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Diodos Schottky SiC em SMB (DO-214) pacotes oferecem menores pegadas

Alta voltagem, Diodos Schottky SiC sem recuperação reversa para habilitar inversores solares e conjuntos de alta tensão de forma crítica, oferecendo recursos de montagem em superfície de menor fator de forma

Dulles, Virgínia., novembro 19, 2013 — GeneSiC Semiconductor, pioneira e fornecedora global de uma ampla gama de carboneto de silício (SiC) Power Semiconductors anuncia hoje a disponibilidade imediata de uma família de SMB padrão da indústria (JEDEC DO-214AA) retificadores SiC embalados no 650 – 3300 Faixa V. Incorporando estes alta tensão, sem recuperação reversa, Diodos SiC com capacidade de alta frequência e alta temperatura aumentarão a eficiência de conversão e reduzirão o tamanho/peso/volume de conjuntos multi-kV. Esses produtos são direcionados a inversores microssolares, bem como a circuitos multiplicadores de tensão usados ​​em uma ampla gama de raios X., Fontes de alimentação para geradores de laser e partículas.Todos os retificadores

Os inversores microssolares contemporâneos e os circuitos multiplicadores de tensão podem sofrer com baixas eficiências de circuito e grandes tamanhos porque as correntes de recuperação reversa dos retificadores de silício. Em temperaturas mais altas da junção retificadora, esta situação piora porque a corrente de recuperação reversa nos retificadores de silício aumenta com a temperatura. Com restrições térmicas, conjuntos de alta tensão, as temperaturas das junções aumentam facilmente mesmo quando correntes modestas são passadas. Os retificadores SiC de alta tensão oferecem características únicas que prometem revolucionar os microinversores solares e conjuntos de alta tensão. GeneSiC's 650 V/1A; 1200 V/2 A e 3300 Os retificadores Schottky V/0,3 A apresentam corrente de recuperação reversa zero que não muda com a temperatura. O 3300 Dispositivos com classificação V oferecem tensão relativamente alta em um único dispositivo, permitindo uma redução nos estágios de multiplicação de tensão necessários em circuitos geradores de alta tensão típicos, através do uso de tensões de entrada CA mais altas. As características de comutação quase ideais permitem a eliminação/redução dramática de redes de balanceamento de tensão e circuitos amortecedores. A PME (DO-214AA) o pacote sobremoldado apresenta formato padrão da indústria para montagens de montagem em superfície.

“Essas ofertas de produtos vêm de anos de esforços sustentados de desenvolvimento na GeneSiC para oferecer dispositivos e pacotes atraentes. Acreditamos que o formato SMB é um diferencial chave para o mercado de Micro Inversores Solares e Multiplicadores de Tensão, e permitirá benefícios significativos aos nossos clientes. Baixo VF do GeneSiC, retificadores SiC Schottky de baixa capacitância e pacotes SMB aprimorados permitem que este produto inovador” disse o Dr.. Ranbir Singh, Presidente da GeneSiC Semiconductor.

1200 Diodo Schottky SMB SiC V/2 A (GB02SLT12-214) Destaques técnicos

  • FV típica = 1.5 V
  • Tjmax = 175óC
  • Cobrança de recuperação reversa = 14 nC.

3300 Diodo Schottky SiC V/0,3 A SMB (GAP3SLT33-214) Destaques técnicos

  • FV típica = 1.7 V
  • Tjmax = 175óC
  • Cobrança de recuperação reversa = 52 nC.

650 Diodo Schottky V/1 A SMB SiC (GB01SLT06-214) Destaques técnicos

  • FV típica = 1.5 V
  • Tjmax = 175óC
  • Cobrança de recuperação reversa = 7 nC.

Todos os dispositivos são 100% testado para classificações de tensão/corrente completas e alojado em caixa livre de halogênio, PME em conformidade com RoHS (DO-214AA) pacotes. Suporte técnico e modelos de circuito SPICE são oferecidos. Os dispositivos estão imediatamente disponíveis nos Distribuidores Autorizados da GeneSiC.

Sobre a GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. é um líder inovador em alta temperatura, carboneto de silício de alta potência e ultra-alta tensão (SiC) dispositivos, e fornecedor global de uma ampla gama de semicondutores de potência. Seu portfólio de dispositivos inclui retificador baseado em SiC, transistor, e produtos tiristores, bem como produtos retificadores de silício. GeneSiC desenvolveu extensa propriedade intelectual e conhecimento técnico que abrange os mais recentes avanços em dispositivos de energia SiC, com produtos voltados para energias alternativas, automotivo, perfuração de petróleo ole, Controle motor, fonte de energia, transporte, e aplicações de fonte de alimentação ininterrupta. GeneSiC obteve vários contratos de pesquisa e desenvolvimento de agências governamentais dos EUA, incluindo o ARPA-E, Departamento de Energia, Marinha, Exército, DARPA, DTRA, e o Departamento de Segurança Interna, bem como os principais empreiteiros governamentais. Em 2011, a empresa ganhou o prestigioso R&Prêmio D100 pela comercialização de tiristores SiC de ultra-alta tensão.

Para maiores informações, por favor visite http://192.168.88.14/index.php/sic-products/schottky

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Silicon Carbide Schottky Rectifiers extended to 3300 Volt ratings

High Voltage assemblies to benefit from these low capacitance rectifiers offering temperature-independent zero reverse recovery currents in isolated packages

Thief River Falls/Dulles, Virgínia., Posso 28, 2013 — GeneSiC Semiconductor, pioneira e fornecedora global de uma ampla gama de carboneto de silício (SiC) power semiconductors announce the immediate availability of 3300 V/0.3 Ampere SiC Schottky Rectifiers – the GAP3SLT33-220FP. This unique product represents the highest voltage SiC rectifier on the market, and is specifically targeted towards voltage multiplier circuits and high voltage assemblies used in a wide range of X-Ray, Fontes de alimentação para geradores de laser e partículas.3300 V SiC Schottky diode GeneSiC

Contemporary voltage multiplier circuits suffer from low circuit efficiencies and large sizes because the reverse recovery currents from Silicon rectifiers discharge the parallel connected capacitors. Em temperaturas mais altas da junção retificadora, esta situação piora porque a corrente de recuperação reversa nos retificadores de silício aumenta com a temperatura. Com restrições térmicas, conjuntos de alta tensão, as temperaturas das junções aumentam facilmente mesmo quando correntes modestas são passadas. High Voltage SiC rectifiers offer unique characteristics that promises to revolutionize the high voltage assemblies. GeneSiC's 3300 Os retificadores Schottky V/0,3 A apresentam corrente de recuperação reversa zero que não muda com a temperatura. This relatively high voltage in a single device allows a reduction in voltage multiplication stages required in typical high voltage generator circuits, através do uso de tensões de entrada CA mais altas. As características de comutação quase ideais permitem a eliminação/redução dramática de redes de balanceamento de tensão e circuitos amortecedores. The TO-220 Full Pack overmolded isolated package features industry-standard form factor with increased pin spacing in through hole assemblies.3300 V SiC Schottky diode SMB GeneSiC

“This product offering comes from years of sustained efforts at GeneSiC. We believe the 3300 V rating is a key differentiator for the high voltage generator market, e permitirá benefícios significativos aos nossos clientes. Baixo VF do GeneSiC, low capacitance SiC Schottky Rectifiers enables this breakthrough product” disse o Dr.. Ranbir Singh, Presidente da GeneSiC Semiconductor.

3300 V/0.3 A SiC Rectifier Technical Highlights

  • On-state Drop of 1.7 V at 0.3 UMA
  • Positive temperature coefficient on VF
  • Tjmax = 175óC
  • Capacitive charge 52 nC (typical).

Todos os dispositivos são 100% testado para classificações de tensão/corrente completas e alojado em caixa livre de halogênio, RoHS compliant industry-standard TO-220FP (Full Pack) pacotes. The devices are immediately available from GeneSiC’s Authorized Distributor, Digikey.

Sobre a GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. é um líder inovador em alta temperatura, carboneto de silício de alta potência e ultra-alta tensão (SiC) dispositivos, e fornecedor global de uma ampla gama de semicondutores de potência. Seu portfólio de dispositivos inclui retificador baseado em SiC, transistor, e produtos tiristores, bem como produtos retificadores de silício. GeneSiC desenvolveu extensa propriedade intelectual e conhecimento técnico que abrange os mais recentes avanços em dispositivos de energia SiC, com produtos voltados para energias alternativas, automotivo, perfuração de petróleo ole, Controle motor, fonte de energia, transporte, e aplicações de fonte de alimentação ininterrupta. GeneSiC obteve vários contratos de pesquisa e desenvolvimento de agências governamentais dos EUA, incluindo o ARPA-E, Departamento de Energia, Marinha, Exército, DARPA, DTRA, e o Departamento de Segurança Interna, bem como os principais empreiteiros governamentais. Em 2011, a empresa ganhou o prestigioso R&Prêmio D100 pela comercialização de tiristores SiC de ultra-alta tensão.

Para maiores informações, please visit www.genesicsemi.com

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Silicon Carbide Bare Die up to 8000 V Ratings from GeneSiC

High Voltage circuits and assemblies to benefit from SiC chips that offer unprecedented voltage ratings and ultra-high speed switching

Dulles, Virgínia., novembro 7, 2013 — GeneSiC Semiconductor, pioneira e fornecedora global de uma ampla gama de carboneto de silício (SiC) power semiconductors announce the immediate availability of 8000 V SiC PiN Rectifiers; 8000 V SiC Schottky Rectifiers, 3300 V SiC Schottky Rectifiers and 6500 V SiC Thyristors in bare die format. These unique products represents the highest voltage SiC devices on the market, and is specifically targeted towards oil and gas instrumentation, voltage multiplier circuits and high voltage assemblies.

Contemporary ultra-high voltage circuits suffer from low circuit efficiencies and large sizes because the reverse recovery currents from Silicon rectifiers discharge the parallel connected capacitors. Em temperaturas mais altas da junção retificadora, this situation worsens further since the reverse recovery current in Silicon rectifiers increases with temperature. Com restrições térmicas, conjuntos de alta tensão, as temperaturas das junções aumentam facilmente mesmo quando correntes modestas são passadas. High Voltage SiC rectifiers offer unique characteristics that promises to revolutionize the high voltage assemblies. GeneSiC's 8000 V e 3300 V Schottky rectifiers feature zero reverse recovery current that does not change with temperature. This relatively high voltage in a single device allows a reduction in voltage multiplication stages required in typical high voltage generator circuits, através do uso de tensões de entrada CA mais altas. As características de comutação quase ideais permitem a eliminação/redução dramática de redes de balanceamento de tensão e circuitos amortecedores. 8000 V PiN Rectifiers offer higher current levels and higher operating temperatures. 6500 V SiC Thyristor chips are also available to accelerate R&D of new systems.

“These products showcase GeneSiC’s strong lead in the development of SiC chips in the multi-kV ratings. We believe the 8000 V rating goes beyond what Silicon devices can offer at rated temperatures, e permitirá benefícios significativos aos nossos clientes. Baixo VF do GeneSiC, low capacitance SiC Rectifiers and Thyristors will enable system level benefits not possible before” disse o Dr.. Ranbir Singh, Presidente da GeneSiC Semiconductor.

8000 V/2 A SiC Bare Die PiN Rectifier Technical Highlights

  • Tjmax = 210óC
  • Reverse Leakage Currents < 50 uA at 175óC
  • Reverse Recovery Charge 558 nC (typical).

8000 V/50 mA SiC Bare Die Schottky Rectifier Technical Highlights

  • Total Capacitance 25 pF (typical, at -1 V, 25óC).
  • Positive temperature coefficient on VF
  • Tjmax = 175óC

6500 V SiC Thyristor Bare Die Technical Highlights

  • Three offerings – 80 Amperes (GA080TH65-CAU); 60 Amperes (GA060TH65-CAU); e 40 Amperes (GA040TH65-CAU)
  • Tjmax = 200óC

3300 V/0.3 A SiC Bare Die Rectifier Technical Highlights

  • On-state Drop of 1.7 V at 0.3 UMA
  • Positive temperature coefficient on VF
  • Tjmax = 175óC
  • Capacitive charge 52 nC (typical).

Sobre a GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. é um líder inovador em alta temperatura, carboneto de silício de alta potência e ultra-alta tensão (SiC) dispositivos, e fornecedor global de uma ampla gama de semicondutores de potência. Seu portfólio de dispositivos inclui retificador baseado em SiC, transistor, e produtos tiristores, bem como produtos retificadores de silício. GeneSiC desenvolveu extensa propriedade intelectual e conhecimento técnico que abrange os mais recentes avanços em dispositivos de energia SiC, com produtos voltados para energias alternativas, automotivo, perfuração de petróleo ole, Controle motor, fonte de energia, transporte, e aplicações de fonte de alimentação ininterrupta. GeneSiC obteve vários contratos de pesquisa e desenvolvimento de agências governamentais dos EUA, incluindo o ARPA-E, Departamento de Energia, Marinha, Exército, DARPA, DTRA, e o Departamento de Segurança Interna, bem como os principais empreiteiros governamentais. Em 2011, a empresa ganhou o prestigioso R&Prêmio D100 pela comercialização de tiristores SiC de ultra-alta tensão.

Para maiores informações, por favor visite http://192.168.88.14/index.php/hit-sic/baredie

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Hybrid SiC Schottky Rectifier/Si IGBT Modules from GeneSiC enables 175°C operation

Dulles, Virgínia., Março 5, 2013 — GeneSiC Semiconductor, pioneira e fornecedora global de uma ampla gama de carboneto de silício (SiC) power semiconductors today announces the immediate availability of its second generation hybrid mini-modules using 1200 V/100 Amperes SiC Schottky Rectifiers with rugged Silicon IGBTs – the GB100XCP12-227. The performance-price point at which this product is being released allows many power conversion applications to benefit from the reduction of the cost/size/weight/volume that neither Silicon IGBT/ Silicon Rectifier solution, nor a pure SiC Module can offer. These devices are targeted for use in a wide variety of applications including industrial motors, inversores solares, specialized equipment and power grid applications.

SiC Schottky/Si IGBT mini-modules (Co-packs) offered by GeneSiC are made with Si IGBTs that exhibit positive temperature coefficient of on-state drop, robust punchthrough design, high temperature operation and fast switching characteristics that are capable of being driven by commercial, comumente disponível 15 Drivers de portão V IGBT. The SiC rectifiers used in these Co-pack modules allow extremely low inductance packages, low on-state voltage drop and no reverse recovery. The SOT-227 package offers isolated baseplate, 12mm low profile design that can be used very flexibly as a standalone circuit element, high current paralleled configuration, a Phase Leg (two modules), or as a chopper circuit element.

“We listened to our key customers since the initial offering of this product almost 2 years back. This second generation 1200 V/100 A Co-pack product has a low inductance design that is suitable for high frequency, high temperature applications. The poor high temperature and reverse recovery characteristics of Silicon diodes critically limits the use of IGBTs at higher temperatures. Baixo VF do GeneSiC, low capacitance SiC Schottky Diodes enable this breakthrough product” disse o Dr.. Ranbir Singh, Presidente da GeneSiC Semiconductor.

1200 V/100 A Si IGBT/SiC Rectifier Technical Highlights

  • On-state Drop of 1.9 V at 100 UMA
  • Positive temperature coefficient on VF
  • Tjmax = 175°C
  • Turn-On Energy Losses 23 microJoules (typical).

Todos os dispositivos são 100% testado para classificações de tensão/corrente completas e alojado em caixa livre de halogênio, RoHS compliant industry-standard SOT-227 packages. Os dispositivos estão imediatamente disponíveis nos Distribuidores Autorizados da GeneSiC.

Sobre a GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. é um líder inovador em alta temperatura, carboneto de silício de alta potência e ultra-alta tensão (SiC) dispositivos, e fornecedor global de uma ampla gama de semicondutores de potência. Seu portfólio de dispositivos inclui retificador baseado em SiC, transistor, e produtos tiristores, bem como produtos retificadores de silício. GeneSiC desenvolveu extensa propriedade intelectual e conhecimento técnico que abrange os mais recentes avanços em dispositivos de energia SiC, com produtos voltados para energias alternativas, automotivo, perfuração de petróleo ole, Controle motor, fonte de energia, transporte, e aplicações de fonte de alimentação ininterrupta. GeneSiC obteve vários contratos de pesquisa e desenvolvimento de agências governamentais dos EUA, incluindo o ARPA-E, Departamento de Energia, Marinha, Exército, DARPA, DTRA, e o Departamento de Segurança Interna, bem como os principais empreiteiros governamentais. Em 2011, a empresa ganhou o prestigioso R&Prêmio D100 pela comercialização de tiristores SiC de ultra-alta tensão.

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GeneSiC introduces Silicon Carbide Junction Transistors

DULLES, Va., Feb. 25, 2013 /PRNewswire-iReach/ — GeneSiC Semiconductor, pioneira e fornecedora global de uma ampla gama de carboneto de silício (SiC) power semiconductors today announces the immediate availability of a family of 1700V and 1200 V SiC Junction Transistors. Incorporating high voltage, high frequency and high-temperature capable SiC Junction Transistors will increase conversion efficiency and reduce the size/weight/volume of power electronics. These devices are targeted for use in a wide variety of applications including server, fontes de alimentação de telecomunicações e redes, fontes de alimentação ininterruptas, inversores solares, industrial motor control systems, and downhole applications.

Os transistores de junção oferecidos pela GeneSiC exibem capacidade de comutação ultrarrápida, uma área de operação segura com polarização reversa quadrada (RBSOA), bem como perdas de energia transitória independentes de temperatura e tempos de comutação. These switches are gate-oxide free, normally-off, exhibit positive temperature co-efficient of on-resistance, e são capazes de serem conduzidos por empresas, comumente disponível 15 Drivers de portão V IGBT, unlike other SiC switches. Ao oferecer compatibilidade com drivers SiC JFET, Junction Transistors can be easily paralleled because of their matching transient characteristics.

“As power system designers continue to push the limits of operating frequency, while still demanding high circuit efficiencies, the need SiC switches which can offer a standard of performance and production uniformity. Utilizing the unique device and fabrication innovations, GeneSiC’s Transistor products help designers achieve all that in a more robust solution,” disse o Dr.. Ranbir Singh , Presidente da GeneSiC Semiconductor.

1700 V Junction Transistor Technical Highlights

  • Three offerings – 110 mOhms (GA16JT17-247); 250 mOhms (GA08JT17-247); e 500 mOhms (GA04JT17-247)
  • Tjmax = 175°C
  • Turn On/Off Rise/Fall Times <50 nanossegundos típico.

1200 V Junction Transistor Technical Highlights

  • Two offerings – 220 mOhms (GA06JT12-247); e 460 mOhms (GA03JT12-247)
  • Tjmax = 175°C
  • Turn On/Off Rise/Fall Times <50 nanossegundos típico

Todos os dispositivos são 100% testado para classificações de tensão/corrente completas e alojado em caixa livre de halogênio, RoHS compliant TO-247 packages. Os dispositivos estão imediatamente disponíveis nos Distribuidores Autorizados da GeneSiC.

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New Physics Lets Thyristor Reach Higher Level

Aug 30, 2011 – Dulles, VA – New Physics Lets Thyristors Reach Higher Level

An electric power grid supplies reliable power with the help of electronic devices that ensure smooth, reliable power flow. Until now, silicon-based assemblies have been relied upon, but they have been unable to handle the requirements of the smart grid. Wide-band-gap materials such as silicon carbide (SiC) offer a better alternative as they are capable of higher switching speeds, a higher breakdown voltage, lower switching losses, and a higher junction temperature than traditional silicon-based switches. The first such SiC-based device to reach market is the Ultra-high-voltage Silicon Carbide Thyristor (SiC Thyristor), developed by GeneSiC Semiconductor Inc., Dulles, Va., with support from Sandia National Laboratories, Albuquerque, N.M., the U.S. Department of Energy/Electricity Delivery, and the U.S. Army/Armament Research, Development and Engineering Center, Picatinny Arsenal, N.J.

The developers adopted a different operational physics for this device, which operates on minority carrier transportation and an integrated third terminal rectifier, which is one more than other commercial SiC devices. Developers adopted a new fabrication technique that supports ratings above 6,500 V, as well as a new gate-anode design for high-current devices. Capable of performing at temperatures up to 300 C and current at 80 UMA, the SiC Thyristor offers up to 10 times higher voltage, four times higher blocking voltages, e 100 times faster switching frequency than silicon-based thyristors.

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GeneSiC ganha o prestigioso R&D100 Award for SiC Devices in Grid-connected Solar and Wind Energy Applications

DULLES, VA, July 14, 2011 — R&D Magazine has selected GeneSiC Semiconductor Inc. of Dulles, VA as a recipient of the prestigious 2011 R&D 100 Award for the commercialization of Silicon Carbide devices with high voltage ratings.

GeneSiC Semiconductor Inc, a key innovator in the Silicon Carbide based power devices was honored last week with the announcement that it has been awarded the prestigious 2011 R&D 100 Award. This award recognizes GeneSiC for introducing one of the most significant, newly introduced research and development advances among multiple disciplines during 2010. R&D Magazine recognized GeneSiC’s Ultra-High Voltage SiC Thyristor for its ability to achieve blocking voltages and frequencies never utilized before towards power electronics demonstrations. The voltage ratings of >6.5kV, on-state current rating of 80 A and operating frequencies of >5 kHz are much higher than those previously introduced in the marketplace. These capabilities achieved by GeneSiC’s Thyristors critically enable power electronics researchers to develop grid-tied inverters, Flexible

