiC PiN Rectifiers; 8000 V SiC Schottky Rectifiers, 3300 V SiC Schottky Rectifiers and 6500 V SiC Thyristors in bare die format. These unique products represents the highest voltage SiC devices on the market, and is specifically targeted towards oil and gas instrumentation, voltage multiplier circuits and high voltage assemblies.

Contemporary ultra-high voltage circuits suffer from low circuit efficiencies and large sizes because the reverse recovery currents from Silicon rectifiers discharge the parallel connected capacitors. 在较高的整流器结温下, this situation worsens further since the reverse recovery current in Silicon rectifiers increases with temperature. 具有热约束的高压组件, 即使通过适度的电流，结温也很容易升高. High Voltage SiC rectifiers offer unique characteristics that promises to revolutionize the high voltage assemblies. GeneSiC 8000 V 和 3300 V Schottky rectifiers feature zero reverse recovery current that does not change with temperature. This relatively high voltage in a single device allows a reduction in voltage multiplication stages required in typical high voltage generator circuits, 通过使用更高的交流输入电压. 近乎理想的开关特性允许消除/显着减少电压平衡网络和缓冲电路. 8000 V PiN Rectifiers offer higher current levels and higher operating temperatures. 6500 V SiC Thyristor chips are also available to accelerate R&D of new systems.

“These products showcase GeneSiC’s strong lead in the development of SiC chips in the multi-kV ratings. We believe the 8000 V rating goes beyond what Silicon devices can offer at rated temperatures, 并将为我们的客户带来巨大的利益. GeneSiC 的低 VF, low capacitance SiC Rectifiers and Thyristors will enable system level benefits not possible before” 博士说. 兰比尔·辛格, GeneSiC半导体总裁.

8000 V/2 A SiC Bare Die PiN Rectifier Technical Highlights

• 吨_最大 = 210^○C
• Reverse Leakage Currents < 50 uA at 175^○C
• Reverse Recovery Charge 558 数控 (典型的).

8000 V/50 mA SiC Bare Die Schottky Rectifier Technical Highlights

• Total Capacitance 25 pF (典型的, at -1 V, 25^○C).
• VF 上的正温度系数
• 吨_最大 = 175^○C

6500 V SiC Thyristor Bare Die Technical Highlights

• Three offerings – 80 Amperes (GA080TH65-CAU); 60 Amperes (GA060TH65-CAU); 和 40 Amperes (GA040TH65-CAU)
• 吨_最大 = 200^○C

3300 V/0.3 A SiC Bare Die Rectifier Technical Highlights

• 通态下降 1.7 电压 0.3 一种
• VF 上的正温度系数
• 吨_最大 = 175^○C
• Capacitive charge 52 数控 (典型的).

关于 GeneSiC 半导体公司.

GeneSiC半导体公司. 是高温领域的领先创新者, 高功率超高压碳化硅 (碳化硅) 设备, 和广泛的功率半导体的全球供应商. 其器件组合包括基于 SiC 的整流器, 晶体管, 和晶闸管产品, 以及硅整流产品. GeneSiC 开发了广泛的知识产权和技术知识，涵盖了 SiC 功率器件的最新进展, 面向替代能源的产品, 汽车, 下石油钻井, 电机控制, 电源, 运输, 和不间断电源应用. GeneSiC获得美国政府机构多项研发合同, 包括 ARPA-E, 能源部, 海军, 军队, DARPA, 国防情报局, 和国土安全部, 以及主要政府主承包商. 在 2011, 公司荣获久负盛名的R&超高压 SiC 晶闸管商业化 D100 奖.

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