postet på

GeneSiC vinner den prestisjetunge R&D100 Award for SiC-Based Monolithic Transistor-Rectifier Switch

DULLES, VA, desember 5, 2019 — R&D Magazine har valgt GeneSiC Semiconductor Inc. av Dulles, VA som mottaker av det prestisjetunge 2019 R&D 100 Award for development of SiC-Based Monolithic Transistor-Rectifier Switch.

GeneSiC Semiconductor Inc., a key innovator in the Silicon Carbide based power devices was honored with the announcement that it has been awarded the prestigious 2019 R&D 100 Tildele. Denne prisen anerkjenner GeneSiC for å introdusere en av de mest betydningsfulle, nylig introduserte forskning og utvikling fremskritt blant flere disipliner i løpet av 2018. R&D Magazine recognized GeneSiC’s medium voltage SiC power device technology for its ability to monolithically integrate MOSFET and Schottky rectifier on a single chip. These capabilities achieved by GeneSiC’s device critically enable power electronics researchers to develop next-generation power electronic systems like inverters and DC-DC converters. This will allow product developments within electric vehicles, charging infrastructure, renewable energy and energy storage industries. GeneSiC has booked orders from multiple customers towards demonstration of advanced power electronics hardware using these devices and continues to develop its family of Silicon Carbide MOSFET products. R&D on early version for power conversion applications were developed through US Dept. of Energy and collaboration with Sandia National Laboratories.

The annual technology competition run by R&D Magazine vurderte bidrag fra ulike selskaper og bransjeaktører, research organizations and universities around the world. The magazine’s editors and a panel of outside experts served as judges, evaluating each entry in terms of its importance to the world of science and research.

According to R&D Magazine, winning an R&D 100 Award provides a mark of excellence known to industry, government, and academia as proof that the product is one of the most innovative ideas of the year. This award recognizes GeneSiC as a global leader in the creation of technology-based products that make a difference in how we work and live.

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC er en raskt voksende innovatør innen SiC-kraftenheter og har et sterkt engasjement for utviklingen av silisiumkarbid (SiC) baserte enheter for: (Portene til Spania) HV-HF SiC enheter for Power Grid, Pulserende kraft og rettet energivåpen; og (b) Høytemperatur SiC-kraftenheter for flyaktuatorer og oljeleting. GeneSiC Semiconductor Inc.. utvikler silisiumkarbid (SiC) baserte halvlederenheter for høy temperatur, stråling, og strømnettapplikasjoner. Dette inkluderer utvikling av likerettere, FET-er, bipolare enheter så vel som partikler & fotoniske detektorer. GeneSiC har tilgang til en omfattende serie med halvlederdesign, fabrikasjon, karakterisering og testing av slike enheter. GeneSiC utnytter sin kjernekompetanse innen enhets- og prosessdesign for å utvikle best mulig SiC-enheter for sine kunder. Selskapet utmerker seg ved å tilby produkter av høy kvalitet som er spesifikt tilpasset hver kundes krav. GeneSiC har hoved-/underkontrakter fra store amerikanske myndigheter, inkludert ARPA-E, USAs energidepartement, marinen, DARPA, Avdeling for Heimevernet, Dept of Commerce og andre avdelinger i US Dept. av forsvaret. GeneSiC fortsetter raskt å forbedre utstyret og personellinfrastrukturen på sine Dulles, Virginia-anlegget. Selskapet ansetter aggressivt personell med erfaring i fremstilling av sammensatte halvlederenheter, halvledertesting og detektordesign. Ytterligere informasjon om selskapet og dets produkter kan fås ved å ringe GeneSiC på 703-996-8200 eller ved å besøkewww.genesicsemi.com.

postet på

Høystrøm kapabel 650V, 1200V- og 1700V SiC Schottky MPS™-dioder i minimodul SOT-227-pakke

DULLES, VA, Kan 11, 2019 — GeneSiC blir en markedsleder innen høystrømskapasitet (100 A og 200 EN) SiC schottky-dioder i SOT-227 minimodul

