DULLES, Va., Feb. 25, 2013 /PRNewswire-iReach/ — GeneSiC Semiconductor, pioneira e fornecedora global de uma ampla gama de carboneto de silício (SiC) power semiconductors today announces the immediate availability of a family of 1700V and 1200 V SiC Junction Transistors. Incorporating high voltage, high frequency and high-temperature capable SiC Junction Transistors will increase conversion efficiency and reduce the size/weight/volume of power electronics. These devices are targeted for use in a wide variety of applications including server, fontes de alimentação de telecomunicações e redes, fontes de alimentação ininterruptas, inversores solares, industrial motor control systems, and downhole applications.
Os transistores de junção oferecidos pela GeneSiC exibem capacidade de comutação ultrarrápida, uma área de operação segura com polarização reversa quadrada (RBSOA), bem como perdas de energia transitória independentes de temperatura e tempos de comutação. These switches are gate-oxide free, normally-off, exhibit positive temperature co-efficient of on-resistance, e são capazes de serem conduzidos por empresas, comumente disponível 15 Drivers de portão V IGBT, unlike other SiC switches. Ao oferecer compatibilidade com drivers SiC JFET, Junction Transistors can be easily paralleled because of their matching transient characteristics.
“As power system designers continue to push the limits of operating frequency, while still demanding high circuit efficiencies, the need SiC switches which can offer a standard of performance and production uniformity. Utilizing the unique device and fabrication innovations, GeneSiC’s Transistor products help designers achieve all that in a more robust solution,” disse o Dr.. Ranbir Singh , Presidente da GeneSiC Semiconductor.
1700 V Junction Transistor Technical Highlights
- Three offerings – 110 mOhms (GA16JT17-247); 250 mOhms (GA08JT17-247); e 500 mOhms (GA04JT17-247)
- Tjmax = 175°C
- Turn On/Off Rise/Fall Times <50 nanossegundos típico.
1200 V Junction Transistor Technical Highlights
- Two offerings – 220 mOhms (GA06JT12-247); e 460 mOhms (GA03JT12-247)
- Tjmax = 175°C
- Turn On/Off Rise/Fall Times <50 nanossegundos típico
Todos os dispositivos são 100% testado para classificações de tensão/corrente completas e alojado em caixa livre de halogênio, RoHS compliant TO-247 packages. Os dispositivos estão imediatamente disponíveis nos Distribuidores Autorizados da GeneSiC.
