高温 (>210○C) 采用小型金属罐封装的结型晶体管和整流器为包括放大在内的各种应用提供革命性的性能优势, 低噪声电路和井下执行器控制
杜勒斯, VA, 行进 9, 2015 — GeneSiC半导体, 各种碳化硅的先驱和全球供应商 (碳化硅) 功率半导体今天宣布立即推出一系列紧凑型, 采用 TO-46 金属罐封装的高温 SiC 结晶体管以及一系列整流器. 这些分立元件的设计和制造可在高于 215○C. 使用温度高, 高电压和低导通电阻的 SiC 晶体管和整流器将减小在高温下需要更高功率处理的电子应用的尺寸/重量/体积. 这些设备适用于各种应用，包括各种井下回路, 地热仪器, 电磁阀驱动, 通用放大, 和开关模式电源.
高温碳化硅结型晶体管 (SJT) GeneSiC 提供的上升/下降时间低于 10 纳秒，可实现 >10 MHz 开关以及方形反向偏置安全操作区 (RBSOA). 瞬态能量损耗和开关时间与结温无关. 这些开关无栅极氧化物, 常关, 表现出导通电阻的正温度系数, 并且能够被驱动 0/+5 V TTL 栅极驱动器, 与其他 SiC 开关不同. 与其他 SiC 开关相比，SJT 的独特优势在于其更高的长期可靠性, >20 usec 短路能力, 和卓越的雪崩能力. 这些器件可用作高效放大器，因为它们比任何其他 SiC 开关具有更高的线性度.
GeneSiC 提供的高温 SiC 肖特基整流器具有低通态压降, 以及高温下业界最低的漏电流. 与温度无关, 近零反向恢复开关特性, SiC 肖特基整流器是高效率应用的理想选择, 高温电路. TO-46 金属罐封装以及用于制造这些产品的相关封装工艺对于确保高可靠性至关重要的长期使用至关重要.
“GeneSiC 的晶体管和整流器产品经过彻底设计和制造，可实现高温运行. 这些紧凑型 TO-46 封装 SJT 提供高电流增益 (>110), 0/+5 V TTL控制, 和稳健的性能. 这些器件提供低传导损耗和高线性度. 我们设计了我们的“SHT”系列整流器, 在高温下提供低泄漏电流. 这些金属罐封装产品增强了我们去年发布的 TO-257 和金属 SMD 产品，以提供小尺寸, 抗振解决方案” 博士说. 兰比尔·辛格, GeneSiC半导体总裁.
今天发布的产品包括:
240 mOhm SiC 结型晶体管:
- 300 V 阻断电压. 零件号 GA05JT03-46
- 100 V 阻断电压. 零件号 GA05JT01-46
- 当前增益 (HFE) >110
- 吨最大 = 210○C
- 打开/关闭; 上升/下降时间 <10 纳秒典型值.
取决于 4 安培高温肖特基二极管:
- 600 V 阻断电压. 零件号 GB02SHT06-46
- 300 V 阻断电压. 零件号 GB02SHT03-46
- 100 V 阻断电压. 零件号 GB02SHT01-46
- 总电容电荷 9 数控
- 吨最大 = 210○C.
所有设备都是 100% 经过全电压/电流额定值测试，采用金属罐 TO-46 封装。这些设备可立即从 GeneSiC 的授权经销商处获得.
关于 GeneSiC 半导体公司.
GeneSiC半导体公司. 是高温领域的领先创新者, 高功率超高压碳化硅 (碳化硅) 设备, 和广泛的功率半导体的全球供应商. 其器件组合包括基于 SiC 的整流器, 晶体管, 和晶闸管产品, 以及硅二极管模块. GeneSiC 开发了广泛的知识产权和技术知识，涵盖了 SiC 功率器件的最新进展, 面向替代能源的产品, 汽车, 井下石油钻探, 电机控制, 电源, 运输, 和不间断电源应用. 在 2011, 公司荣获久负盛名的R&超高压 SiC 晶闸管商业化 D100 奖.
了解更多信息, 请拜访 http://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; 和 http://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.