GeneSiC har introdusert GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227 og GC2X100MPS06-227; bransjens høyest gjeldende 650V og 1700V SiC schottky dioder, legger til den eksisterende 1200V SiC schottky diode minimodulporteføljen – GB2X50MPS12-227 og GB2X100MPS12-227. Disse SiC-diodene erstatter silisiumbaserte ultraraske utvinningsdioder, som gjør det mulig for ingeniører å bygge svitsjekretser med større effektivitet og høyere effekttetthet. Søknadene forventes å inkludere hurtigladere for elektriske kjøretøy, motordrifter, strømforsyninger til transport, høy strømretting og industrielle strømforsyninger.

I tillegg til den isolerte bunnplaten til SOT-227 minimodulpakken, disse nylig utgitte diodene har lavt spenningsfall fremover, null fremadrettet utvinning, null omvendt gjenoppretting, lav koblingskapasitans og er klassifisert for en maksimal driftstemperatur på 175°C. GeneSiCs tredje generasjon SiC schottky-diodeteknologi gir bransjeledende skredstyrke og overspenningsstrøm (Ifsm) robusthet, kombinert med høykvalitets bilkvalifisert 6-tommers fabrikasjon og avansert diskret monteringsteknologi med høy pålitelighet.

Disse SiC-diodene er pin-kompatible direkte erstatninger til andre dioder tilgjengelig i SOT-227 (mini-modul) pakke. Dra nytte av deres lavere effekttap (kjøligere drift) og høyfrekvenssvitsjingsevne, designere kan nå oppnå større konverteringseffektivitet og større strømtetthet i design.

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC er en raskt voksende innovatør innen SiC-kraftenheter og har et sterkt engasjement for utviklingen av silisiumkarbid (SiC) baserte enheter for: (Portene til Spania) HV-HF SiC enheter for Power Grid, Pulserende kraft og rettet energivåpen; og (b) Høytemperatur SiC-kraftenheter for flyaktuatorer og oljeleting. GeneSiC Semiconductor Inc.. utvikler silisiumkarbid (SiC) baserte halvlederenheter for høy temperatur, stråling, og strømnettapplikasjoner. Dette inkluderer utvikling av likerettere, FET-er, bipolare enheter så vel som partikler & fotoniske detektorer. GeneSiC har tilgang til en omfattende serie med halvlederdesign, fabrikasjon, karakterisering og testing av slike enheter. GeneSiC utnytter sin kjernekompetanse innen enhets- og prosessdesign for å utvikle best mulig SiC-enheter for sine kunder. Selskapet utmerker seg ved å tilby produkter av høy kvalitet som er spesifikt tilpasset hver kundes krav. GeneSiC har hoved-/underkontrakter fra store amerikanske myndigheter, inkludert ARPA-E, USAs energidepartement, marinen, DARPA, Avdeling for Heimevernet, Dept of Commerce og andre avdelinger i US Dept. av forsvaret. GeneSiC fortsetter raskt å forbedre utstyret og personellinfrastrukturen på sine Dulles, Virginia-anlegget. Selskapet ansetter aggressivt personell med erfaring i fremstilling av sammensatte halvlederenheter, halvledertesting og detektordesign. Ytterligere informasjon om selskapet og dets produkter kan fås ved å ringe GeneSiC på 703-996-8200 eller ved å besøkewww.genesicsemi.com.

postet på

GeneSiC lanserer bransjens beste 1700V SiC Schottky MPS™ dioder

DULLES, VA, januar 7, 2019 — GeneSiC lanserer en omfattende portefølje av sin tredje generasjon 1700V SiC Schottky MPS™ dioder i TO-247-2 pakke

GeneSiC har introdusert GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 og GB50MPS17-247; bransjens beste 1700V SiC-dioder tilgjengelig i den populære TO-247-2 gjennomhullspakken. Disse 1700V SiC-diodene erstatter silisiumbaserte ultraraske utvinningsdioder og andre gamle generasjons 1700V SiC JBS, som gjør det mulig for ingeniører å bygge svitsjekretser med større effektivitet og høyere effekttetthet. Søknadene forventes å inkludere hurtigladere for elektriske kjøretøy, motordrifter, transportkraft og fornybar energi.

