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Power System Design Interviews GeneSiC

ニュルンベルク, Germany May 12, 2016 — GeneSiC Semiconductor’s President was interviewed by Alix Paultre of Power Systems Design (http://www.powersystemsdesign.com/psdcast-ranbir-singh-of-genesic-on-their-latest-silicon-carbide-tech/67) at the PCIM show in Nuremberg, ドイツ.

 

Co-packaged SiC Transistor-Diode combination in a robust, isolated, 4-Leaded, mini-module packaging reduces Turn-On energy losses and enables flexible circuit designs for high frequency power converters

ダレス, VA, 五月 13, 2015 — GeneSiCセミコンダクター, 幅広い炭化ケイ素のパイオニアでありグローバルサプライヤー (SiC) power semiconductors today announces the immediate availability of 20 mOhm-1200 V SiC Junction Transistor-Diodes in an isolated, 4-Leaded mini-module packaging that enables extremely low Turn-On energies losses while offering flexible, modular designs in high frequency power converters. The use of high frequency, high voltage and low on-resistance capable SiC Transistors and Rectifiers will reduce the size/weight/volume of electronics applications requiring higher power handling at high operating frequencies. These devices are targeted for use in a wide variety of applications including induction heaters, plasma generators, fast chargers, DC-DC converters, and switched mode power supplies.

Co-packaged SiC Junction Transistors (SJT)-SiC Rectifiers offered by GeneSiC are uniquely applicable to inductive switching applications because SJTs are the only widebandgap switch offers >10 microsec repetitive short circuit capability, even at 80% of the rated voltages (eg. 960 V for a 1200 V device). In addition to the sub-10 nsec rise/falls times and a square reverse biased safe operation area (RBSOA), the Gate Return terminal in the new configuration significantly improves the ability to reduce the switching energies. These new class of products offers transient energy losses and switching times that are independent of junction temperature. SiC Junction Transistors from GeneSiC are gate-oxide free, ノーマルオフ, オン抵抗の正の温度係数を示す, and are capable of being driven at low Gate voltages, 他のSiCスイッチとは異なり.
SiC Schottky Rectifiers used in these mini-modules show low on-state voltage drops, good surge current ratings and industry’s lowest leakage currents at elevated temperatures. With temperature independent, near-zero reverse recovery switching characteristics, SiC Schottky rectifiers are ideal candidates for use in high efficiency circuits.
“GeneSiC’s SiC Transistor and Rectifier products are designed and manufactured to realize low on-state and switching losses. A combination of these technologies in an innovative package promises exemplar performance in power circuits demanding wide bandgap based devices. The mini-module packaging offers great design flexibility for use in a variety of power circuits like H-Bridge, Flyback and multi-level inverters” 博士は言った. ランビール・シン, GeneSiCセミコンダクター社長.
Product released today include
20 mOhm/1200 V SiC Junction Transistor/Rectifier Co-pack (GA50SICP12-227):
• Isolated SOT-227/mini-block/Isotop package
• Transistor Current Gain (hFE) >100
• Tjmax = 175oC (limited by packaging)
• Turn On/Off; 立ち上がり/立ち下がり時間 <10 典型的なナノ秒.

すべてのデバイスは 100% tested to full voltage/current ratings. The devices are immediately available from GeneSiC’s Authorized Distributors.

詳細については, 来てください: http://192.168.88.14/commercial-sic/sic-modules-copack/

GeneSiCSemiconductorIncについて.

GeneSiC Semiconductor Inc. は、高温における主要なイノベーターです。, 高出力および超高電圧の炭化ケイ素 (SiC) デバイス, 幅広いパワー半導体のグローバルサプライヤー. そのデバイスのポートフォリオには、SiCベースの整流器が含まれています, トランジスタ, およびサイリスタ製品, as well as Silicon diode modules. GeneSiCは、SiCパワーデバイスの最新の進歩を網羅する広範な知的財産および技術的知識を開発しました。, 代替エネルギーをターゲットにした製品, 自動車, downhole oil drilling, モーター制御, 電源, 交通機関, および無停電電源装置アプリケーション. の 2011, 会社は一流のRを獲得しました&超高電圧SiCサイリスタの商品化に対するD100賞.

