High Voltage assemblies to benefit from these low capacitance rectifiers offering temperature-independent zero reverse recovery currents in isolated packages
Thief River Falls/Dulles, Virgínia., Posso 28, 2013 — GeneSiC Semiconductor, pioneira e fornecedora global de uma ampla gama de carboneto de silício (SiC) power semiconductors announce the immediate availability of 3300 V/0.3 Ampere SiC Schottky Rectifiers – the GAP3SLT33-220FP. This unique product represents the highest voltage SiC rectifier on the market, and is specifically targeted towards voltage multiplier circuits and high voltage assemblies used in a wide range of X-Ray, Fontes de alimentação para geradores de laser e partículas.
Contemporary voltage multiplier circuits suffer from low circuit efficiencies and large sizes because the reverse recovery currents from Silicon rectifiers discharge the parallel connected capacitors. Em temperaturas mais altas da junção retificadora, esta situação piora porque a corrente de recuperação reversa nos retificadores de silício aumenta com a temperatura. Com restrições térmicas, conjuntos de alta tensão, as temperaturas das junções aumentam facilmente mesmo quando correntes modestas são passadas. High Voltage SiC rectifiers offer unique characteristics that promises to revolutionize the high voltage assemblies. GeneSiC's 3300 Os retificadores Schottky V/0,3 A apresentam corrente de recuperação reversa zero que não muda com a temperatura. This relatively high voltage in a single device allows a reduction in voltage multiplication stages required in typical high voltage generator circuits, através do uso de tensões de entrada CA mais altas. As características de comutação quase ideais permitem a eliminação/redução dramática de redes de balanceamento de tensão e circuitos amortecedores. The TO-220 Full Pack overmolded isolated package features industry-standard form factor with increased pin spacing in through hole assemblies.
“This product offering comes from years of sustained efforts at GeneSiC. We believe the 3300 V rating is a key differentiator for the high voltage generator market, e permitirá benefícios significativos aos nossos clientes. Baixo VF do GeneSiC, low capacitance SiC Schottky Rectifiers enables this breakthrough product” disse o Dr.. Ranbir Singh, Presidente da GeneSiC Semiconductor.
3300 V/0.3 A SiC Rectifier Technical Highlights
- On-state Drop of 1.7 V at 0.3 UMA
- Positive temperature coefficient on VF
- Tjmax = 175óC
- Capacitive charge 52 nC (typical).
Todos os dispositivos são 100% testado para classificações de tensão/corrente completas e alojado em caixa livre de halogênio, RoHS compliant industry-standard TO-220FP (Full Pack) pacotes. The devices are immediately available from GeneSiC’s Authorized Distributor, Digikey.
Sobre a GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc. é um líder inovador em alta temperatura, carboneto de silício de alta potência e ultra-alta tensão (SiC) dispositivos, e fornecedor global de uma ampla gama de semicondutores de potência. Seu portfólio de dispositivos inclui retificador baseado em SiC, transistor, e produtos tiristores, bem como produtos retificadores de silício. GeneSiC desenvolveu extensa propriedade intelectual e conhecimento técnico que abrange os mais recentes avanços em dispositivos de energia SiC, com produtos voltados para energias alternativas, automotivo, perfuração de petróleo ole, Controle motor, fonte de energia, transporte, e aplicações de fonte de alimentação ininterrupta. GeneSiC obteve vários contratos de pesquisa e desenvolvimento de agências governamentais dos EUA, incluindo o ARPA-E, Departamento de Energia, Marinha, Exército, DARPA, DTRA, e o Departamento de Segurança Interna, bem como os principais empreiteiros governamentais. Em 2011, a empresa ganhou o prestigioso R&Prêmio D100 pela comercialização de tiristores SiC de ultra-alta tensão.
Para maiores informações, please visit www.genesicsemi.com