GB50MPS17-247 er en 1700V 50A SiC fusjonert-PiN-schottky-diode, bransjens høyest gjeldende diskrete SiC-strømdiode. Disse nylig utgitte diodene har lavt spenningsfall fremover, null fremadrettet utvinning, null omvendt gjenoppretting, lav koblingskapasitans og er klassifisert for en maksimal driftstemperatur på 175°C. GeneSiCs tredje generasjon SiC schottky-diodeteknologi gir bransjeledende skredstyrke og overspenningsstrøm (Ifsm) robusthet, kombinert med høykvalitets bilkvalifisert 6-tommers støperi og avansert diskret monteringsteknologi med høy pålitelighet.

Disse SiC-diodene er pin-kompatible direkte erstatninger til andre dioder tilgjengelig i TO-247-2-pakken. Dra nytte av deres lavere effekttap (kjøligere drift) og høyfrekvenssvitsjingsevne, designere kan nå oppnå større konverteringseffektivitet og større strømtetthet i design.

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC er en raskt voksende innovatør innen SiC-kraftenheter og har et sterkt engasjement for utviklingen av silisiumkarbid (SiC) baserte enheter for: (Portene til Spania) HV-HF SiC enheter for Power Grid, Pulserende kraft og rettet energivåpen; og (b) Høytemperatur SiC-kraftenheter for flyaktuatorer og oljeleting. GeneSiC Semiconductor Inc.. utvikler silisiumkarbid (SiC) baserte halvlederenheter for høy temperatur, stråling, og strømnettapplikasjoner. Dette inkluderer utvikling av likerettere, FET-er, bipolare enheter så vel som partikler & fotoniske detektorer. GeneSiC har tilgang til en omfattende serie med halvlederdesign, fabrikasjon, karakterisering og testing av slike enheter. GeneSiC utnytter sin kjernekompetanse innen enhets- og prosessdesign for å utvikle best mulig SiC-enheter for sine kunder. Selskapet utmerker seg ved å tilby produkter av høy kvalitet som er spesifikt tilpasset hver kundes krav. GeneSiC har hoved-/underkontrakter fra store amerikanske myndigheter, inkludert ARPA-E, USAs energidepartement, marinen, DARPA, Avdeling for Heimevernet, Dept of Commerce og andre avdelinger i US Dept. av forsvaret. GeneSiC fortsetter raskt å forbedre utstyret og personellinfrastrukturen på sine Dulles, Virginia-anlegget. Selskapet ansetter aggressivt personell med erfaring i fremstilling av sammensatte halvlederenheter, halvledertesting og detektordesign. Ytterligere informasjon om selskapet og dets produkter kan fås ved å ringe GeneSiC på 703-996-8200 eller ved å besøkewww.genesicsemi.com.

postet på

All-Silicon Carbide Junction Transistor-Diodes tilbys i en 4 Blyført minimodul

Sampakket SiC Transistor-Diode kombinasjon i en robust, isolert, 4-Blyført, minimodulemballasje reduserer energitap ved innkobling og muliggjør fleksible kretsdesign for høyfrekvente strømomformere

DULLES, VA, Kan 13, 2015 — GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) krafthalvledere kunngjør i dag den umiddelbare tilgjengeligheten av 20 mOhm-1200 V SiC Junction Transistor-diodes i en isolert, 4-Blyholdig minimodulemballasje som muliggjør ekstremt lave energitap ved start samtidig som den tilbyr fleksibel, modulære design i høyfrekvente kraftomformere. Bruk av høy frekvens, SiC-transistorer og likerettere med høy spenning og lav motstand vil redusere størrelsen/vekten/volumet til elektronikkapplikasjoner som krever høyere effekthåndtering ved høye driftsfrekvenser. Disse enhetene er målrettet for bruk i en lang rekke bruksområder, inkludert induksjonsvarmer, plasma generatorer, hurtigladere, DC-DC omformere, og byttet modus strømforsyninger.

Silisiumkarbidforbindelsestransistor Co-pack likeretter SOT-227 Isotop

1200 V/20 mOhm silisiumkarbidforbindelsestransistorlikeretter-sampakket i en isolert SOT-227-pakke som gir separat portkilde og synkekapasitet

Sampakkede SiC Junction-transistorer (SJT)-SiC-likerettere som tilbys av GeneSiC er unikt anvendelige for induktive svitsjeapplikasjoner fordi SJT-er er de eneste bredbåndssvitsjtilbudene >10 microsec repeterende kortslutningsevne, selv kl 80% av merkespenningene (f.eks. 960 V for a 1200 V enhet). I tillegg til stignings-/falltidene under 10 nsec og et firkantet, omvendt forspent trygt operasjonsområde (RBSOA), Gate Return-terminalen i den nye konfigurasjonen forbedrer muligheten til å redusere svitsjeenergiene betydelig. Denne nye klassen av produkter tilbyr forbigående energitap og koblingstider som er uavhengige av overgangstemperaturen. SiC Junction Transistorer fra GeneSiC er gate-oksidfrie, normalt av, viser positiv temperaturkoeffisient for på-motstand, og er i stand til å drives ved lave portspenninger, i motsetning til andre SiC-svitsjer.
SiC Schottky Likerettere som brukes i disse minimodulene viser lave spenningsfall i tilstanden, gode overspenningsstrømklassifiseringer og industriens laveste lekkasjestrøm ved høye temperaturer. Med temperaturuavhengig, nesten null omvendt gjenopprettingssvitsjekarakteristikk, SiC Schottky-likerettere er ideelle kandidater for bruk i høyeffektive kretser.
“GeneSiCs SiC-transistor- og likeretterprodukter er designet og produsert for å realisere lave på-tilstand og svitsjetap. En kombinasjon av disse teknologiene i en innovativ pakke lover eksemplarisk ytelse i strømkretser som krever bredbåndsbaserte enheter. Minimodulemballasjen tilbyr stor designfleksibilitet for bruk i en rekke strømkretser som H-Bridge, Flyback og multi-level invertere” sa Dr. Ranbir Singh, President for GeneSiC Semiconductor.
Produkt utgitt i dag inkluderer
20 mOhm/1200 V SiC Junction transistor/likeretter Co-pack (GA50SICP12-227):
• Isolert SOT-227/miniblokk/Isotop-pakke
• Transistorstrømforsterkning (hFE) >100
• Tjmax = 175oC (begrenset av emballasje)
• Slå på/av; Tider for stigning/fall <10 nanosekunder typisk.

Alle enheter er 100% testet til full spenning/strøm. Enhetene er umiddelbart tilgjengelige fra GeneSiCs Autoriserte distributører.

For mer informasjon, besøk gjerne: http://192.168.88.14/kommersiell-sic/sic-modules-copack/

Om GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. er en ledende innovatør innen høytemperatur, høyeffekt og ultrahøyspent silisiumkarbid (SiC) enheter, og global leverandør av et bredt spekter av krafthalvledere. Dens portefølje av enheter inkluderer SiC-basert likeretter, transistor, og tyristorprodukter, samt silisiumdiodemoduler. GeneSiC har utviklet omfattende åndsverk og teknisk kunnskap som omfatter de siste fremskrittene innen SiC-kraftenheter, med produkter rettet mot alternativ energi, bilindustrien, nedihulls oljeboring, Motor kontroll, strømforsyning, transport, og avbruddsfri strømforsyning. I 2011, selskapet vant den prestisjetunge R&D100-pris for kommersialisering av ultrahøyspent SiC-tyristorer.

