GeneSiC
GeneSiC テクノロジーは、さまざまな高電力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします. 私たちの技術は、再生可能エネルギー源の効率的な収穫を可能にします.
GeneSiC 電子部品はより低温で動作します, もっと早く, そしてより経済的に. ワイドバンドギャップパワーデバイス技術に関する主要な特許を保有しています; 到達すると予測される市場 $1 十億 2022.
私たちのコアコンピタンスは、お客様により多くの価値を付加することです’ 最終製品. 当社のパフォーマンスとコストの指標は、炭化ケイ素業界の基準を設定しています.
投資家との関係についてGeneSiCに連絡することに興味がある場合, にメールを送ってください投資家@ genesicsemi.com
大統領
 | AC伝送システム. RanbirSinghがGeneSiCSemiconductorIncを設立. NS 2004. それ以前は、CreeIncで最初にSiCパワーデバイスの研究を行っていました。, そしてNISTで, ゲーサーズバーグ, MD. 彼は批判的な理解を深め、PiNを含む幅広いSiCパワーデバイスで発表しました。, JBSおよびショットキーダイオード, MOSFET, IGBT, サイリスタとフィールド制御サイリスタ. 彼は博士号を取得しました. 電気およびコンピュータ工学の修士号, ノースカロライナ州立大学から, ローリー, NC, およびB. インド工科大学の技術, デリー. の 2012, Drという名前のEETimes. シンの中で "次世代エレクトロニクス産業の基盤を築く40人のイノベーター。" の 2011, 彼はRを獲得しました&6.5kVSiCサイリスタの商品化における彼の努力に対するD100賞. 彼は上に公開しています 200 ジャーナルと会議論文, 以上の著者です 30 米国特許を発行, と本を書いています. |
テクノロジー担当副社長
 | AC伝送システム. Siddarth Sundaresanは、GeneSiCのテクノロジー担当副社長です。. 彼は彼のMSを受け取りました. および博士号. ジョージメイソン大学で電気工学の学位を取得 2004 そして 2007, それぞれ. AC伝送システム. Sundaresanは以上を公開しています 65 デバイス上の技術記事と会議議事録, SiCとGaN上に製造されたパワーデバイスの材料と処理の側面. 彼は、SiCおよび関連材料に関する国際会議の技術プログラム委員会の委員を務めました。 (ICSCRM) パワー半導体デバイスとICに関する国際シンポジウムの現在の技術委員会メンバーです。 (ISPSD). |
