High Voltage circuits and assemblies to benefit from SiC chips that offer unprecedented voltage ratings and ultra-high speed switching
Dulles, Virgínia., novembro 7, 2013 — GeneSiC Semiconductor, pioneira e fornecedora global de uma ampla gama de carboneto de silício (SiC) power semiconductors announce the immediate availability of 8000 V SiC PiN Rectifiers; 8000 V SiC Schottky Rectifiers, 3300 V SiC Schottky Rectifiers and 6500 V SiC Thyristors in bare die format. These unique products represents the highest voltage SiC devices on the market, and is specifically targeted towards oil and gas instrumentation, voltage multiplier circuits and high voltage assemblies.
Contemporary ultra-high voltage circuits suffer from low circuit efficiencies and large sizes because the reverse recovery currents from Silicon rectifiers discharge the parallel connected capacitors. Em temperaturas mais altas da junção retificadora, this situation worsens further since the reverse recovery current in Silicon rectifiers increases with temperature. Com restrições térmicas, conjuntos de alta tensão, as temperaturas das junções aumentam facilmente mesmo quando correntes modestas são passadas. High Voltage SiC rectifiers offer unique characteristics that promises to revolutionize the high voltage assemblies. GeneSiC's 8000 V e 3300 V Schottky rectifiers feature zero reverse recovery current that does not change with temperature. This relatively high voltage in a single device allows a reduction in voltage multiplication stages required in typical high voltage generator circuits, através do uso de tensões de entrada CA mais altas. As características de comutação quase ideais permitem a eliminação/redução dramática de redes de balanceamento de tensão e circuitos amortecedores. 8000 V PiN Rectifiers offer higher current levels and higher operating temperatures. 6500 V SiC Thyristor chips are also available to accelerate R&D of new systems.
“These products showcase GeneSiC’s strong lead in the development of SiC chips in the multi-kV ratings. We believe the 8000 V rating goes beyond what Silicon devices can offer at rated temperatures, e permitirá benefícios significativos aos nossos clientes. Baixo VF do GeneSiC, low capacitance SiC Rectifiers and Thyristors will enable system level benefits not possible before” disse o Dr.. Ranbir Singh, Presidente da GeneSiC Semiconductor.
8000 V/2 A SiC Bare Die PiN Rectifier Technical Highlights
- Tjmax = 210óC
- Reverse Leakage Currents < 50 uA at 175óC
- Reverse Recovery Charge 558 nC (typical).
8000 V/50 mA SiC Bare Die Schottky Rectifier Technical Highlights
- Total Capacitance 25 pF (typical, at -1 V, 25óC).
- Positive temperature coefficient on VF
- Tjmax = 175óC
6500 V SiC Thyristor Bare Die Technical Highlights
- Three offerings – 80 Amperes (GA080TH65-CAU); 60 Amperes (GA060TH65-CAU); e 40 Amperes (GA040TH65-CAU)
- Tjmax = 200óC
3300 V/0.3 A SiC Bare Die Rectifier Technical Highlights
- On-state Drop of 1.7 V at 0.3 UMA
- Positive temperature coefficient on VF
- Tjmax = 175óC
- Capacitive charge 52 nC (typical).
Sobre a GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc. é um líder inovador em alta temperatura, carboneto de silício de alta potência e ultra-alta tensão (SiC) dispositivos, e fornecedor global de uma ampla gama de semicondutores de potência. Seu portfólio de dispositivos inclui retificador baseado em SiC, transistor, e produtos tiristores, bem como produtos retificadores de silício. GeneSiC desenvolveu extensa propriedade intelectual e conhecimento técnico que abrange os mais recentes avanços em dispositivos de energia SiC, com produtos voltados para energias alternativas, automotivo, perfuração de petróleo ole, Controle motor, fonte de energia, transporte, e aplicações de fonte de alimentação ininterrupta. GeneSiC obteve vários contratos de pesquisa e desenvolvimento de agências governamentais dos EUA, incluindo o ARPA-E, Departamento de Energia, Marinha, Exército, DARPA, DTRA, e o Departamento de Segurança Interna, bem como os principais empreiteiros governamentais. Em 2011, a empresa ganhou o prestigioso R&Prêmio D100 pela comercialização de tiristores SiC de ultra-alta tensão.
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