postet på

General Purpose High Temperature SiC Transistors and Rectifiers Offered at Low Cost

High Temperature (>210oC) Junction Transistors and Rectifiers in small form factor metal can packages offer revolutionary performance benefits to a variety of applications including amplification, low noise circuitry and downhole actuator controls

DULLES, VA, mars 9, 2015 — GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) power semiconductors today announces the immediate availability of a line of compact, high temperature SiC Junction Transistors as well as a line of rectifiers in TO-46 metal can packages. These discrete components are designed and manufactured to operate under ambient temperatures of greater than 215oC. The use of high temperature, high voltage and low on-resistance capable SiC Transistors and Rectifiers will reduce the size/weight/volume of electronics applications requiring higher power handling at elevated temperatures. These devices are targeted for use in a wide variety of applications including a wide variety of downhole circuits, geothermal instrumentation, solenoid actuation, general purpose amplification, og byttet modus strømforsyninger.

High Temperature SiC Junction Transistors (SJT) offered by GeneSiC exhibit sub-10 nsec rise/falls times enabling >10 MHz switching as well as a square reverse biased safe operation area (RBSOA). The transient energy losses and switching times are independent of junction temperature. Disse bryterne er gate-oksidfrie, normalt av, viser positiv temperaturkoeffisient for på-motstand, and are capable of being driven by 0/+5 V TTL gate drivers, i motsetning til andre SiC-svitsjer. Unique advantages of the SJT in contrast to other SiC switches is its higher long term reliability, >20 usec short circuit capability, and superior avalanche capability. These devices can be used as efficient amplifiers as they promise a much higher linearity than any other SiC switch.

High Temperature SiC Schottky Rectifiers being offered by GeneSiC show low on-state voltage drops, and industry’s lowest leakage currents at elevated temperatures. Med temperaturuavhengig, nesten null omvendt gjenopprettingssvitsjekarakteristikk, SiC Schottky rectifiers are ideal candidates for use in high efficiency, high temperature circuits. The TO-46 metal can packages as well as the associated packaging processes used to create these products critically enable long term use where high reliability is critical.

“GeneSiC’s Transistor and Rectifier products are designed and manufactured from the grounds up to enable high temperature operation. These compact TO-46 packaged SJTs offer high current gains (>110), 0/+5 V TTL control, and robust performance. These devices offer low conduction losses and high linearity. We design our “SHT” line of rectifiers, to offer low leakage currents at high temperatures. These metal can packaged products augment our TO-257 and metal SMD products released last year to offer small form factor, vibration resistant solutions” sa Dr. Ranbir Singh, President for GeneSiC Semiconductor.

Products released today include:TO-46 SiC Transistor Diodes

240 mOhm SiC Junction Transistors:

  • 300 V blocking voltage. Part number GA05JT03-46
  • 100 V blocking voltage. Part number GA05JT01-46
  • Current Gain (hFE) >110
  • Tjmax = 210oC
  • Turn On/Off; Tider for stigning/fall <10 nanosekunder typisk.

Up to 4 Ampere High Temperature Schottky diodes:

  • 600 V blocking voltage. Part number GB02SHT06-46
  • 300 V blocking voltage. Part number GB02SHT03-46
  • 100 V blocking voltage. Part number GB02SHT01-46
  • Total capacitive charge 9 nC
  • Tjmax = 210oC.

Alle enheter er 100% tested to full voltage/current ratings and housed in metal can TO-46 packages. The devices are immediately available from GeneSiC’s Authorized Distributors.

