Nuremberg, Germany May 12, 2016 — GeneSiC Semiconductor’s President was interviewed by Alix Paultre of Power Systems Design (http://www.powersystemsdesign.com/psdcast-ranbir-singh-of-genesic-on-their-latest-silicon-carbide-tech/67) at the PCIM show in Nuremberg, Portene til Spania.
DULLES, VA, Kan 13, 2015 — GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) krafthalvledere kunngjør i dag den umiddelbare tilgjengeligheten av 20 mOhm-1200 V SiC Junction Transistor-diodes i en isolert, 4-Blyholdig minimodulemballasje som muliggjør ekstremt lave energitap ved start samtidig som den tilbyr fleksibel, modulære design i høyfrekvente kraftomformere. Bruk av høy frekvens, SiC-transistorer og likerettere med høy spenning og lav motstand vil redusere størrelsen/vekten/volumet til elektronikkapplikasjoner som krever høyere effekthåndtering ved høye driftsfrekvenser. Disse enhetene er målrettet for bruk i en lang rekke bruksområder, inkludert induksjonsvarmer, plasma generatorer, hurtigladere, DC-DC omformere, og byttet modus strømforsyninger.
1200 V/20 mOhm silisiumkarbidforbindelsestransistorlikeretter-sampakket i en isolert SOT-227-pakke som gir separat portkilde og synkekapasitet
Sampakkede SiC Junction-transistorer (SJT)-SiC-likerettere som tilbys av GeneSiC er unikt anvendelige for induktive svitsjeapplikasjoner fordi SJT-er er de eneste bredbåndssvitsjtilbudene >10 microsec repeterende kortslutningsevne, selv kl 80% av merkespenningene (f.eks. 960 V for a 1200 V enhet). I tillegg til stignings-/falltidene under 10 nsec og et firkantet, omvendt forspent trygt operasjonsområde (RBSOA), Gate Return-terminalen i den nye konfigurasjonen forbedrer muligheten til å redusere svitsjeenergiene betydelig. Denne nye klassen av produkter tilbyr forbigående energitap og koblingstider som er uavhengige av overgangstemperaturen. SiC Junction Transistorer fra GeneSiC er gate-oksidfrie, normalt av, viser positiv temperaturkoeffisient for på-motstand, og er i stand til å drives ved lave portspenninger, i motsetning til andre SiC-svitsjer.
SiC Schottky Likerettere som brukes i disse minimodulene viser lave spenningsfall i tilstanden, gode overspenningsstrømklassifiseringer og industriens laveste lekkasjestrøm ved høye temperaturer. Med temperaturuavhengig, nesten null omvendt gjenopprettingssvitsjekarakteristikk, SiC Schottky-likerettere er ideelle kandidater for bruk i høyeffektive kretser.
“GeneSiCs SiC-transistor- og likeretterprodukter er designet og produsert for å realisere lave på-tilstand og svitsjetap. En kombinasjon av disse teknologiene i en innovativ pakke lover eksemplarisk ytelse i strømkretser som krever bredbåndsbaserte enheter. Minimodulemballasjen tilbyr stor designfleksibilitet for bruk i en rekke strømkretser som H-Bridge, Flyback og multi-level invertere” sa Dr. Ranbir Singh, President for GeneSiC Semiconductor.
Produkt utgitt i dag inkluderer
20 mOhm/1200 V SiC Junction transistor/likeretter Co-pack (GA50SICP12-227):
• Isolert SOT-227/miniblokk/Isotop-pakke
• Transistorstrømforsterkning (hFE) >100
• Tjmax = 175oC (begrenset av emballasje)
• Slå på/av; Tider for stigning/fall <10 nanosekunder typisk.
Alle enheter er 100% testet til full spenning/strøm. Enhetene er umiddelbart tilgjengelige fra GeneSiCs Autoriserte distributører.
For mer informasjon, besøk gjerne: http://192.168.88.14/kommersiell-sic/sic-modules-copack/
GeneSiC Semiconductor Inc.. er en ledende innovatør innen høytemperatur, høyeffekt og ultrahøyspent silisiumkarbid (SiC) enheter, og global leverandør av et bredt spekter av krafthalvledere. Dens portefølje av enheter inkluderer SiC-basert likeretter, transistor, og tyristorprodukter, samt silisiumdiodemoduler. GeneSiC har utviklet omfattende åndsverk og teknisk kunnskap som omfatter de siste fremskrittene innen SiC-kraftenheter, med produkter rettet mot alternativ energi, bilindustrien, nedihulls oljeboring, Motor kontroll, strømforsyning, transport, og avbruddsfri strømforsyning. I 2011, selskapet vant den prestisjetunge R&D100-pris for kommersialisering av ultrahøyspent SiC-tyristorer.
DULLES, VA, mars 9, 2015 — GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) power semiconductors today announces the immediate availability of a line of compact, high temperature SiC Junction Transistors as well as a line of rectifiers in TO-46 metal can packages. These discrete components are designed and manufactured to operate under ambient temperatures of greater than 215oC. The use of high temperature, high voltage and low on-resistance capable SiC Transistors and Rectifiers will reduce the size/weight/volume of electronics applications requiring higher power handling at elevated temperatures. These devices are targeted for use in a wide variety of applications including a wide variety of downhole circuits, geothermal instrumentation, solenoid actuation, general purpose amplification, og byttet modus strømforsyninger.
High Temperature SiC Junction Transistors (SJT) offered by GeneSiC exhibit sub-10 nsec rise/falls times enabling >10 MHz switching as well as a square reverse biased safe operation area (RBSOA). The transient energy losses and switching times are independent of junction temperature. Disse bryterne er gate-oksidfrie, normalt av, viser positiv temperaturkoeffisient for på-motstand, and are capable of being driven by 0/+5 V TTL gate drivers, i motsetning til andre SiC-svitsjer. Unique advantages of the SJT in contrast to other SiC switches is its higher long term reliability, >20 usec short circuit capability, and superior avalanche capability. These devices can be used as efficient amplifiers as they promise a much higher linearity than any other SiC switch.
High Temperature SiC Schottky Rectifiers being offered by GeneSiC show low on-state voltage drops, and industry’s lowest leakage currents at elevated temperatures. Med temperaturuavhengig, nesten null omvendt gjenopprettingssvitsjekarakteristikk, SiC Schottky rectifiers are ideal candidates for use in high efficiency, high temperature circuits. The TO-46 metal can packages as well as the associated packaging processes used to create these products critically enable long term use where high reliability is critical.
“GeneSiC’s Transistor and Rectifier products are designed and manufactured from the grounds up to enable high temperature operation. These compact TO-46 packaged SJTs offer high current gains (>110), 0/+5 V TTL control, and robust performance. These devices offer low conduction losses and high linearity. We design our “SHT” line of rectifiers, to offer low leakage currents at high temperatures. These metal can packaged products augment our TO-257 and metal SMD products released last year to offer small form factor, vibration resistant solutions” sa Dr. Ranbir Singh, President for GeneSiC Semiconductor.
Products released today include:
240 mOhm SiC Junction Transistors:
Up to 4 Ampere High Temperature Schottky diodes:
Alle enheter er 100% tested to full voltage/current ratings and housed in metal can TO-46 packages. The devices are immediately available from GeneSiC’s Authorized Distributors.
GeneSiC Semiconductor Inc.. er en ledende innovatør innen høytemperatur, høyeffekt og ultrahøyspent silisiumkarbid (SiC) enheter, og global leverandør av et bredt spekter av krafthalvledere. Dens portefølje av enheter inkluderer SiC-basert likeretter, transistor, og tyristorprodukter, samt silisiumdiodemoduler. GeneSiC har utviklet omfattende åndsverk og teknisk kunnskap som omfatter de siste fremskrittene innen SiC-kraftenheter, med produkter rettet mot alternativ energi, bilindustrien, nedihulls oljeboring, Motor kontroll, strømforsyning, transport, og avbruddsfri strømforsyning. I 2011, selskapet vant den prestisjetunge R&D100-pris for kommersialisering av ultrahøyspent SiC-tyristorer.
For mer informasjon, besøk gjerne http://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; og http://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.
DULLES, V.A., nov 19, 2014 — GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) power semiconductors today announces the immediate availability of Gate Driver evaluation board and has expanded its design support for the industry’s lowest loss switches – the SiC Junction Transistor (SJT) – with a fully-qualified LTSPICE IV model. Using the new Gate Driver Board, power conversion circuit designers can verify the benefits of sub-15 nanosecond, temperature independent switching characteristics of SiC Junction Transistors, with low driver power losses. Incorporating the new SPICE models, circuit designers can easily evaluate the benefits GeneSiC’s SJTs provide for achieving a higher level of efficiency than is possible with conventional silicon power switching devices for comparably-rated devices.
Gate Driver Board GA03IDDJT30-FR4 applicable towards SJTs from GeneSiC
SiC Junction Transistors have significantly different characteristics than other SiC Transistor technologies, as well as Silicon Transistors. Gate Driver boards that can provide low power losses while still offering high switching speeds were needed to provide drive solutions for utilizing the benefits of SiC Junction Transistors. GeneSiC’s fully isolated GA03IDDJT30-FR4 Gate driver board takes in 0/12V and a TTL signal to optimally condition the voltage/current waveforms required to provide small rise/fall times, while still minimizing the continuous current requirement for keeping the Normally-OFF SJT conducting during the on-state. The pin configuration and form factors are kept similar to other SiC transistors. GeneSiC has also released Gerber files and BOMs to end-user to enable them to incorporate the benefits of the driver design innovations realized.
SJTs offer well-behaved on-state and switching characteristics, making it easy to create behavior based SPICE models that agree remarkably well with the underlying physics based models as well. Using well-established and understood physics-based models, SPICE parameters were released after extensive testing with device behavior. GeneSiC’s SPICE models are compared to the experimentally measured data on all device datasheets and are applicable to all 1200 V og 1700 V SiC Junction Transistors released.
GeneSiC’s SJTs are capable of delivering switching frequencies that are more than 15 times higher than IGBT-based solutions. Their higher switching frequencies can enable smaller magnetic and capacitive elements, thereby shrinking the overall size, weight and cost of power electronics systems.
This SiC Junction Transistor SPICE model adds to GeneSiC’s comprehensive suite of design support tools, technical documentation, and reliability information to provide power electronics engineers with the design resources necessary to implement GeneSiC’s comprehensive family of SiC Junction Transistors and Rectifiers into the next generation of power systems.
GeneSiC’s Gate Driver Board datasheets and SJT SPICE models can be downloaded from http://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/
SiC switches offering lowest conduction losses and superior short circuit capability released for High Frequency Power Circuits
Dulles, Virginia., okt 28, 2014 — GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) power semiconductors today announces the immediate availability of a family of low on-resistance 1700V and 1200 V SiC Junction Transistors in TO-247 packages. The use of high voltage, high frequency, high temperature and low on-resistance capable SiC Junction Transistors will increase conversion efficiency and reduce the size/weight/volume of power electronics applications requiring higher bus voltages. These devices are targeted for use in a wide variety of applications including DC microgrids, Vehicle Fast chargers, server, strømforsyninger for telekom og nettverk, avbruddsfri strømforsyning, solcelleomformere, Wind power systems, and industrial motor control systems.
SiC Junction Transistors (SJT) offered by GeneSiC exhibit ultra-fast switching capability (similar to that of SiC MOSFETs), et firkantet omvendt forspent trygt operasjonsområde (RBSOA), samt temperaturuavhengige forbigående energitap og koblingstider. Disse bryterne er gate-oksidfrie, normalt av, viser positiv temperaturkoeffisient for på-motstand, and are capable of being driven by commercially gate drivers, i motsetning til andre SiC-svitsjer. Unique advantages of the SJT in contrast to other SiC switches is its higher long term reliability, >10 usec short circuit capability, and superior avalanche capability
“These improved SJTs offer much higher current gains (>100), highly stable and robust performance as compared to other SiC switches. GeneSiC’s SJTs offer extremely low conduction losses at rated currents as superior turn-off losses in power circuits. Bruker den unike enheten og fabrikasjonsinnovasjonene, GeneSiC’s Transistor products help designers achieve a more robust solution,” sa Dr. Ranbir Singh, President for GeneSiC Semiconductor.
1700 V SiC Junction Transistor released
1200 V SiC Junction Transistor released
Alle enheter er 100% testet til full spenning/strøm og plassert i halogenfri, RoHS-kompatible TO-247-pakker. Enhetene er umiddelbart tilgjengelige fra GeneSiCs autoriserte distributører.
For mer informasjon, besøk http://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/
GeneSiC has a wide portfolio of products available right now worldwide from top distributors
Bare Die Chip form of SiC devices available Directly from factory (please fill the form below)
Discrete SJTs og Rectifiers in Commercial temperature ratings (175° C)
Discrete HiT SJTs and HiT Rectifiers in High Temperature (up to 250° C)
GeneSiC offers the widest variety of SiC products – in packaged products as well as bare-die format to allow greater design flexibility and innovation. GeneSiC is continuously striving to stay ahead by introducing new, innovative products. If you don’t see the exact product you are looking for today, you may see it in the near future.
The promise of high temperature in SiC Transistors realized through compatible industry-standard packages will critically enhance downhole and aerospace actuators and power supplies
Dulles, Virginia., des 10, 2013 — GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) power semiconductors today announces the immediate availability through its distributors and directly a family high temperature packaged 600 V SiC Junction Transistorer (SJT) in the 3-50 Amperes current ratings in JEDEC industry-standard through hole and surface mount packages. Incorporating these high temperature, low on-resistance, high frequency SiC Transistors in hermetic packages, high temperature solders and encapsulation will increase conversion efficiency and reduce the size/weight/volume of high temperature power conversion applications.
Contemporary high temperature power supply, motor control and actuator circuits used in oil/gas/downhole and aerospace applications suffer from lack of availability of a viable high temperature Silicon Carbide solution. Silicon transistors suffer from low circuit efficiencies and large sizes because they suffer from high leakage currents and low poor switching characteristics. Both these parameters become worse at higher junction temperatures. With thermally constraint environments, overgangstemperaturer stiger ganske lett selv når beskjedne strømmer passeres. Hermetically packaged SiC transistors offer unique characteristics that promise to revolutionize the capability of downhole and aerospace applications. GeneSiC 650 V/3-50 A SiC Junction Transistors feature near zero switching times that does not change with temperature. De 210oC junction temperature-rated devices offer relatively large temperature margins for applications that are operating under extreme environments.
Junction Transistorer som tilbys av GeneSiC viser ultrarask svitsjingsevne, et firkantet omvendt forspent trygt operasjonsområde (RBSOA), samt temperaturuavhengige forbigående energitap og koblingstider. Disse bryterne er gate-oksidfrie, normalt av, viser positiv temperaturkoeffisient for på-motstand, og er i stand til å drives av kommersielle, vanlig tilgjengelig 15 V IGBT-portdrivere, i motsetning til andre SiC-svitsjer. Samtidig som den tilbyr kompatibilitet med SiC JFET-drivere, SiC Junction Transistors can be easily paralleled because of their matching transient characteristics.
“As downhole and aerospace application designers continue to push the limits of operating frequency, mens de fortsatt krever høy kretseffektivitet, they need SiC switches which can offer a standard of performance, reliability and production uniformity. Bruker den unike enheten og fabrikasjonsinnovasjonene, GeneSiC’s SJT products help designers achieve all that in a more robust solution. These products complement the hermetic packaged SiC rectifier released last year by GeneSiC, and the bare die products released earlier this year, while paving the way for us to offer high temperature, low-inductance, power modules in the near future ” sa Dr. Ranbir Singh, President for GeneSiC Semiconductor.
Isolated TO-257 with 600 V SJTs:
Non-Isolated TO-258 Prototype package with 600 SJTs
Surface Mount TO-276 (SMD0.5) with 600 SJTs
Alle enheter er 100% tested to full voltage/current ratings and housed in hermetic packages. Teknisk støtte og SPICE-kretsmodeller tilbys. The devices are immediately available from GeneSiC Directly and/or through its Authorized Distributors.
Om GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc.. er en ledende innovatør innen høytemperatur, høyeffekt og ultrahøyspent silisiumkarbid (SiC) enheter, og global leverandør av et bredt spekter av krafthalvledere. Dens portefølje av enheter inkluderer SiC-basert likeretter, transistor, og tyristorprodukter, samt silisium likeretterprodukter. GeneSiC har utviklet omfattende åndsverk og teknisk kunnskap som omfatter de siste fremskrittene innen SiC-kraftenheter, med produkter rettet mot alternativ energi, bilindustrien, ned ole oljeboring, Motor kontroll, strømforsyning, transport, og avbruddsfri strømforsyning. GeneSiC har oppnådd en rekke forsknings- og utviklingskontrakter fra amerikanske myndigheter, inkludert ARPA-E, Energidepartementet, marinen, Hæren, DARPA, DTRA, og Department of Homeland Security, samt store statlige hovedentreprenører. I 2011, selskapet vant den prestisjetunge R&D100-pris for kommersialisering av ultrahøyspent SiC-tyristorer.
For mer informasjon, besøk gjerne http://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt
Dulles, Virginia., nov 19, 2013 — GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) krafthalvledere kunngjør i dag den umiddelbare tilgjengeligheten av en familie med industristandard SMB (JEDEC DO-214AA) pakket SiC Likerettere i 650 – 3300 V rekkevidde. Inkorporerer disse høyspenningene, reverseringsfri, høyfrekvente og høytemperaturkompatible SiC-dioder vil øke konverteringseffektiviteten og redusere størrelsen/vekten/volum av multi-kV-enheter. Disse produktene er rettet mot mikrosolar-invertere så vel som spenningsmultiplikatorkretser som brukes i et bredt spekter av røntgenstråler, Laser og partikkelgenerator strømforsyninger.
Moderne mikrosolenergi-omformere og spenningsmultiplikatorkretser kan lide av lav kretseffektivitet og store størrelser fordi de omvendte gjenvinningsstrømmene fra silisium-likerettere. Ved høyere likeretterkrysstemperaturer, denne situasjonen blir verre fordi den omvendte gjenvinningsstrømmen i silisiumlikerettere øker med temperaturen. Med termiske begrensninger høyspenningsenheter, overgangstemperaturer stiger ganske lett selv når beskjedne strømmer passeres. Høyspente SiC-likerettere tilbyr unike egenskaper som lover å revolusjonere mikro-solenergi-omformere og høyspenningsenheter. GeneSiC 650 V/1 A; 1200 V/2 A og 3300 V/0.3 A Schottky-likerettere har null reverseringsstrøm som ikke endres med temperaturen. De 3300 V-klassifiserte enheter tilbyr relativt høy spenning i en enkelt enhet tillater en reduksjon i spenningsmultiplikasjonstrinn som kreves i typiske høyspenningsgeneratorkretser, ved bruk av høyere AC-inngangsspenninger. De nesten ideelle svitsjekarakteristikkene tillater eliminering/dramatisk reduksjon av spenningsbalanserende nettverk og snubberkretser. SMB (DO-214AA) overstøpt pakke har industristandard formfaktor for overflatemontering.
"Disse produkttilbudene kommer fra år med vedvarende utviklingsinnsats hos GeneSiC mot å tilby overbevisende enheter og pakker. Vi tror at SMB-formfaktoren er en nøkkeldifferensiator for Micro Solar Inverter og Voltage Multiplier-markedet, og vil gi betydelige fordeler for våre kunder. GeneSiCs lave VF, SiC Schottky-likerettere med lav kapasitans og forbedrede SMB-pakker muliggjør dette banebrytende produktet” sa Dr. Ranbir Singh, President for GeneSiC Semiconductor.
1200 V/2 A SMB SiC Schottky Diode (GB02SLT12-214) Tekniske høydepunkter
3300 V/0.3 A SMB SiC Schottky Diode (GAP3SLT33-214) Tekniske høydepunkter
650 V/1 A SMB SiC Schottky Diode (GB01SLT06-214) Tekniske høydepunkter
Alle enheter er 100% testet til full spenning/strøm og plassert i halogenfri, RoHS-kompatibel SMB (DO-214AA) pakker. Teknisk støtte og SPICE-kretsmodeller tilbys. Enhetene er umiddelbart tilgjengelige fra GeneSiCs autoriserte distributører.
Om GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc.. er en ledende innovatør innen høytemperatur, høyeffekt og ultrahøyspent silisiumkarbid (SiC) enheter, og global leverandør av et bredt spekter av krafthalvledere. Dens portefølje av enheter inkluderer SiC-basert likeretter, transistor, og tyristorprodukter, samt silisium likeretterprodukter. GeneSiC har utviklet omfattende åndsverk og teknisk kunnskap som omfatter de siste fremskrittene innen SiC-kraftenheter, med produkter rettet mot alternativ energi, bilindustrien, ned ole oljeboring, Motor kontroll, strømforsyning, transport, og avbruddsfri strømforsyning. GeneSiC har oppnådd en rekke forsknings- og utviklingskontrakter fra amerikanske myndigheter, inkludert ARPA-E, Energidepartementet, marinen, Hæren, DARPA, DTRA, og Department of Homeland Security, samt store statlige hovedentreprenører. I 2011, selskapet vant den prestisjetunge R&D100-pris for kommersialisering av ultrahøyspent SiC-tyristorer.
For mer informasjon, besøk http://192.168.88.14/index.php/sic-products/schottky
Thief River Falls/Dulles, Virginia., Kan 28, 2013 — GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) krafthalvledere kunngjør den umiddelbare tilgjengeligheten av 3300 V/0,3 Ampere SiC Schottky Likerettere – GAP3SLT33-220FP. Dette unike produktet representerer den høyeste spenningen SiC-likeretteren på markedet, og er spesifikt rettet mot spenningsmultiplikatorkretser og høyspentenheter brukt i et bredt spekter av røntgenstråler, Laser og partikkelgenerator strømforsyninger.
Moderne spenningsmultiplikatorkretser lider av lav kretseffektivitet og store størrelser fordi de omvendte gjenvinningsstrømmene fra silisiumlikerettere utlader de parallellkoblede kondensatorene. Ved høyere likeretterkrysstemperaturer, denne situasjonen blir verre fordi den omvendte gjenvinningsstrømmen i silisiumlikerettere øker med temperaturen. Med termiske begrensninger høyspenningsenheter, overgangstemperaturer stiger ganske lett selv når beskjedne strømmer passeres. Høyspente SiC-likerettere tilbyr unike egenskaper som lover å revolusjonere høyspenningsenhetene. GeneSiC 3300 V/0.3 A Schottky-likerettere har null reverseringsstrøm som ikke endres med temperaturen. Denne relativt høye spenningen i en enkelt enhet tillater en reduksjon i spenningsmultiplikasjonstrinn som kreves i typiske høyspentgeneratorkretser, ved bruk av høyere AC-inngangsspenninger. De nesten ideelle svitsjekarakteristikkene tillater eliminering/dramatisk reduksjon av spenningsbalanserende nettverk og snubberkretser. TO-220 Full Pack overstøpt isolert pakke har industristandard formfaktor med økt pinneavstand i gjennomgående hullsammenstillinger.
"Dette produkttilbudet kommer fra mange års vedvarende innsats hos GeneSiC. Vi tror på 3300 V-vurdering er en nøkkeldifferensiator for høyspenningsgeneratormarkedet, og vil gi betydelige fordeler for våre kunder. GeneSiCs lave VF, low capacitance SiC Schottky Rectifiers enables this breakthrough product” sa Dr. Ranbir Singh, President for GeneSiC Semiconductor.
3300 V/0.3 A SiC Rectifier Technical Highlights
Alle enheter er 100% testet til full spenning/strøm og plassert i halogenfri, RoHS compliant industry-standard TO-220FP (Full Pack) pakker. The devices are immediately available from GeneSiC’s Authorized Distributor, Digikey.
Om GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc.. er en ledende innovatør innen høytemperatur, høyeffekt og ultrahøyspent silisiumkarbid (SiC) enheter, og global leverandør av et bredt spekter av krafthalvledere. Dens portefølje av enheter inkluderer SiC-basert likeretter, transistor, og tyristorprodukter, samt silisium likeretterprodukter. GeneSiC har utviklet omfattende åndsverk og teknisk kunnskap som omfatter de siste fremskrittene innen SiC-kraftenheter, med produkter rettet mot alternativ energi, bilindustrien, ned ole oljeboring, Motor kontroll, strømforsyning, transport, og avbruddsfri strømforsyning. GeneSiC har oppnådd en rekke forsknings- og utviklingskontrakter fra amerikanske myndigheter, inkludert ARPA-E, Energidepartementet, marinen, Hæren, DARPA, DTRA, og Department of Homeland Security, samt store statlige hovedentreprenører. I 2011, selskapet vant den prestisjetunge R&D100-pris for kommersialisering av ultrahøyspent SiC-tyristorer.
For mer informasjon, please visit www.genesicsemi.com
Dulles, Virginia., nov 7, 2013 — GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) krafthalvledere kunngjør den umiddelbare tilgjengeligheten av 8000 V SiC PiN Rectifiers; 8000 V SiC Schottky Rectifiers, 3300 V SiC Schottky Rectifiers and 6500 V SiC Thyristors in bare die format. These unique products represents the highest voltage SiC devices on the market, and is specifically targeted towards oil and gas instrumentation, spenningsmultiplikatorkretser og høyspentenheter.
Moderne ultrahøyspentkretser lider av lav kretseffektivitet og store størrelser fordi de omvendte gjenvinningsstrømmene fra silisiumlikerettere utlader de parallellkoblede kondensatorene. Ved høyere likeretterkrysstemperaturer, denne situasjonen forverres ytterligere siden den omvendte gjenvinningsstrømmen i silisiumlikerettere øker med temperaturen. Med termiske begrensninger høyspenningsenheter, overgangstemperaturer stiger ganske lett selv når beskjedne strømmer passeres. Høyspente SiC-likerettere tilbyr unike egenskaper som lover å revolusjonere høyspenningsenhetene. GeneSiC 8000 V og 3300 V Schottky-likerettere har null reverseringsstrøm som ikke endres med temperaturen. Denne relativt høye spenningen i en enkelt enhet tillater en reduksjon i spenningsmultiplikasjonstrinn som kreves i typiske høyspentgeneratorkretser, ved bruk av høyere AC-inngangsspenninger. De nesten ideelle svitsjekarakteristikkene tillater eliminering/dramatisk reduksjon av spenningsbalanserende nettverk og snubberkretser. 8000 V PiN Likerettere tilbyr høyere strømnivåer og høyere driftstemperaturer. 6500 V SiC Thyristor-brikker er også tilgjengelige for å akselerere R&D av nye systemer.
"Disse produktene viser frem GeneSiCs sterke ledelse i utviklingen av SiC-brikker i multi-kV-klassifiseringer. Vi tror på 8000 V-vurdering går utover det Silicon-enheter kan tilby ved nominelle temperaturer, og vil gi betydelige fordeler for våre kunder. GeneSiCs lave VF, SiC-likrettere og tyristorer med lav kapasitans vil muliggjøre fordeler på systemnivå som ikke var mulig før” sa Dr. Ranbir Singh, President for GeneSiC Semiconductor.
8000 V/2 A SiC Bare Die PiN Rectifier Tekniske høydepunkter
8000 V/50 mA SiC Bare Die Schottky Rectifier Tekniske høydepunkter
6500 V SiC Thyristor Bare Die Tekniske høydepunkter
3300 V/0.3 A SiC Bare Die Rectifier Tekniske høydepunkter
Om GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc.. er en ledende innovatør innen høytemperatur, høyeffekt og ultrahøyspent silisiumkarbid (SiC) enheter, og global leverandør av et bredt spekter av krafthalvledere. Dens portefølje av enheter inkluderer SiC-basert likeretter, transistor, og tyristorprodukter, samt silisium likeretterprodukter. GeneSiC har utviklet omfattende åndsverk og teknisk kunnskap som omfatter de siste fremskrittene innen SiC-kraftenheter, med produkter rettet mot alternativ energi, bilindustrien, ned ole oljeboring, Motor kontroll, strømforsyning, transport, og avbruddsfri strømforsyning. GeneSiC har oppnådd en rekke forsknings- og utviklingskontrakter fra amerikanske myndigheter, inkludert ARPA-E, Energidepartementet, marinen, Hæren, DARPA, DTRA, og Department of Homeland Security, samt store statlige hovedentreprenører. I 2011, selskapet vant den prestisjetunge R&D100-pris for kommersialisering av ultrahøyspent SiC-tyristorer.
For mer informasjon, besøk gjerne http://192.168.88.14/index.php/hit-sic/baredie
