دالاس, فرجينيا., مارس 5, 2013 — جينيسيك أشباه الموصلات, مورد رائد وعالمي لمجموعة واسعة من كربيد السيليكون (كربيد كربيد) power semiconductors today announces the immediate availability of its second generation hybrid mini-modules using 1200 V/100 Amperes SiC Schottky Rectifiers with rugged Silicon IGBTs – the GB100XCP12-227. The performance-price point at which this product is being released allows many power conversion applications to benefit from the reduction of the cost/size/weight/volume that neither Silicon IGBT/ Silicon Rectifier solution, nor a pure SiC Module can offer. These devices are targeted for use in a wide variety of applications including industrial motors, solar inverters, specialized equipment and power grid applications.
SiC Schottky/Si IGBT mini-modules (Co-packs) offered by GeneSiC are made with Si IGBTs that exhibit positive temperature coefficient of on-state drop, robust punchthrough design, high temperature operation and fast switching characteristics that are capable of being driven by commercial, commonly available 15 V IGBT gate drivers. The SiC rectifiers used in these Co-pack modules allow extremely low inductance packages, low on-state voltage drop and no reverse recovery. The SOT-227 package offers isolated baseplate, 12mm low profile design that can be used very flexibly as a standalone circuit element, high current paralleled configuration, a Phase Leg (two modules), or as a chopper circuit element.
“We listened to our key customers since the initial offering of this product almost 2 years back. This second generation 1200 V/100 A Co-pack product has a low inductance design that is suitable for high frequency, high temperature applications. The poor high temperature and reverse recovery characteristics of Silicon diodes critically limits the use of IGBTs at higher temperatures. GeneSiC منخفض VF, low capacitance SiC Schottky Diodes enable this breakthrough product” قال د. رانبير سينغ, رئيس شركة GeneSiC لأشباه الموصلات.
1200 V/100 A Si IGBT/SiC Rectifier Technical Highlights
- إسقاط على الدولة 1.9 الخامس في 100 أ
- معامل درجة الحرارة الإيجابية على VF
- Tjmax = 175°C
- Turn-On Energy Losses 23 microJoules (عادي).
جميع الأجهزة هي 100% تم اختباره وفقًا لتصنيفات الجهد/التيار الكاملة وموجود في مكان خالٍ من الهالوجين, RoHS compliant industry-standard SOT-227 packages. الأجهزة متاحة على الفور من موزعي GeneSiC المعتمدين.
حول شركة GeneSiC لأشباه الموصلات.
شركة GeneSiC Semiconductor. هو مبتكر رائد في درجات الحرارة العالية, كربيد السيليكون عالي الطاقة وفائق الجهد (كربيد كربيد) الأجهزة, والمورد العالمي لمجموعة واسعة من أشباه موصلات الطاقة. تشتمل مجموعة أجهزتها على مقوم قائم على SiC, الترانزستور, ومنتجات الثايرستور, وكذلك منتجات مقوم السيليكون. قامت GeneSiC بتطوير ملكية فكرية ومعرفة تقنية واسعة النطاق تشمل أحدث التطورات في أجهزة الطاقة SiC, مع المنتجات الموجهة نحو الطاقة البديلة, السيارات, أسفل التنقيب عن النفط, التحكم في المحركات, مزود الطاقة, مواصلات, وتطبيقات إمدادات الطاقة غير المنقطعة. حصلت شركة GeneSiC على العديد من عقود البحث والتطوير من وكالات حكومية أمريكية, بما في ذلك ARPA-E, قسم الطاقة, القوات البحرية, جيش, داربا, DTRA, ووزارة الأمن الداخلي, وكذلك كبار المقاولين الحكوميين. في 2011, فازت الشركة بجائزة R المرموقة&جائزة D100 لتسويق ثايرستور SiC عالي الجهد.
