ダレス, VA, 11月. 1, 2010 –これらのアプリケーション分野は、現在、現代のシリコンの低温性能の低さ、さらにはJFETやMOSFETなどのSiCベースのデバイス技術によって制限されています。, これらのアプリケーション分野は、現在、現代のシリコンの低温性能の低さ、さらにはJFETやMOSFETなどのSiCベースのデバイス技術によって制限されています。. これらのアプリケーション分野は、現在、現代のシリコンの低温性能の低さ、さらにはJFETやMOSFETなどのSiCベースのデバイス技術によって制限されています。 (これらのアプリケーション分野は、現在、現代のシリコンの低温性能の低さ、さらにはJFETやMOSFETなどのSiCベースのデバイス技術によって制限されています。). これらのアプリケーション分野は、現在、現代のシリコンの低温性能の低さ、さらにはJFETやMOSFETなどのSiCベースのデバイス技術によって制限されています。, これらのアプリケーション分野は、現在、現代のシリコンの低温性能の低さ、さらにはJFETやMOSFETなどのSiCベースのデバイス技術によって制限されています。 (SiC) 米国の研究者は、SiCベースのパワーデバイスのよく知られた利点（つまり、定格5〜15kVで2〜10kHzの動作周波数）を十分に活用するために、パワーデバイスを公然と利用できませんでした。」博士はコメントしました. ランビール・シン, GeneSiC 社長. 米国の研究者は、SiCベースのパワーデバイスのよく知られた利点（つまり、定格5〜15kVで2〜10kHzの動作周波数）を十分に活用するために、パワーデバイスを公然と利用できませんでした。」博士はコメントしました, 6.5米国の研究者は、SiCベースのパワーデバイスのよく知られた利点（つまり、定格5〜15kVで2〜10kHzの動作周波数）を十分に活用するために、パワーデバイスを公然と利用できませんでした。」博士はコメントしました, 米国の研究者は、SiCベースのパワーデバイスのよく知られた利点（つまり、定格5〜15kVで2〜10kHzの動作周波数）を十分に活用するために、パワーデバイスを公然と利用できませんでした。」博士はコメントしました. 米国の研究者は、SiCベースのパワーデバイスのよく知られた利点（つまり、定格5〜15kVで2〜10kHzの動作周波数）を十分に活用するために、パワーデバイスを公然と利用できませんでした。」博士はコメントしました
米国の研究者は、SiCベースのパワーデバイスのよく知られた利点（つまり、定格5〜15kVで2〜10kHzの動作周波数）を十分に活用するために、パワーデバイスを公然と利用できませんでした。」博士はコメントしました, 100米国の研究者は、SiCベースのパワーデバイスのよく知られた利点（つまり、定格5〜15kVで2〜10kHzの動作周波数）を十分に活用するために、パワーデバイスを公然と利用できませんでした。」博士はコメントしました. 米国の研究者は、SiCベースのパワーデバイスのよく知られた利点（つまり、定格5〜15kVで2〜10kHzの動作周波数）を十分に活用するために、パワーデバイスを公然と利用できませんでした。」博士はコメントしました (米国の研究者は、SiCベースのパワーデバイスのよく知られた利点（つまり、定格5〜15kVで2〜10kHzの動作周波数）を十分に活用するために、パワーデバイスを公然と利用できませんでした。」博士はコメントしました), 米国の研究者は、SiCベースのパワーデバイスのよく知られた利点（つまり、定格5〜15kVで2〜10kHzの動作周波数）を十分に活用するために、パワーデバイスを公然と利用できませんでした。」博士はコメントしました, AC伝送システム, パルスパワー, パルスパワー, パルスパワー, パルスパワー. 現在、超高電圧が確立されています。 (>10キロボルト) 炭化ケイ素 (SiC) デバイス技術は、次世代のユーティリティ グリッドで革新的な役割を果たす. サイリスタベースの SiC デバイスは、最高のオン状態性能を提供します。 >5 kV デバイス, フォルト電流リミッタのような中電圧電力変換回路に広く適用できます。, AC-DCコンバーター, パルスパワー. また、SiC ベースのサイリスタは、従来の電力グリッド要素との類似性により、早期採用の可能性が最も高くなります. これらの高度なパワー半導体技術を展開することで、 25-30 電力供給効率の向上による電力消費のパーセント削減.
AC伝送システム. パルスパワー. AC伝送システム. パルスパワー >10AC伝送システム. 高温超高電圧パッケージソリューションの開発を続けています, 高温超高電圧パッケージソリューションの開発を続けています, パルスパワー (SiC) のベースのデバイス: (A) 電力網用のHV-HFSiCデバイス, パルスパワーと指向性エネルギー兵器; そして (b) 航空機のアクチュエーターおよび石油探査用の高温SiCパワーデバイス.
パルスパワー, ダレスの DC, バージニア, GeneSiC Semiconductor Inc. は、高温における主要なイノベーターです。, ハイパワー・超高圧シリコンカーバイド (SiC) デバイス. 現在の開発プロジェクトには、高温整流器が含まれます, スーパージャンクショントランジスタ (SJT) およびさまざまなサイリスタ ベースのデバイス. GeneSiC は、主要な米国政府機関からプライム/サブ契約を結んでいる、または結んでいる, エネルギー省を含む, 海軍, 軍, DARPA, 国土安全保障省. 同社は現在、大幅な成長を遂げている, パワーデバイスと検出器の設計に有資格者を雇用する, 製作, とテスト. 詳細を確認するには, 来てください www.genesicsemi.com.