High Temperature (>210^oC) Junction Transistors and Rectifiers in small form factor metal can packages offer revolutionary performance benefits to a variety of applications including amplification, low noise circuitry and downhole actuator controls

ダレス, VA, 行進 9, 2015 — GeneSiCセミコンダクター, 幅広い炭化ケイ素のパイオニアでありグローバルサプライヤー (SiC) power semiconductors today announces the immediate availability of a line of compact, high temperature SiC Junction Transistors as well as a line of rectifiers in TO-46 metal can packages. These discrete components are designed and manufactured to operate under ambient temperatures of greater than 215^oC. The use of high temperature, high voltage and low on-resistance capable SiC Transistors and Rectifiers will reduce the size/weight/volume of electronics applications requiring higher power handling at elevated temperatures. These devices are targeted for use in a wide variety of applications including a wide variety of downhole circuits, geothermal instrumentation, solenoid actuation, general purpose amplification, and switched mode power supplies.

High Temperature SiC Junction Transistors (SJT) offered by GeneSiC exhibit sub-10 nsec rise/falls times enabling >10 MHz switching as well as a square reverse biased safe operation area (RBSOA). The transient energy losses and switching times are independent of junction temperature. これらのスイッチはゲート酸化物フリーです, ノーマルオフ, オン抵抗の正の温度係数を示す, and are capable of being driven by 0/+5 V TTL gate drivers, 他のSiCスイッチとは異なり. 他の SiC スイッチと比較した SJT の独特の利点は、長期信頼性が高いことです。, >20 usec 短絡機能, 優れた雪崩能力. These devices can be used as efficient amplifiers as they promise a much higher linearity than any other SiC switch.

High Temperature SiC Schottky Rectifiers being offered by GeneSiC show low on-state voltage drops, and industry’s lowest leakage currents at elevated temperatures. With temperature independent, near-zero reverse recovery switching characteristics, SiC Schottky rectifiers are ideal candidates for use in high efficiency, high temperature circuits. The TO-46 metal can packages as well as the associated packaging processes used to create these products critically enable long term use where high reliability is critical.

“GeneSiC’s Transistor and Rectifier products are designed and manufactured from the grounds up to enable high temperature operation. These compact TO-46 packaged SJTs offer high current gains (>110), 0/+5 V TTL control, and robust performance. These devices offer low conduction losses and high linearity. We design our “SHT” line of rectifiers, to offer low leakage currents at high temperatures. These metal can packaged products augment our TO-257 and metal SMD products released last year to offer small form factor, vibration resistant solutions” 博士は言った. ランビール・シン, GeneSiCセミコンダクター社長.

Products released today include:

240 mOhm SiC Junction Transistors:

• 300 V blocking voltage. 品番 GA05JT03-46
• 100 V blocking voltage. 品番 GA05JT01-46
• 電流ゲイン (h_FE) >110
• T_jmax = 210^oC
• オン/オフにする; 立ち上がり/立ち下がり時間 <10 典型的なナノ秒.

Up to 4 Ampere High Temperature Schottky diodes:

• 600 V blocking voltage. 品番 GB02SHT06-46
• 300 V blocking voltage. 品番 GB02SHT03-46
• 100 V blocking voltage. 品番 GB02SHT01-46
• Total capacitive charge 9 nC
• T_jmax = 210^oC.

すべてのデバイスは 100% tested to full voltage/current ratings and housed in metal can TO-46 packages. The devices are immediately available from GeneSiC’s Authorized Distributors.

GeneSiCSemiconductorIncについて.

GeneSiC Semiconductor Inc. は、高温における主要なイノベーターです。, 高出力および超高電圧の炭化ケイ素 (SiC) デバイス, 幅広いパワー半導体のグローバルサプライヤー. そのデバイスのポートフォリオには、SiCベースの整流器が含まれています, トランジスタ, およびサイリスタ製品, as well as Silicon diode modules. GeneSiCは、SiCパワーデバイスの最新の進歩を網羅する広範な知的財産および技術的知識を開発しました。, 代替エネルギーをターゲットにした製品, 自動車, downhole oil drilling, モーター制御, 電源, 交通機関, および無停電電源装置アプリケーション. の 2011, 会社は一流のRを獲得しました&超高電圧SiCサイリスタの商品化に対するD100賞.

詳細については, 来てください http://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; そして http://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.

