Dulles, Virgínia., Março 5, 2013 — GeneSiC Semiconductor, pioneira e fornecedora global de uma ampla gama de carboneto de silício (SiC) power semiconductors today announces the immediate availability of its second generation hybrid mini-modules using 1200 V/100 Amperes SiC Schottky Rectifiers with rugged Silicon IGBTs – the GB100XCP12-227. The performance-price point at which this product is being released allows many power conversion applications to benefit from the reduction of the cost/size/weight/volume that neither Silicon IGBT/ Silicon Rectifier solution, nor a pure SiC Module can offer. These devices are targeted for use in a wide variety of applications including industrial motors, inversores solares, specialized equipment and power grid applications.
SiC Schottky/Si IGBT mini-modules (Co-packs) offered by GeneSiC are made with Si IGBTs that exhibit positive temperature coefficient of on-state drop, robust punchthrough design, high temperature operation and fast switching characteristics that are capable of being driven by commercial, comumente disponível 15 Drivers de portão V IGBT. The SiC rectifiers used in these Co-pack modules allow extremely low inductance packages, low on-state voltage drop and no reverse recovery. The SOT-227 package offers isolated baseplate, 12mm low profile design that can be used very flexibly as a standalone circuit element, high current paralleled configuration, a Phase Leg (two modules), or as a chopper circuit element.
“We listened to our key customers since the initial offering of this product almost 2 years back. This second generation 1200 V/100 A Co-pack product has a low inductance design that is suitable for high frequency, high temperature applications. The poor high temperature and reverse recovery characteristics of Silicon diodes critically limits the use of IGBTs at higher temperatures. Baixo VF do GeneSiC, low capacitance SiC Schottky Diodes enable this breakthrough product” disse o Dr.. Ranbir Singh, Presidente da GeneSiC Semiconductor.
1200 V/100 A Si IGBT/SiC Rectifier Technical Highlights
- On-state Drop of 1.9 V at 100 UMA
- Positive temperature coefficient on VF
- Tjmax = 175°C
- Turn-On Energy Losses 23 microJoules (typical).
Todos os dispositivos são 100% testado para classificações de tensão/corrente completas e alojado em caixa livre de halogênio, RoHS compliant industry-standard SOT-227 packages. Os dispositivos estão imediatamente disponíveis nos Distribuidores Autorizados da GeneSiC.
Sobre a GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc. é um líder inovador em alta temperatura, carboneto de silício de alta potência e ultra-alta tensão (SiC) dispositivos, e fornecedor global de uma ampla gama de semicondutores de potência. Seu portfólio de dispositivos inclui retificador baseado em SiC, transistor, e produtos tiristores, bem como produtos retificadores de silício. GeneSiC desenvolveu extensa propriedade intelectual e conhecimento técnico que abrange os mais recentes avanços em dispositivos de energia SiC, com produtos voltados para energias alternativas, automotivo, perfuração de petróleo ole, Controle motor, fonte de energia, transporte, e aplicações de fonte de alimentação ininterrupta. GeneSiC obteve vários contratos de pesquisa e desenvolvimento de agências governamentais dos EUA, incluindo o ARPA-E, Departamento de Energia, Marinha, Exército, DARPA, DTRA, e o Departamento de Segurança Interna, bem como os principais empreiteiros governamentais. Em 2011, a empresa ganhou o prestigioso R&Prêmio D100 pela comercialização de tiristores SiC de ultra-alta tensão.