Om GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. er en ledende innovatør innen høytemperatur, høyeffekt og ultrahøyspent silisiumkarbid (SiC) enheter, og global leverandør av et bredt spekter av krafthalvledere. Dens portefølje av enheter inkluderer SiC-basert likeretter, transistor, og tyristorprodukter, samt silisiumdiodemoduler. GeneSiC har utviklet omfattende åndsverk og teknisk kunnskap som omfatter de siste fremskrittene innen SiC-kraftenheter, med produkter rettet mot alternativ energi, bilindustrien, nedihulls oljeboring, Motor kontroll, strømforsyning, transport, og avbruddsfri strømforsyning. I 2011, selskapet vant den prestisjetunge R&D100-pris for kommersialisering av ultrahøyspent SiC-tyristorer.

For mer informasjon, besøk gjerne http://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; og http://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.

postet på

Gate Driver Board and SPICE Models for Silicon Carbide Junction Transistors (SJT) Released

Gate Driver Board optimized for high switching speeds and behavior-based models enable power electronic design engineers to verify and quantify benefits of SJTs in board-level evaluation and circuit simulation

DULLES, V.A., nov 19, 2014 — GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) power semiconductors today announces the immediate availability of Gate Driver evaluation board and has expanded its design support for the industry’s lowest loss switches – the SiC Junction Transistor (SJT) – with a fully-qualified LTSPICE IV model. Using the new Gate Driver Board, power conversion circuit designers can verify the benefits of sub-15 nanosecond, temperature independent switching characteristics of SiC Junction Transistors, with low driver power losses. Incorporating the new SPICE models, circuit designers can easily evaluate the benefits GeneSiC’s SJTs provide for achieving a higher level of efficiency than is possible with conventional silicon power switching devices for comparably-rated devices.

GA03IDDJT30-FR4_image

Gate Driver Board GA03IDDJT30-FR4 applicable towards SJTs from GeneSiC

SiC Junction Transistors have significantly different characteristics than other SiC Transistor technologies, as well as Silicon Transistors. Gate Driver boards that can provide low power losses while still offering high switching speeds were needed to provide drive solutions for utilizing the benefits of SiC Junction Transistors. GeneSiC’s fully isolated GA03IDDJT30-FR4 Gate driver board takes in 0/12V and a TTL signal to optimally condition the voltage/current waveforms required to provide small rise/fall times, while still minimizing the continuous current requirement for keeping the Normally-OFF SJT conducting during the on-state. The pin configuration and form factors are kept similar to other SiC transistors. GeneSiC has also released Gerber files and BOMs to end-user to enable them to incorporate the benefits of the driver design innovations realized.

SJTs offer well-behaved on-state and switching characteristics, making it easy to create behavior based SPICE models that agree remarkably well with the underlying physics based models as well. Using well-established and understood physics-based models, SPICE parameters were released after extensive testing with device behavior. GeneSiC’s SPICE models are compared to the experimentally measured data on all device datasheets and are applicable to all 1200 V og 1700 V SiC Junction Transistors released.
GeneSiC’s SJTs are capable of delivering switching frequencies that are more than 15 times higher than IGBT-based solutions. Their higher switching frequencies can enable smaller magnetic and capacitive elements, thereby shrinking the overall size, weight and cost of power electronics systems.

This SiC Junction Transistor SPICE model adds to GeneSiC’s comprehensive suite of design support tools, technical documentation, and reliability information to provide power electronics engineers with the design resources necessary to implement GeneSiC’s comprehensive family of SiC Junction Transistors and Rectifiers into the next generation of power systems.

GeneSiC’s Gate Driver Board datasheets and SJT SPICE models can be downloaded from http://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/

postet på

GeneSiC Releases 25 mOhm/1700 V Silicon Carbide Transistors

SiC switches offering lowest conduction losses and superior short circuit capability released for High Frequency Power Circuits

Dulles, Virginia., okt 28, 2014 — GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) power semiconductors today announces the immediate availability of a family of low on-resistance 1700V and 1200 V SiC Junction Transistors in TO-247 packages. The use of high voltage, high frequency, high temperature and low on-resistance capable SiC Junction Transistors will increase conversion efficiency and reduce the size/weight/volume of power electronics applications requiring higher bus voltages. These devices are targeted for use in a wide variety of applications including DC microgrids, Vehicle Fast chargers, server, strømforsyninger for telekom og nettverk, avbruddsfri strømforsyning, solcelleomformere, Wind power systems, and industrial motor control systems.1410 28 GA50JT17-247

SiC Junction Transistors (SJT) offered by GeneSiC exhibit ultra-fast switching capability (similar to that of SiC MOSFETs), et firkantet omvendt forspent trygt operasjonsområde (RBSOA), samt temperaturuavhengige forbigående energitap og koblingstider. Disse bryterne er gate-oksidfrie, normalt av, viser positiv temperaturkoeffisient for på-motstand, and are capable of being driven by commercially gate drivers, i motsetning til andre SiC-svitsjer. Unique advantages of the SJT in contrast to other SiC switches is its higher long term reliability, >10 usec short circuit capability, and superior avalanche capability

“These improved SJTs offer much higher current gains (>100), highly stable and robust performance as compared to other SiC switches. GeneSiC’s SJTs offer extremely low conduction losses at rated currents as superior turn-off losses in power circuits. Bruker den unike enheten og fabrikasjonsinnovasjonene, GeneSiC’s Transistor products help designers achieve a more robust solution,” sa Dr. Ranbir Singh, President for GeneSiC Semiconductor.

1700 V SiC Junction Transistor released

1200 V SiC Junction Transistor released

Alle enheter er 100% testet til full spenning/strøm og plassert i halogenfri, RoHS-kompatible TO-247-pakker. Enhetene er umiddelbart tilgjengelige fra GeneSiCs autoriserte distributører.

For mer informasjon, besøk http://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/

postet på

GeneSiC Supports Google/IEEE’s Little Box Challenge

GeneSiC’s SiC Transistor and Rectifiers offer significant advantages towards achieving the goals of the Little Box Challenge

State-Of-the Art. Silicon Carbide Power Transistors & Rectifiers. Available. Now!

GeneSiC has a wide portfolio of products available right now worldwide from top distributors

Bare Die Chip form of SiC devices available Directly from factory (please fill the form below)

Discrete SJTs og Rectifiers in Commercial temperature ratings (175° C)

Discrete HiT SJTs and HiT Rectifiers in High Temperature (up to 250° C)

GeneSiC offers the widest variety of SiC products – in packaged products as well as bare-die format to allow greater design flexibility and innovation. GeneSiC is continuously striving to stay ahead by introducing new, innovative products. If you don’t see the exact product you are looking for today, you may see it in the near future.

postet på

High Temperature (210 C) SiC Junction Transistors offered in hermetic packages

The promise of high temperature in SiC Transistors realized through compatible industry-standard packages will critically enhance downhole and aerospace actuators and power supplies

Dulles, Virginia., des 10, 2013 — GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) power semiconductors today announces the immediate availability through its distributors and directly a family high temperature packaged 600 V SiC Junction Transistorer (SJT) in the 3-50 Amperes current ratings in JEDEC industry-standard through hole and surface mount packages. Incorporating these high temperature, low on-resistance, high frequency SiC Transistors in hermetic packages, high temperature solders and encapsulation will increase conversion efficiency and reduce the size/weight/volume of high temperature power conversion applications.HiT_Schottky

Contemporary high temperature power supply, motor control and actuator circuits used in oil/gas/downhole and aerospace applications suffer from lack of availability of a viable high temperature Silicon Carbide solution. Silicon transistors suffer from low circuit efficiencies and large sizes because they suffer from high leakage currents and low poor switching characteristics. Both these parameters become worse at higher junction temperatures. With thermally constraint environments, overgangstemperaturer stiger ganske lett selv når beskjedne strømmer passeres. Hermetically packaged SiC transistors offer unique characteristics that promise to revolutionize the capability of downhole and aerospace applications. GeneSiC 650 V/3-50 A SiC Junction Transistors feature near zero switching times that does not change with temperature. De 210oC junction temperature-rated devices offer relatively large temperature margins for applications that are operating under extreme environments.

Junction Transistorer som tilbys av GeneSiC viser ultrarask svitsjingsevne, et firkantet omvendt forspent trygt operasjonsområde (RBSOA), samt temperaturuavhengige forbigående energitap og koblingstider. Disse bryterne er gate-oksidfrie, normalt av, viser positiv temperaturkoeffisient for på-motstand, og er i stand til å drives av kommersielle, vanlig tilgjengelig 15 V IGBT-portdrivere, i motsetning til andre SiC-svitsjer. Samtidig som den tilbyr kompatibilitet med SiC JFET-drivere, SiC Junction Transistors can be easily paralleled because of their matching transient characteristics.

“As downhole and aerospace application designers continue to push the limits of operating frequency, mens de fortsatt krever høy kretseffektivitet, they need SiC switches which can offer a standard of performance, reliability and production uniformity. Bruker den unike enheten og fabrikasjonsinnovasjonene, GeneSiC’s SJT products help designers achieve all that in a more robust solution. These products complement the hermetic packaged SiC rectifier released last year by GeneSiC, and the bare die products released earlier this year, while paving the way for us to offer high temperature, low-inductance, power modules in the near future ” sa Dr. Ranbir Singh, President for GeneSiC Semiconductor.

Isolated TO-257 with 600 V SJTs:

  • 65 mOhms/20 Amp (2N7639-GA); 170 mOhms/8 Amp (2N7637-GA); og 425 mOhms/4 Amp (2N7635-GA)
  • Tjmax = 210oC
  • Turn On/Off; Tider for stigning/fall <50 nanosekunder typisk.
  • Corresponding Bare Die GA20JT06-CAL (in 2N7639-GA); GA10JT06-CAL (in 2N7637-GA); and GA05JT06-CAL (in 2N7635-GA)

Non-Isolated TO-258 Prototype package with 600 SJTs

  • 25 mOhms/50 Amp (GA50JT06-258 prototype package)
  • Tjmax = 210oC
  • Turn On/Off; Tider for stigning/fall <50 nanosekunder typisk.
  • Corresponding Bare Die GA50JT06-CAL (in GA50JT06-258)

Surface Mount TO-276 (SMD0.5) with 600 SJTs

  • 65 mOhms/20 Amp (2N7640-GA); 170 mOhms/8 Amp (2N7638-GA); og 425 mOhms/4 Amp (2N7636-GA)
  • Tjmax = 210oC
  • Turn On/Off; Tider for stigning/fall <50 nanosekunder typisk.

Alle enheter er 100% tested to full voltage/current ratings and housed in hermetic packages. Teknisk støtte og SPICE-kretsmodeller tilbys. The devices are immediately available from GeneSiC Directly and/or through its Authorized Distributors.

Om GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. er en ledende innovatør innen høytemperatur, høyeffekt og ultrahøyspent silisiumkarbid (SiC) enheter, og global leverandør av et bredt spekter av krafthalvledere. Dens portefølje av enheter inkluderer SiC-basert likeretter, transistor, og tyristorprodukter, samt silisium likeretterprodukter. GeneSiC har utviklet omfattende åndsverk og teknisk kunnskap som omfatter de siste fremskrittene innen SiC-kraftenheter, med produkter rettet mot alternativ energi, bilindustrien, ned ole oljeboring, Motor kontroll, strømforsyning, transport, og avbruddsfri strømforsyning. GeneSiC har oppnådd en rekke forsknings- og utviklingskontrakter fra amerikanske myndigheter, inkludert ARPA-E, Energidepartementet, marinen, Hæren, DARPA, DTRA, og Department of Homeland Security, samt store statlige hovedentreprenører. I 2011, selskapet vant den prestisjetunge R&D100-pris for kommersialisering av ultrahøyspent SiC-tyristorer.

For mer informasjon, besøk gjerne http://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt