柵極驅動器板針對高開關速度和基於行為的模型進行了優化，使電力電子設計工程師能夠驗證和量化SJT在板級評估和電路仿真中的優勢
杜勒斯, V.A., 十一月 19, 2014 — GeneSiC半導體, 廣泛的碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體今天宣布柵極驅動器評估板可立即供貨，並已擴展了其對業界最低損耗開關SiC結晶體管的設計支持 (SJT) –具有完全合格的LTSPICE IV模型. 使用新的柵極驅動器板, 電源轉換電路設計人員可以驗證15納秒以下的優勢, SiC結晶體管的溫度無關開關特性, 驅動器功率損耗低. 整合新的SPICE模型, 電路設計人員可以輕鬆評估GeneSiC的SJT提供的好處，以實現比同等等級的設備所用的傳統矽功率開關設備更高的效率.
柵極驅動器板GA03IDDJT30-FR4適用於GeneSiC的SJT
SiC結晶體管的特性與其他SiC晶體管技術明顯不同, 以及矽晶體管. 為了提供利用SiC結晶體管的優勢的驅動器解決方案，需要能夠提供低功率損耗同時仍提供高開關速度的柵極驅動器板. GeneSiC完全隔離 GA03IDDJT30-FR4 柵極驅動器板接受0 / 12V和TTL信號，以最佳地調節提供小的上升/下降時間所需的電壓/電流波形, 同時仍將導通狀態下保持常關SJT導通的連續電流需求降至最低. 引腳配置和形狀因數保持與其他SiC晶體管相似. GeneSiC還向最終用戶發布了Gerber文件和BOM，以使它們能夠結合已實現的驅動器設計創新的優勢.
SJT提供良好的通態和開關特性, 易於創建基於行為的SPICE模型，該模型與基於物理的基礎模型也非常吻合. 使用公認的，基於物理學的模型, 經過對設備行為的廣泛測試後，發布了SPICE參數. 將GeneSiC的SPICE模型與所有器件數據手冊上的實驗測量數據進行了比較，並適用於所有 1200 V和 1700 V SiC結型晶體管發布.
GeneSiC的SJT能夠提供比 15 比基於IGBT的解決方案高出十倍. 它們較高的開關頻率可以實現較小的磁性和電容性元件, 從而縮小整體尺寸, 電力電子系統的重量和成本.
此 SiC 結晶體管 SPICE 模型增加了 GeneSiC 的綜合設計支援工具套件, 技術文件, 和可靠性信息，為電力電子工程師提供將 GeneSiC 全面的 SiC 結型電晶體和整流器系列應用於下一代電力系統所需的設計資源.
GeneSiC 的閘極驅動板資料表和 SJT SPICE 模型可從以下網址下載 http://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/
