为高频电源电路推出具有最低传导损耗和卓越短路能力的 SiC 开关
杜勒斯, 弗吉尼亚。, 十月 28, 2014 — GeneSiC半导体, 各种碳化硅的先驱和全球供应商 (碳化硅) 功率半导体今天宣布立即推出一系列低导通电阻 1700V 和 1200 采用 TO-247 封装的 V SiC 结晶体管. 高电压的使用, 高频, 耐高温、低导通电阻的碳化硅结晶体管将提高转换效率并减小需要更高总线电压的电力电子应用的尺寸/重量/体积. 这些设备适用于各种应用，包括直流微电网, 车载快速充电器, 服务器, 电信和网络电源, 不间断电源, 太阳能逆变器, 风力发电系统, 和工业电机控制系统.
碳化硅结型晶体管 (SJT) GeneSiC 提供的具有超快速开关能力 (与 SiC MOSFET 相似), 方形反向偏置安全操作区 (RBSOA), 以及与温度无关的瞬态能量损耗和开关时间. 这些开关无栅极氧化物, 常关, 表现出导通电阻的正温度系数, 并且能够由商业栅极驱动器驱动, 与其他 SiC 开关不同. 与其他 SiC 开关相比，SJT 的独特优势在于其更高的长期可靠性, >10 usec 短路能力, 和卓越的雪崩能力
“这些改进的 SJT 提供更高的电流增益 (>100), 与其他 SiC 开关相比，性能高度稳定且稳健. GeneSiC 的 SJT 在额定电流下提供极低的导通损耗，同时在电源电路中具有卓越的关断损耗. 利用独特的设备和制造创新, GeneSiC 的晶体管产品帮助设计人员实现更强大的解决方案,” 博士说. 兰比尔·辛格, GeneSiC半导体总裁.
1700 V SiC结型晶体管发布
- 25 毫欧姆 (GA50JT17-247), 65 毫欧姆 (GA16JT17-247), 220 毫欧姆 (GA04JT17-247)
- 当前增益 (HFE) >90
- 吨最大 = 175○C
- 打开/关闭; 上升/下降时间 <30 纳秒典型值.
1200 V SiC结型晶体管发布
- 25 毫欧姆 (GA50JT12-247), 120 毫欧姆 (GA10JT12-247), 210 毫欧姆 (GA05JT12-247)
- 当前增益 (HFE) >90
- 吨最大 = 175○C
- 打开/关闭; 上升/下降时间 <30 纳秒典型值.
所有设备都是 100% 经过全电压/电流额定值测试并采用无卤素封装, 符合 RoHS 标准的 TO-247 封装. 这些设备可立即从 GeneSiC 的授权经销商处购买.
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