AC Transmission Systems (FACTS) and High Voltage DC Systems (HVDC). This will allow new inventions and product developments within renewable energy, inversores solares, wind power inverters, and energy storage industries. Dr. Ranbir Singh, President of GeneSiC Semiconductor comented “It is anticipated that large-scale markets in solid-state electrical substations and wind turbine generators will open up after researchers in the power conversion arena will fully realize the benefits of SiC Thyristors. These first generation SiC Thyristors utilize the lowest demonstrated on-state voltage drop and differential on-resistances ever achieved in SiC Thyristors. We intend to release future generations of SiC Thyristors optimized for Gate-controlled Turn Off capability and pulsed power capability and >10kV ratings. As we continue to develop high temperature ultra-high voltage packaging solutions, the present 6.5kV Thyristors are packaged in modules with fully soldered contacts, limited to 150oC junction temperatures.” Since this product was launched in October 2010, GeneSiC has booked orders from multiple customers towards demonstration of advanced power electronics hardware using these Silicon Carbide Thyristors. GeneSiC continues to develop its family of Silicon Carbide Thyristor products. o R&D on early version for power conversion applications were developed through SBIR funding support from US Dept. of Energy. More advanced, Pulsed Power optimized SiC Thyristors are being developed under another SBIR contract with ARDEC, US Army. Using these technical developments, internal investment from GeneSiC and commercial orders from multiple customers, GeneSiC was able to offer these UHV Thyristors as commercial products.

The 49th annual technology competition run by R&A D Magazine avaliou entradas de várias empresas e players do setor, organizações de pesquisa e universidades em todo o mundo. Os editores da revista e um painel de especialistas externos atuaram como juízes, avaliando cada entrada em termos de sua importância para o mundo da ciência e da pesquisa.

De acordo com R&Revista D, ganhar um R&D 100 Prêmio fornece uma marca de excelência conhecida pela indústria, governo, e academia como prova de que o produto é uma das ideias mais inovadoras do ano. Este prêmio reconhece a GeneSiC como líder global na criação de produtos baseados em tecnologia que fazem a diferença em como trabalhamos e vivemos.

Sobre o GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC é um inovador emergente rápido na área de dispositivos de energia SiC e tem um forte compromisso com o desenvolvimento de Carbeto de Silício (SiC) dispositivos baseados em: (uma) Dispositivos HV-HF SiC para Rede Elétrica, Poder pulsado e armas de energia dirigida; e (b) Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo. GeneSiC Semiconductor Inc. desenvolve carboneto de silício (SiC) dispositivos semicondutores baseados em alta temperatura, radiação, e aplicações de rede elétrica. Isso inclui o desenvolvimento de retificadores, FETs, dispositivos bipolares, bem como partículas & detectores fotônicos. GeneSiC tem acesso a um amplo conjunto de design de semicondutores, fabricação, instalações de caracterização e teste para tais dispositivos. GeneSiC capitaliza sua competência central em projeto de dispositivos e processos para desenvolver os melhores dispositivos SiC possíveis para seus clientes. A empresa distingue-se por fornecer produtos de alta qualidade e especificamente ajustados às necessidades de cada cliente. GeneSiC tem contratos principais/subcontratados das principais agências governamentais dos EUA, incluindo ARPA-E, Departamento de Energia dos EUA, Marinha, DARPA, Departamento de Segurança Interna, Departamento de Comércio e outros departamentos dentro do Departamento dos EUA. de Defesa. GeneSiC continua a aprimorar rapidamente a infraestrutura de equipamentos e pessoal em sua Dulles, Instalação na Virgínia. A empresa está contratando agressivamente pessoal com experiência na fabricação de dispositivos semicondutores compostos, testes de semicondutores e projetos de detectores. Informações adicionais sobre a empresa e seus produtos podem ser obtidas ligando para GeneSiC em 703-996-8200 ou visitando www.genesicsemi.com.

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GeneSiC Semiconductor Selected to Showcase Technology at 2011ARPA-E Energy Innovation Summit

Feb 28, 2011 – Dulles, VA – GeneSiC Semiconductor is excited to announce its selection for the prestigious Technology Showcase at the ARPA-E Energy Innovation Summit, co-hosted by the Department of Energy’s Advanced Research Projects Agency – Energy (ARPA-E) and the Clean Technology and Sustainable Industries Organization (CTSI). Hundreds of top technologists and cutting-edge clean tech organizations competed to participate in the Showcase, a hallway of America’s most promising prospects for winning the future in energy.

As one of ARPA-E’s selected organizations, GeneSiC Semiconductor will exhibit its Silicon Carbide to nearly 2,000 national leaders gathering to drive long-term American competitiveness in the energy sector, including top researchers, investors, entrepreneurs, corporate executives and government officials. More than 200 groundbreaking technologies from ARPA-E awardees, corporations, National Labs and Department of Energy R&D programs will be featured at the event.

“This Summit brings together organizations that understand the need to collaborate and partner to bring the next generation of energy technologies to market,” said GeneSiC Semiconductor, President, Dr. Ranbir Singh. “It’s a rare and exciting opportunity to have so many key players in the energy community together under one roof and we look forward to sharing our Silicon Carbide Power Devices with other innovators and investors at the Technology Showcase.”

Research and business development teams from 14 Corporate Acceleration Partners committed to technology commercialization will also be present including Dow, Bosch, Applied Materials and Lockheed Martin.

The Summit also features high-profile speakers including U.S. Energy Secretary Steven Chu, ARPA-E Director Arun Majumdar, U.S. Navy Secretary Raymond Mabus, former California Governor Arnold Schwarzenegger and Bank of America Chairman Charles Holliday.

The second annual ARPA-E Energy Innovation Summit will take place February 28 – Março 2, 2011 at the Gaylord Convention Center just outside Washington, D.C. To learn more or to register please visit: www.ct-si.org/events/EnergyInnovation.

Sobre o GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor Inc. develops widebandgap semiconductor devices for high temperature, radiação, e aplicações de rede elétrica. Isso inclui o desenvolvimento de retificadores, power switches and bipolar devices. GeneSiC uses a unique and extensive suite of semiconductor design, fabricação, instalações de caracterização e teste para tais dispositivos. GeneSiC capitaliza sua competência central em projeto de dispositivos e processos para desenvolver os melhores dispositivos SiC possíveis para seus clientes. The company distinguishes itself by providing high quality products for a wide range of high volume markets. GeneSiC tem contratos principais/subcontratados das principais agências governamentais dos EUA, incluindo ARPA-E, Departamento de Energia dos EUA, Marinha, Exército, NASA, DARPA, Departamento de Segurança Interna, Departamento de Comércio e outros departamentos dentro do Departamento dos EUA. de Defesa.

About ARPA-E

The Advanced Research Projects Agency – Energy (ARPA-E) is a new agency within the U.S. Department of Energy – and the first to focus exclusively on breakthrough energy technologies that could radically change the way we use energy. Rather than performing research directly, ARPA-E invests in high-risk, high-reward energy technologies being developed by universities, startups, small businesses, and corporations. Our staff combines industry-leading scientists, engineers, and investment executives to identify promising solutions to the nation’s most critical energy problems and to fast-track top technologies towards the marketplace – which is critical to securing the nation’s global technology leadership and creating new American industries and jobs. Visit www.arpa-e.energy.govfor more information.

About CTSI

The Clean Technology & Sustainable Industries Organization (CTSI), a 501c6 non-profit industry association, represents the organizations developing, commercializing, and implementing energy, water, and environmental technologies. Clean technologies offer much needed solutions to growing resource security and sustainability concerns and are critical to maintaining economic competitiveness. CTSI brings together global leaders for advocacy, community development, networking, and information sharing to help bring these needed technologies to market more rapidly. Visit www.ct-si.org for more information.

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GeneSiC wins power management project from NASA in support of future Venus exploration missions

Dec 14, 2010 – GeneSiC Semiconductor Inc., a key innovator of novel Silicon Carbide (SiC) devices for high temperature, high power, and ultra-high voltage applications, announces selection of its project titled “Integrated SiC Super Junction Transistor-Diode Devices for high-power motor control modules operating at 500 oC” by the US National Aeronautics and Space Administration (NASA) for a Phase I SBIR award. This SBIR project is focused on the development of Monolithic Integrated SiC JBS diode-Super Junction Transistor (MIDSJT) devices for operation under Venus-like ambients (500 °C surface temperatures). The SiC MIDSJT devices developed in this program will be used to construct motor control power modules for direct integration with Venus exploration rovers.

“We are pleased with the confidence expressed by NASA in our high temperature SiC device solutions. This project will enable GeneSiC to develop industry-leading SiC-based power management technologies through its innovative device and packaging solutions” disse o Dr.. Siddarth Sundaresan, GeneSiC’s Director of Technology. “The SiC MIDSJT devices targeted in this program will allow Kilowatt-level power to be handled with digital precision at temperatures as high as 500 °C. In addition to outer space applications, this novel technology has the potential to revolutionize critical aerospace and geothermal oil drilling hardware requiring ambient temperatures in excess of 200 °C. These application areas are currently limited by the poor high-temperature performance of contemporary Silicon and even SiC based device technologies such as JFETs and MOSFETs” he added.

GeneSiC continua a aprimorar rapidamente a infraestrutura de equipamentos e pessoal em sua Dulles, Instalação na Virgínia. A empresa está contratando agressivamente pessoal com experiência na fabricação de dispositivos semicondutores compostos, testes de semicondutores e projetos de detectores. Informações adicionais sobre a empresa e seus produtos podem ser obtidas ligando para GeneSiC em 703-996-8200 ou visitando www.genesicsemi.com.

Sobre o GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. desenvolve carboneto de silício (SiC) dispositivos semicondutores baseados em alta temperatura, radiação, e aplicações de rede elétrica. Isso inclui o desenvolvimento de retificadores, FETs, dispositivos bipolares, bem como partículas & detectores fotônicos. GeneSiC tem acesso a um amplo conjunto de design de semicondutores, fabricação, instalações de caracterização e teste para tais dispositivos. GeneSiC capitaliza sua competência central em projeto de dispositivos e processos para desenvolver os melhores dispositivos SiC possíveis para seus clientes. A empresa distingue-se por fornecer produtos de alta qualidade e especificamente ajustados às necessidades de cada cliente. GeneSiC tem contratos principais/subcontratados das principais agências governamentais dos EUA, incluindo ARPA-E, Departamento de Energia dos EUA, Marinha, DARPA, Departamento de Segurança Interna, Departamento de Comércio e outros departamentos dentro do Departamento dos EUA. de Defesa.

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Multi-kHz, Ultra-High Voltage Silicon Carbide Thyristors sampled to US Researchers

DULLES, VA, novembro. 1, 2010 –In a first of its kind offering, GeneSiC Semiconductor announces the availability of a family of 6.5kV SCR-mode Silicon Carbide Thyristors for use in power electronics for Smart Grid applications. Revolutionary performance advantages of these power devices are expected to spur key innovations in utility-scale power electronics hardware to increase the accessibility and exploitation of Distributed Energy Resources (DER). “Until now, multi-kV Silicon Carbide (SiC) power devices were not openly available to US researchers to fully exploit the well-known advantages– namely 2-10kHz operating frequencies at 5-15kV ratings – of SiC-based power devices.” commented Dr. Ranbir Singh, President of GeneSiC. “GeneSiC has recently completed delivery of many 6.5kV/40A, 6.5kV/60A and 6.5kV/80A Thyristors to multiple customers conducting research in renewable energy, Army and Naval power system applications. SiC devices with these ratings are now being offered more widely.”

Silicon Carbide based Thyristors offer 10X higher voltage, 100X faster switching frequencies and higher temperature operation as compared to conventional Silicon-based Thyristors. Targeted applications research opportunities for these devices include general purpose medium voltage power conversion (MVDC), Grid-tied solar inverters, wind power inverters, pulsed power, weapon systems, ignition control, and trigger control. It is now well established that ultra-high voltage (>10kV) Silicon Carbide (SiC) device technology will play a revolutionary role in the next-generation utility grid. Thyristor-based SiC devices offer the highest on-state performance for >5 kV devices, and are widely applicable towards medium voltage power conversion circuits like Fault-Current Limiters, AC-DC converters, Static VAR compensators and Series Compensators. SiC based Thyristors also offer the best chance of early adoption due to their similarities to conventional power grid elements. Deploying these advanced power semiconductor technologies could provide as much as a 25-30 percent reduction in electricity consumption through increased efficiencies in delivery of electrical power.

Dr. Singh continues “It is anticipated that large-scale markets in solid-state electrical substations and wind turbine generators will open up after researchers in the power conversion arena will fully realize the benefits of SiC Thyristors. These first generation SiC Thyristors utilize the lowest demonstrated on-state voltage drop and differential on-resistances ever achieved in SiC Thyristors. We intend to release future generations of SiC Thyristors optimized for Gate-controlled Turn Off capability and >10kV ratings. As we continue to develop high temperature ultra-high voltage packaging solutions, the present 6.5kV Thyristors are packaged in modules with fully soldered contacts, limited to 150oC junction temperatures.” GeneSiC is a fast emerging innovator in the area of SiC power devices and has a strong commitment to the development of Silicon Carbide (SiC) dispositivos baseados em: (uma) Dispositivos HV-HF SiC para Rede Elétrica, Poder pulsado e armas de energia dirigida; e (b) Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo.

Located near Washington, DC in Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc. é um líder inovador em alta temperatura, high-power and ultra high-voltage silicon carbide (SiC) dispositivos. Current development projects include high-temperature rectifiers, SuperJunction Transistors (SJT) and a wide variety of Thyristor based devices. GeneSiC has or has had prime/sub-contracts from major US Government agencies, including the Department of Energy, Marinha, Exército, DARPA, e o Departamento de Segurança Interna. The company is currently experiencing substantial growth, and hiring qualified personnel in power-device and detector design, fabricação, and testing. To find out more, por favor visite www.genesicsemi.com.