高速スイッチング速度と動作ベースのモデル向けに最適化されたゲート ドライバ ボードにより、パワー エレクトロニクス設計エンジニアは、ボード レベルの評価と回路シミュレーションで SJT の利点を検証および定量化できます。

ダレス, V.A., 11月 19, 2014 — GeneSiCセミコンダクター, 幅広い炭化ケイ素のパイオニアでありグローバルサプライヤー (SiC) パワー セミコンダクターズは本日、ゲート ドライバ評価ボードがすぐに入手可能になったことを発表し、業界で最も損失の少ないスイッチである SiC ジャンクション トランジスタの設計サポートを拡大しました。 (SJT) – 完全に認定された LTSPICE IV モデルを使用. 新しいゲート ドライバ ボードの使用, 電力変換回路の設計者は、サブ 15 ナノ秒の利点を検証できます, SiC接合トランジスタの温度に依存しないスイッチング特性, ドライバーの電力損失が少ない. 新しい SPICE モデルの組み込み, 回路設計者は、GeneSiC の SJT が提供する利点を簡単に評価して、同程度の定格のデバイスで従来のシリコン パワー スイッチング デバイスよりも高いレベルの効率を達成できます。.

SiC接合トランジスタは、他のSiCトランジスタ技術とは大きく異なる特性を持っています, シリコントランジスタも. SiC ジャンクション トランジスタの利点を活用するためのドライブ ソリューションを提供するには、高いスイッチング速度を維持しながら低電力損失を提供できるゲート ドライバ ボードが必要でした。. GeneSiC の完全に分離された GA03IDDJT30-FR4 ゲート ドライバ ボードは、0/12V と TTL 信号を取り込み、小さな立ち上がり/立ち下がり時間を提供するために必要な電圧/電流波形を最適に調整します。, オン状態でノーマリオフ SJT の導通を維持するための連続電流要件を最小限に抑えながら. ピン配置とフォームファクタは、他の SiC トランジスタと同様に保たれています。. GeneSiC はまた、ガーバー ファイルと BOM をエンド ユーザーにリリースし、実現したドライバー設計の革新の利点をエンド ユーザーに組み込むことができるようにしました。.

SJT は良好なオン状態とスイッチング特性を提供, 基礎となる物理ベースのモデルと非常によく一致する動作ベースの SPICE モデルを簡単に作成できます。. 十分に確立され理解されている物理ベースのモデルを使用する, SPICE パラメータは、デバイスの動作に関する広範なテストを経てリリースされました. GeneSiC の SPICE モデルは、すべてのデバイス データシートで実験的に測定されたデータと比較され、すべてのデバイスに適用できます。 1200 Vと 1700 V SiCジャンクショントランジスタを発売.
GeneSiC の SJT は、より高いスイッチング周波数を提供できます。 15 IGBT ベースのソリューションよりも数倍高い. より高いスイッチング周波数により、磁気素子と容量素子を小型化できます, それによって全体のサイズを縮小, パワーエレクトロニクスシステムの重量とコスト.

この SiC ジャンクション トランジスタ SPICE モデルは、GeneSiC の包括的な設計サポート ツールのスイートに追加されます。, 技術文書, GeneSiC の包括的な SiC ジャンクション トランジスタおよび整流器ファミリを次世代の電力システムに実装するために必要な設計リソースをパワー エレクトロニクス エンジニアに提供する信頼性情報.

GeneSiC のゲート ドライバー ボードのデータシートと SJT SPICE モデルは、以下からダウンロードできます。 http://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/

最小の導通損失と優れた短絡耐量を実現する高周波電源回路向けSiCスイッチを発売

ダレス, バージニア。, 10月 28, 2014 — GeneSiCセミコンダクター, 幅広い炭化ケイ素のパイオニアでありグローバルサプライヤー (SiC) パワー半導体は本日、低オン抵抗 1700V および 1200 TO-247 パッケージの V SiC 接合トランジスタ. 高電圧の使用, 高周波, 高温および低オン抵抗に対応した SiC 接合トランジスタは、変換効率を高め、より高いバス電圧を必要とするパワー エレクトロニクス アプリケーションのサイズ/重量/体積を削減します。. これらのデバイスは、DC マイクログリッドを含むさまざまなアプリケーションでの使用をターゲットとしています。, 車両用急速充電器, サーバ, テレコムおよびネットワーク電源, 無停電電源装置, ソーラーインバーター, 風力発電システム, および産業用モーター制御システム.

SiC接合トランジスタ (SJT) GeneSiC が提供する超高速スイッチング機能を発揮 (SiC MOSFET と同様), 正方形の逆バイアスされた安全な操作領域 (RBSOA), 温度に依存しない過渡エネルギー損失とスイッチング時間. これらのスイッチはゲート酸化物フリーです, ノーマルオフ, オン抵抗の正の温度係数を示す, 市販のゲートドライバーで駆動可能, 他のSiCスイッチとは異なり. 他の SiC スイッチと比較した SJT の独特の利点は、長期信頼性が高いことです。, >10 usec 短絡機能, 優れた雪崩能力

“これらの改良された SJT は、はるかに高い電流利得を提供します (>100), 他のSiCスイッチと比較して、非常に安定した堅牢なパフォーマンス. GeneSiC の SJT は、電源回路における優れたターンオフ損失として、定格電流での極めて低い導通損失を実現します。. 独自のデバイスと製造革新を活用する, GeneSiC のトランジスタ製品は、設計者がより堅牢なソリューションを実現するのに役立ちます,” 博士は言った. ランビール・シン, GeneSiCセミコンダクター社長.

1700 V SiC接合トランジスタを発売

• 25 mOhms (GA50JT17-247), 65 mOhms (GA16JT17-247), 220 mOhms (GA04JT17-247)
• 電流ゲイン (h_FE) >90
• T_jmax = 175^oC
• オン/オフにする; 立ち上がり/立ち下がり時間 <30 典型的なナノ秒.

1200 V SiC接合トランジスタを発売

• 25 mOhms (GA50JT12-247), 120 ミオーム (GA10JT12-247), 210 mOhms (GA05JT12-247)
• 電流ゲイン (h_FE) >90
• T_jmax = 175^oC
• オン/オフにする; 立ち上がり/立ち下がり時間 <30 典型的なナノ秒.

すべてのデバイスは 100% 完全な電圧/電流定格でテストされ、ハロゲンフリーに収納されています, RhoHS準拠のTO-247パッケージ. デバイスは、GeneSiC の認定ディストリビューターからすぐに入手できます。.

詳細については, httpをご覧ください://192.168.88.14/コマーシャル-SIC/SIC-ジャンクション-トランジスタ/

GeneSiC’s SiC Transistor and Rectifiers offer significant advantages towards achieving the goals of the Little Box Challenge

State-Of-the Art. Silicon Carbide Power Transistors & Rectifiers. Available. Now!

GeneSiC has a wide portfolio of products available right now worldwide from top distributors

Bare Die Chip form of SiC devices available Directly from factory (please fill the form below)

Discrete SJTs そして Rectifiers in Commercial temperature ratings (175° C)

Discrete HiT SJTs and HiT Rectifiers in High Temperature (up to 250° C)

GeneSiC offers the widest variety of SiC products – in packaged products as well as bare-die format to allow greater design flexibility and innovation. GeneSiC is continuously striving to stay ahead by introducing new, innovative products. If you don’t see the exact product you are looking for today, you may see it in the near future.

The promise of high temperature in SiC Transistors realized through compatible industry-standard packages will critically enhance downhole and aerospace actuators and power supplies

ダレス, バージニア。, コミュニティ開発 10, 2013 — GeneSiCセミコンダクター, 幅広い炭化ケイ素のパイオニアでありグローバルサプライヤー (SiC) power semiconductors today announces the immediate availability through its distributors and directly a family high temperature packaged 600 VSiCジャンクショントランジスタ (SJT) in the 3-50 Amperes current ratings in JEDEC industry-standard through hole and surface mount packages. Incorporating these high temperature, low on-resistance, high frequency SiC Transistors in hermetic packages, high temperature solders and encapsulation will increase conversion efficiency and reduce the size/weight/volume of high temperature power conversion applications.

Contemporary high temperature power supply, motor control and actuator circuits used in oil/gas/downhole and aerospace applications suffer from lack of availability of a viable high temperature Silicon Carbide solution. Silicon transistors suffer from low circuit efficiencies and large sizes because they suffer from high leakage currents and low poor switching characteristics. Both these parameters become worse at higher junction temperatures. With thermally constraint environments, 適度な電流を流しても接合部温度は非常に簡単に上昇します. Hermetically packaged SiC transistors offer unique characteristics that promise to revolutionize the capability of downhole and aerospace applications. GeneSiCの 650 V/3-50 A SiC Junction Transistors feature near zero switching times that does not change with temperature. の 210^oC junction temperature-rated devices offer relatively large temperature margins for applications that are operating under extreme environments.

GeneSiCが提供するジャンクショントランジスタは、超高速スイッチング機能を発揮します, 正方形の逆バイアスされた安全な操作領域 (RBSOA), 温度に依存しない過渡エネルギー損失とスイッチング時間. これらのスイッチはゲート酸化物フリーです, ノーマルオフ, オン抵抗の正の温度係数を示す, とコマーシャルによって駆動することができます, この製品がリリースされているパフォーマンス価格のポイントにより、多くの電力変換アプリケーションは、シリコンIGBT /シリコン整流子ソリューションのどちらよりもコスト/サイズ/重量/ボリュームの削減から利益を得ることができます 15 この製品がリリースされているパフォーマンス価格のポイントにより、多くの電力変換アプリケーションは、シリコンIGBT /シリコン整流子ソリューションのどちらよりもコスト/サイズ/重量/ボリュームの削減から利益を得ることができます, 他のSiCスイッチとは異なり. SiCJFETドライバーとの互換性を提供しながら, SiC Junction Transistors can be easily paralleled because of their matching transient characteristics.

“As downhole and aerospace application designers continue to push the limits of operating frequency, 高い回路効率を要求しながら, they need SiC switches which can offer a standard of performance, reliability and production uniformity. 独自のデバイスと製造革新を活用する, GeneSiC’s SJT products help designers achieve all that in a more robust solution. These products complement the hermetic packaged SiC rectifier released last year by GeneSiC, and the bare die products released earlier this year, while paving the way for us to offer high temperature, low-inductance, power modules in the near future ” 博士は言った. ランビール・シン, GeneSiCセミコンダクター社長.

Isolated TO-257 with 600 V SJTs:

• 65 mOhms/20 Amp (2N7639-GA); 170 mOhms/8 Amp (2N7637-GA); そして 425 mOhms/4 Amp (2N7635-GA)
• T_jmax = 210^oC
• オン/オフにする; 立ち上がり/立ち下がり時間 <50 典型的なナノ秒.
• Corresponding Bare Die GA20JT06-CAL (in 2N7639-GA); GA10JT06-CAL (in 2N7637-GA); and GA05JT06-CAL (in 2N7635-GA)

Non-Isolated TO-258 Prototype package with 600 SJTs

• 25 mOhms/50 Amp (GA50JT06-258 prototype package)
• T_jmax = 210^oC
• オン/オフにする; 立ち上がり/立ち下がり時間 <50 典型的なナノ秒.
• Corresponding Bare Die GA50JT06-CAL (in GA50JT06-258)

Surface Mount TO-276 (SMD0.5) with 600 SJTs

• 65 mOhms/20 Amp (2N7640-GA); 170 mOhms/8 Amp (2N7638-GA); そして 425 mOhms/4 Amp (2N7636-GA)
• T_jmax = 210^oC
• オン/オフにする; 立ち上がり/立ち下がり時間 <50 典型的なナノ秒.

すべてのデバイスは 100% tested to full voltage/current ratings and housed in hermetic packages. 技術サポートと SPICE 回路モデルを提供. The devices are immediately available from GeneSiC Directly and/or through its Authorized Distributors.

GeneSiCSemiconductorIncについて.

GeneSiC Semiconductor Inc. は、高温における主要なイノベーターです。, 高出力および超高電圧の炭化ケイ素 (SiC) デバイス, 幅広いパワー半導体のグローバルサプライヤー. そのデバイスのポートフォリオには、SiCベースの整流器が含まれています, トランジスタ, およびサイリスタ製品, だけでなく、シリコン整流器製品. GeneSiCは、SiCパワーデバイスの最新の進歩を網羅する広範な知的財産および技術的知識を開発しました。, 代替エネルギーをターゲットにした製品, 自動車, ダウンオレ石油掘削, モーター制御, 電源, 交通機関, および無停電電源装置アプリケーション. GeneSiCは、米国政府機関から多数の研究開発契約を獲得しています。, ARPA-Eを含む, エネルギー省, 海軍, 軍, DARPA, DTRA, 国土安全保障省, だけでなく、主要な政府の元請業者. の 2011, 会社は一流のRを獲得しました&超高電圧SiCサイリスタの商品化に対するD100賞.

詳細については, 来てください http://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt