postet på av Redaktør0

High Temperature (210 C) SiC Junction Transistors offered in hermetic packages

The promise of high temperature in SiC Transistors realized through compatible industry-standard packages will critically enhance downhole and aerospace actuators and power supplies

Dulles, Virginia., des 10, 2013 — GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) power semiconductors today announces the immediate availability through its distributors and directly a family high temperature packaged 600 V SiC Junction Transistorer (SJT) in the 3-50 Amperes current ratings in JEDEC industry-standard through hole and surface mount packages. Incorporating these high temperature, low on-resistance, high frequency SiC Transistors in hermetic packages, high temperature solders and encapsulation will increase conversion efficiency and reduce the size/weight/volume of high temperature power conversion applications.HiT_Schottky

Contemporary high temperature power supply, motor control and actuator circuits used in oil/gas/downhole and aerospace applications suffer from lack of availability of a viable high temperature Silicon Carbide solution. Silicon transistors suffer from low circuit efficiencies and large sizes because they suffer from high leakage currents and low poor switching characteristics. Both these parameters become worse at higher junction temperatures. With thermally constraint environments, overgangstemperaturer stiger ganske lett selv når beskjedne strømmer passeres. Hermetically packaged SiC transistors offer unique characteristics that promise to revolutionize the capability of downhole and aerospace applications. GeneSiC 650 V/3-50 A SiC Junction Transistors feature near zero switching times that does not change with temperature. De 210oC junction temperature-rated devices offer relatively large temperature margins for applications that are operating under extreme environments.

Junction Transistorer som tilbys av GeneSiC viser ultrarask svitsjingsevne, et firkantet omvendt forspent trygt operasjonsområde (RBSOA), samt temperaturuavhengige forbigående energitap og koblingstider. Disse bryterne er gate-oksidfrie, normalt av, viser positiv temperaturkoeffisient for på-motstand, og er i stand til å drives av kommersielle, vanlig tilgjengelig 15 V IGBT-portdrivere, i motsetning til andre SiC-svitsjer. Samtidig som den tilbyr kompatibilitet med SiC JFET-drivere, SiC Junction Transistors can be easily paralleled because of their matching transient characteristics.

“As downhole and aerospace application designers continue to push the limits of operating frequency, mens de fortsatt krever høy kretseffektivitet, they need SiC switches which can offer a standard of performance, reliability and production uniformity. Bruker den unike enheten og fabrikasjonsinnovasjonene, GeneSiC’s SJT products help designers achieve all that in a more robust solution. These products complement the hermetic packaged SiC rectifier released last year by GeneSiC, and the bare die products released earlier this year, while paving the way for us to offer high temperature, low-inductance, power modules in the near future ” sa Dr. Ranbir Singh, President for GeneSiC Semiconductor.

Isolated TO-257 with 600 V SJTs:

  • 65 mOhms/20 Amp (2N7639-GA); 170 mOhms/8 Amp (2N7637-GA); og 425 mOhms/4 Amp (2N7635-GA)
  • Tjmax = 210oC
  • Turn On/Off; Tider for stigning/fall <50 nanosekunder typisk.
  • Corresponding Bare Die GA20JT06-CAL (in 2N7639-GA); GA10JT06-CAL (in 2N7637-GA); and GA05JT06-CAL (in 2N7635-GA)

Non-Isolated TO-258 Prototype package with 600 SJTs

  • 25 mOhms/50 Amp (GA50JT06-258 prototype package)
  • Tjmax = 210oC
  • Turn On/Off; Tider for stigning/fall <50 nanosekunder typisk.
  • Corresponding Bare Die GA50JT06-CAL (in GA50JT06-258)

Surface Mount TO-276 (SMD0.5) with 600 SJTs

  • 65 mOhms/20 Amp (2N7640-GA); 170 mOhms/8 Amp (2N7638-GA); og 425 mOhms/4 Amp (2N7636-GA)
  • Tjmax = 210oC
  • Turn On/Off; Tider for stigning/fall <50 nanosekunder typisk.

Alle enheter er 100% tested to full voltage/current ratings and housed in hermetic packages. Teknisk støtte og SPICE-kretsmodeller tilbys. The devices are immediately available from GeneSiC Directly and/or through its Authorized Distributors.

Om GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. er en ledende innovatør innen høytemperatur, høyeffekt og ultrahøyspent silisiumkarbid (SiC) enheter, og global leverandør av et bredt spekter av krafthalvledere. Dens portefølje av enheter inkluderer SiC-basert likeretter, transistor, og tyristorprodukter, samt silisium likeretterprodukter. GeneSiC har utviklet omfattende åndsverk og teknisk kunnskap som omfatter de siste fremskrittene innen SiC-kraftenheter, med produkter rettet mot alternativ energi, bilindustrien, ned ole oljeboring, Motor kontroll, strømforsyning, transport, og avbruddsfri strømforsyning. GeneSiC har oppnådd en rekke forsknings- og utviklingskontrakter fra amerikanske myndigheter, inkludert ARPA-E, Energidepartementet, marinen, Hæren, DARPA, DTRA, og Department of Homeland Security, samt store statlige hovedentreprenører. I 2011, selskapet vant den prestisjetunge R&D100-pris for kommersialisering av ultrahøyspent SiC-tyristorer.

For mer informasjon, besøk gjerne http://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt