共同封装的 SiC 晶体管-二极管组合，坚固耐用, 孤立, 4-含铅, 微型模块封装可减少开启能量损耗，并为高频电源转换器提供灵活的电路设计
杜勒斯, VA, 可能 13, 2015 — GeneSiC半导体, 各种碳化硅的先驱和全球供应商 (碳化硅) 功率半导体今天宣布立即可用 20 mOhm-1200 V SiC 结型晶体管二极管, 4-带引线的微型模块封装，可实现极低的开启能量损失，同时提供灵活的, 高频功率转换器的模块化设计. 使用高频, 具有高电压和低导通电阻的 SiC 晶体管和整流器将减小在高工作频率下需要更高功率处理的电子应用的尺寸/重量/体积. 这些设备适用于包括感应加热器在内的各种应用, 等离子发生器, 快速充电器, DC-DC转换器, 和开关模式电源.
1200 V/20 mOhm 碳化硅结晶体管整流器 - 采用隔离式 SOT-227 封装共同封装，提供独立的栅极源极和灌电流能力
联合封装 SiC 结型晶体管 (SJT)-GeneSiC 提供的 SiC 整流器特别适用于电感开关应用，因为 SJT 是唯一提供宽带隙开关的产品 >10 微秒重复短路能力, 即使在 80% 额定电压 (例如. 960 V 为 1200 五号装置). 除了低于 10 纳秒的上升/下降时间和方形反向偏置安全操作区 (RBSOA), 新配置中的栅极返回端子显着提高了降低开关能量的能力. 这些新型产品提供与结温无关的瞬态能量损耗和开关时间. GeneSiC 的 SiC 结型晶体管不含栅极氧化物, 常关, 表现出导通电阻的正温度系数, 并且能够在低栅极电压下被驱动, 与其他 SiC 开关不同.
这些微型模块中使用的 SiC 肖特基整流器显示出低通态压降, 在高温下具有良好的浪涌电流额定值和业界最低的泄漏电流. 与温度无关, 近零反向恢复开关特性, SiC 肖特基整流器是用于高效电路的理想选择.
“GeneSiC 的 SiC 晶体管和整流器产品旨在实现低通态和开关损耗. 将这些技术结合在一个创新的封装中，有望在需要基于宽带隙的器件的电源电路中实现出色的性能. 迷你模块封装提供了极大的设计灵活性，可用于 H 桥等各种电源电路, 反激式和多电平逆变器” 博士说. 兰比尔·辛格, GeneSiC半导体总裁.
今天发布的产品包括
20 mOhm/1200 V SiC 结晶体管/整流器组合包 (GA50SICP12-227):
• 隔离式SOT-227/迷你块/Isotop 封装
• 晶体管电流增益 (氢氟酸) >100
• Tjmax = 175oC (受包装限制)
• 打开/关闭; 上升/下降时间 <10 纳秒典型值.
所有设备都是 100% 经测试达到全电压/电流额定值. 这些器件可立即从 GeneSiC 处获得 授权经销商.
了解更多信息, 请拜访: http://192.168.88.14/商业-sic/sic-modules-copack/
关于 GeneSiC 半导体公司.
GeneSiC半导体公司. 是高温领域的领先创新者, 高功率超高压碳化硅 (碳化硅) 设备, 和广泛的功率半导体的全球供应商. 其器件组合包括基于 SiC 的整流器, 晶体管, 和晶闸管产品, 以及硅二极管模块. GeneSiC 开发了广泛的知识产权和技术知识，涵盖了 SiC 功率器件的最新进展, 面向替代能源的产品, 汽车, 井下石油钻探, 电机控制, 电源, 运输, 和不间断电源应用. 在 2011, 公司荣获久负盛名的R&超高压 SiC 晶闸管商业化 D100 奖.
