通过兼容的行业标准封装实现的 SiC 晶体管高温承诺将极大地增强井下和航空航天执行器和电源
杜勒斯, 弗吉尼亚。, 十二月 10, 2013 — GeneSiC半导体, 各种碳化硅的先驱和全球供应商 (碳化硅) 功率半导体今天宣布通过其分销商和直接家庭高温封装立即可用 600 V 碳化硅结晶体管 (SJT) 在里面 3-50 JEDEC 行业标准通孔和表面贴装封装中的安培电流额定值. 结合这些高温, 低导通电阻, 密封封装中的高频 SiC 晶体管, 高温焊料和封装将提高转换效率并减少高温功率转换应用的尺寸/重量/体积.
现代高温电源, 石油/天然气/井下和航空航天应用中使用的电机控制和执行器电路缺乏可行的高温碳化硅解决方案. 硅晶体管因漏电流高、开关特性低而导致电路效率低、尺寸大. 这两个参数在结温较高时变得更差. 具有热约束环境, 即使通过适度的电流，结温也很容易升高. 密封封装的 SiC 晶体管具有独特的特性，有望彻底改变井下和航空航天应用的能力. GeneSiC 650 V/3-50 A SiC 结型晶体管具有接近零开关时间且不随温度变化的特性. 这 210○C 结温额定器件为在极端环境下运行的应用提供相对较大的温度裕度.
GeneSiC 提供的结型晶体管具有超快的开关能力, 方形反向偏置安全操作区 (RBSOA), 以及与温度无关的瞬态能量损耗和开关时间. 这些开关无栅极氧化物, 常关, 表现出导通电阻的正温度系数, 并且能够由商业驱动, 普遍可用 15 V IGBT 栅极驱动器, 与其他 SiC 开关不同. 同时提供与 SiC JFET 驱动器的兼容性, SiC 结型晶体管可以很容易地并联，因为它们具有匹配的瞬态特性.
“随着井下和航空航天应用设计人员不断突破工作频率的极限, 同时仍然要求高电路效率, 他们需要能够提供性能标准的 SiC 开关, 可靠性和生产一致性. 利用独特的设备和制造创新, GeneSiC 的 SJT 产品可帮助设计人员通过更强大的解决方案实现所有这些目标. 这些产品是对 GeneSiC 去年发布的密封封装 SiC 整流器的补充, 以及今年早些时候发布的裸片产品, 同时为我们提供高温铺平道路, 低电感, 不久的将来电源模块 ” 博士说. 兰比尔·辛格, GeneSiC半导体总裁.
隔离 TO-257 具有 600 V SJT:
- 65 毫欧/20 安培 (2N7639-GA); 170 毫欧/8 安培 (2N7637-GA); 和 425 毫欧/4 安培 (2N7635-GA)
- 吨最大 = 210○C
- 打开/关闭; 上升/下降时间 <50 纳秒典型值.
- 对应裸芯片 GA20JT06-CAL (在2N7639-GA中); GA10JT06-CAL (在2N7637-GA中); 和GA05JT06-CAL (在2N7635-GA中)
非隔离式 TO-258 原型封装 600 SJT
- 25 毫欧/50 安培 (GA50JT06-258原型机封装)
- 吨最大 = 210○C
- 打开/关闭; 上升/下降时间 <50 纳秒典型值.
- 对应裸芯片 GA50JT06-CAL (在GA50JT06-258中)
表面贴装 TO-276 (贴片0.5) 和 600 SJT
- 65 毫欧/20 安培 (2N7640-GA); 170 毫欧/8 安培 (2N7638-GA); 和 425 毫欧/4 安培 (2N7636-GA)
- 吨最大 = 210○C
- 打开/关闭; 上升/下降时间 <50 纳秒典型值.
所有设备都是 100% 经过全电压/电流额定值测试并采用密封封装. 提供技术支持和 SPICE 电路模型. 这些设备可立即从 GeneSiC 直接和/或通过其授权经销商购买.
关于 GeneSiC 半导体公司.
GeneSiC半导体公司. 是高温领域的领先创新者, 高功率超高压碳化硅 (碳化硅) 设备, 和广泛的功率半导体的全球供应商. 其器件组合包括基于 SiC 的整流器, 晶体管, 和晶闸管产品, 以及硅整流产品. GeneSiC 开发了广泛的知识产权和技术知识，涵盖了 SiC 功率器件的最新进展, 面向替代能源的产品, 汽车, 下石油钻井, 电机控制, 电源, 运输, 和不间断电源应用. GeneSiC获得美国政府机构多项研发合同, 包括 ARPA-E, 能源部, 海军, 军队, DARPA, 国防情报局, 和国土安全部, 以及主要政府主承包商. 在 2011, 公司荣获久负盛名的R&超高压 SiC 晶闸管商业化 D100 奖.
了解更多信息, 请拜访 http://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt
