高压, 无反向恢复 SiC 肖特基二极管通过提供最小外形尺寸的表面贴装功能，为太阳能逆变器和高压组件提供关键支持
杜勒斯, 弗吉尼亚。, 十一月 19, 2013 — GeneSiC半导体, 各种碳化硅的先驱和全球供应商 (碳化硅) 功率半导体今天宣布立即推出一系列行业标准 SMB (JEDEC DO-214AA) 封装的 SiC 整流器 650 – 3300 电压范围. 结合这些高电压, 无反向恢复, 具有高频和高温能力的碳化硅二极管将提高转换效率并减少多kV组件的尺寸/重量/体积. 这些产品针对微型太阳能逆变器以及广泛用于 X 射线的电压倍增器电路, 激光和粒子发生器电源.
由于硅整流器的反向恢复电流，当代微型太阳能逆变器和电压倍增器电路可能会遇到电路效率低和尺寸大的问题. 在较高的整流器结温下, 这种情况变得更糟，因为硅整流器的反向恢复电流随着温度的增加而增加. 具有热约束的高压组件, 即使通过适度的电流，结温也很容易升高. 高压碳化硅整流器具有独特的特性，有望彻底改变微型太阳能逆变器和高压组件. GeneSiC 650 V/1A; 1200 V/2 A 和 3300 V/0.3 A 肖特基整流器具有不随温度变化的零反向恢复电流. 这 3300 V 级器件在单个器件中提供相对较高的电压，允许减少典型高压发生器电路所需的电压倍增级, 通过使用更高的交流输入电压. 近乎理想的开关特性允许消除/显着减少电压平衡网络和缓冲电路. 中小型企业 (DO-214AA) 包覆成型封装具有适用于表面贴装组件的行业标准外形尺寸.
“这些产品来自 GeneSiC 多年的持续开发努力，旨在提供引人注目的设备和封装. 我们相信 SMB 外形是微型太阳能逆变器和电压倍增器市场的关键差异化因素, 并将为我们的客户带来巨大的利益. GeneSiC 的低 VF, 低电容 SiC 肖特基整流器和改进的 SMB 封装使这一突破性产品成为可能” 博士说. 兰比尔·辛格, GeneSiC半导体总裁.
1200 V/2 A SMB SiC 肖特基二极管 (GB02SLT12-214) 技术亮点
- 典型的室颤 = 1.5 V
- 吨最大 = 175○C
- 反向恢复电荷 = 14 数控.
3300 V/0.3 A SMB SiC 肖特基二极管 (GAP3SLT33-214) 技术亮点
- 典型的室颤 = 1.7 V
- 吨最大 = 175○C
- 反向恢复电荷 = 52 数控.
650 V/1 A SMB SiC 肖特基二极管 (GB01SLT06-214) 技术亮点
- 典型的室颤 = 1.5 V
- 吨最大 = 175○C
- 反向恢复电荷 = 7 数控.
所有设备都是 100% 经过全电压/电流额定值测试并采用无卤素封装, 符合 RoHS 标准的中小企业 (DO-214AA) 包. 提供技术支持和 SPICE 电路模型. 这些设备可立即从 GeneSiC 的授权经销商处购买.
关于 GeneSiC 半导体公司.
GeneSiC半导体公司. 是高温领域的领先创新者, 高功率超高压碳化硅 (碳化硅) 设备, 和广泛的功率半导体的全球供应商. 其器件组合包括基于 SiC 的整流器, 晶体管, 和晶闸管产品, 以及硅整流产品. GeneSiC 开发了广泛的知识产权和技术知识，涵盖了 SiC 功率器件的最新进展, 面向替代能源的产品, 汽车, 下石油钻井, 电机控制, 电源, 运输, 和不间断电源应用. GeneSiC获得美国政府机构多项研发合同, 包括 ARPA-E, 能源部, 海军, 军队, DARPA, 国防情报局, 和国土安全部, 以及主要政府主承包商. 在 2011, 公司荣获久负盛名的R&超高压 SiC 晶闸管商业化 D100 奖.
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