Author: المحرر0

دالاس, Va., Feb. 25, 2013 /PRNewswire-iReach/ — جينيسيك أشباه الموصلات, مورد رائد وعالمي لمجموعة واسعة من كربيد السيليكون (كربيد كربيد) power semiconductors today announces the immediate availability of a family of 1700V and 1200 V SiC Junction Transistors. Incorporating high voltage, high frequency and high-temperature capable SiC Junction Transistors will increase conversion efficiency and reduce the size/weight/volume of power electronics. These devices are targeted for use in a wide variety of applications including server, telecom and networking power supplies, uninterruptable power supplies, solar inverters, industrial motor control systems, and downhole applications.

Junction Transistors offered by GeneSiC exhibit ultra-fast switching capability, a square reverse biased safe operation area (RBSOA), as well as temperature-independent transient energy losses and switching times. These switches are gate-oxide free, normally-off, exhibit positive temperature co-efficient of on-resistance, and are capable of being driven by commercial, commonly available 15 V IGBT gate drivers, unlike other SiC switches. While offering compatibility with SiC JFET drivers, Junction Transistors can be easily paralleled because of their matching transient characteristics.

“As power system designers continue to push the limits of operating frequency, while still demanding high circuit efficiencies, the need SiC switches which can offer a standard of performance and production uniformity. Utilizing the unique device and fabrication innovations, GeneSiC’s Transistor products help designers achieve all that in a more robust solution,” قال د. رانبير سينغ , رئيس شركة GeneSiC لأشباه الموصلات.

1700 V Junction Transistor Technical Highlights

• ثلاث عروض – 110 mOhms (GA16JT17-247); 250 mOhms (GA08JT17-247); و 500 mOhms (GA04JT17-247)
• Tjmax = 175°C
• Turn On/Off Rise/Fall Times <50 nanoseconds typical.

1200 V Junction Transistor Technical Highlights

• Two offerings – 220 mOhms (GA06JT12-247); و 460 mOhms (GA03JT12-247)
• Tjmax = 175°C
• Turn On/Off Rise/Fall Times <50 nanoseconds typical

جميع الأجهزة هي 100% تم اختباره وفقًا لتصنيفات الجهد/التيار الكاملة وموجود في مكان خالٍ من الهالوجين, RoHS compliant TO-247 packages. الأجهزة متاحة على الفور من موزعي GeneSiC المعتمدين.

Aug 30, 2011 – Dulles, VA – New Physics Lets Thyristors Reach Higher Level

An electric power grid supplies reliable power with the help of electronic devices that ensure smooth, reliable power flow. Until now, silicon-based assemblies have been relied upon, but they have been unable to handle the requirements of the smart grid. Wide-band-gap materials such as silicon carbide (كربيد كربيد) offer a better alternative as they are capable of higher switching speeds, a higher breakdown voltage, lower switching losses, and a higher junction temperature than traditional silicon-based switches. The first such SiC-based device to reach market is the Ultra-high-voltage Silicon Carbide Thyristor (SiC Thyristor), developed by GeneSiC Semiconductor Inc., دالاس, Va., with support from Sandia National Laboratories, Albuquerque, N.M., the U.S. Department of Energy/Electricity Delivery, and the U.S. Army/Armament Research, Development and Engineering Center, Picatinny Arsenal, N.J.

The developers adopted a different operational physics for this device, which operates on minority carrier transportation and an integrated third terminal rectifier, which is one more than other commercial SiC devices. Developers adopted a new fabrication technique that supports ratings above 6,500 الخامس, as well as a new gate-anode design for high-current devices. Capable of performing at temperatures up to 300 C and current at 80 أ, the SiC Thyristor offers up to 10 times higher voltage, four times higher blocking voltages, و 100 times faster switching frequency than silicon-based thyristors.

دالاس, فيرجينيا, July 14, 2011 — ر&D Magazine has selected GeneSiC Semiconductor Inc. of Dulles, VA as a recipient of the prestigious 2011 ر&D 100 Award for the commercialization of Silicon Carbide devices with high voltage ratings.

شركة GeneSiC Semiconductor, a key innovator in the Silicon Carbide based power devices was honored last week with the announcement that it has been awarded the prestigious 2011 ر&D 100 Award. This award recognizes GeneSiC for introducing one of the most significant, newly introduced research and development advances among multiple disciplines during 2010. ر&D Magazine recognized GeneSiC’s Ultra-High Voltage SiC Thyristor for its ability to achieve blocking voltages and frequencies never utilized before towards power electronics demonstrations. The voltage ratings of >6.5كيلو فولت, on-state current rating of 80 A and operating frequencies of >5 kHz are much higher than those previously introduced in the marketplace. These capabilities achieved by GeneSiC’s Thyristors critically enable power electronics researchers to develop grid-tied inverters, Flexible

AC Transmission Systems (حقائق) and High Voltage DC Systems (HVDC). This will allow new inventions and product developments within renewable energy, solar inverters, wind power inverters, and energy storage industries. Dr. رانبير سينغ, President of GeneSiC Semiconductor comented “It is anticipated that large-scale markets in solid-state electrical substations and wind turbine generators will open up after researchers in the power conversion arena will fully realize the benefits of SiC Thyristors. These first generation SiC Thyristors utilize the lowest demonstrated on-state voltage drop and differential on-resistances ever achieved in SiC Thyristors. We intend to release future generations of SiC Thyristors optimized for Gate-controlled Turn Off capability and pulsed power capability and >10kV ratings. As we continue to develop high temperature ultra-high voltage packaging solutions, the present 6.5kV Thyristors are packaged in modules with fully soldered contacts, limited to 150oC junction temperatures.” Since this product was launched in October 2010, GeneSiC has booked orders from multiple customers towards demonstration of advanced power electronics hardware using these Silicon Carbide Thyristors. GeneSiC continues to develop its family of Silicon Carbide Thyristor products. The R&D on early version for power conversion applications were developed through SBIR funding support from US Dept. of Energy. More advanced, Pulsed Power optimized SiC Thyristors are being developed under another SBIR contract with ARDEC, US Army. Using these technical developments, internal investment from GeneSiC and commercial orders from multiple customers, GeneSiC was able to offer these UHV Thyristors as commercial products.

The 49th annual technology competition run by R&D Magazine evaluated entries from various companies and industry players, research organizations and universities around the world. The magazine’s editors and a panel of outside experts served as judges, evaluating each entry in terms of its importance to the world of science and research.

According to R&D Magazine, winning an R&D 100 Award provides a mark of excellence known to industry, government, and academia as proof that the product is one of the most innovative ideas of the year. This award recognizes GeneSiC as a global leader in the creation of technology-based products that make a difference in how we work and live.

حول GeneSiC لأشباه الموصلات, شركة.

GeneSiC هو مبتكر سريع الظهور في مجال أجهزة طاقة SiC ولديه التزام قوي بتطوير كربيد السيليكون (كربيد كربيد) الأجهزة القائمة على: (أ) أجهزة HV-HF SiC لشبكة الطاقة, القوة النبضية وأسلحة الطاقة الموجهة; و (ب) أجهزة طاقة كربيد كربيد عالية الحرارة لمشغلات الطائرات واستكشاف النفط. شركة GeneSiC Semiconductor. يطور كربيد السيليكون (كربيد كربيد) أجهزة أشباه الموصلات القائمة على درجات الحرارة العالية, إشعاع, وتطبيقات شبكة الطاقة. وهذا يشمل تطوير المقومات, FETs, الأجهزة ثنائية القطب وكذلك الجسيمات & كاشفات فوتونية. يتمتع GeneSiC بإمكانية الوصول إلى مجموعة واسعة من تصميمات أشباه الموصلات, تلفيق, مرافق التوصيف والاختبار لهذه الأجهزة. تستفيد شركة GeneSiC من كفاءتها الأساسية في تصميم الأجهزة والعمليات لتطوير أفضل أجهزة SiC الممكنة لعملائها. تميز الشركة نفسها من خلال توفير منتجات عالية الجودة يتم ضبطها خصيصًا وفقًا لمتطلبات كل عميل. تمتلك GeneSiC عقودًا أساسية / فرعية من الوكالات الحكومية الأمريكية الرئيسية بما في ذلك ARPA-E, وزارة الطاقة الأمريكية, القوات البحرية, داربا, قسم الأمن الداخلي, وزارة التجارة والإدارات الأخرى داخل وزارة الولايات المتحدة. الدفاع. تواصل GeneSiC تحسين المعدات والبنية التحتية للأفراد بسرعة في Dulles, منشأة فرجينيا. تقوم الشركة بتوظيف أفراد من ذوي الخبرة في تصنيع أجهزة أشباه الموصلات المركبة بقوة, اختبار أشباه الموصلات وتصميمات الكاشف. يمكن الحصول على معلومات إضافية حول الشركة ومنتجاتها عن طريق الاتصال بـ GeneSiC على 703-996-8200 أو عن طريق الزيارة www.genesicsemi.com.

Feb 28, 2011 – Dulles, VA – GeneSiC Semiconductor is excited to announce its selection for the prestigious Technology Showcase at the ARPA-E Energy Innovation Summit, co-hosted by the Department of Energy’s Advanced Research Projects Agency – Energy (ARPA-E) and the Clean Technology and Sustainable Industries Organization (CTSI). Hundreds of top technologists and cutting-edge clean tech organizations competed to participate in the Showcase, a hallway of America’s most promising prospects for winning the future in energy.

As one of ARPA-E’s selected organizations, GeneSiC Semiconductor will exhibit its Silicon Carbide to nearly 2,000 national leaders gathering to drive long-term American competitiveness in the energy sector, including top researchers, investors, entrepreneurs, corporate executives and government officials. More than 200 groundbreaking technologies from ARPA-E awardees, corporations, National Labs and Department of Energy R&D programs will be featured at the event.

“This Summit brings together organizations that understand the need to collaborate and partner to bring the next generation of energy technologies to market,” said GeneSiC Semiconductor, President, Dr. رانبير سينغ. “It’s a rare and exciting opportunity to have so many key players in the energy community together under one roof and we look forward to sharing our Silicon Carbide Power Devices with other innovators and investors at the Technology Showcase.”

Research and business development teams from 14 Corporate Acceleration Partners committed to technology commercialization will also be present including Dow, Bosch, Applied Materials and Lockheed Martin.

The Summit also features high-profile speakers including U.S. Energy Secretary Steven Chu, ARPA-E Director Arun Majumdar, U.S. Navy Secretary Raymond Mabus, former California Governor Arnold Schwarzenegger and Bank of America Chairman Charles Holliday.

The second annual ARPA-E Energy Innovation Summit will take place February 28 – مارس 2, 2011 at the Gaylord Convention Center just outside Washington, D.C. To learn more or to register please visit: www.ct-si.org/events/EnergyInnovation.

حول GeneSiC لأشباه الموصلات

شركة GeneSiC Semiconductor. develops widebandgap semiconductor devices for high temperature, إشعاع, وتطبيقات شبكة الطاقة. وهذا يشمل تطوير المقومات, power switches and bipolar devices. GeneSiC uses a unique and extensive suite of semiconductor design, تلفيق, مرافق التوصيف والاختبار لهذه الأجهزة. تستفيد شركة GeneSiC من كفاءتها الأساسية في تصميم الأجهزة والعمليات لتطوير أفضل أجهزة SiC الممكنة لعملائها. The company distinguishes itself by providing high quality products for a wide range of high volume markets. تمتلك GeneSiC عقودًا أساسية / فرعية من الوكالات الحكومية الأمريكية الرئيسية بما في ذلك ARPA-E, وزارة الطاقة الأمريكية, القوات البحرية, جيش, NASA, داربا, قسم الأمن الداخلي, وزارة التجارة والإدارات الأخرى داخل وزارة الولايات المتحدة. الدفاع.

About ARPA-E

The Advanced Research Projects Agency – Energy (ARPA-E) is a new agency within the U.S. Department of Energy – and the first to focus exclusively on breakthrough energy technologies that could radically change the way we use energy. Rather than performing research directly, ARPA-E invests in high-risk, high-reward energy technologies being developed by universities, startups, small businesses, and corporations. Our staff combines industry-leading scientists, engineers, and investment executives to identify promising solutions to the nation’s most critical energy problems and to fast-track top technologies towards the marketplace – which is critical to securing the nation’s global technology leadership and creating new American industries and jobs. Visit www.arpa-e.energy.govfor more information.

About CTSI

The Clean Technology & Sustainable Industries Organization (CTSI), a 501c6 non-profit industry association, represents the organizations developing, commercializing, and implementing energy, water, and environmental technologies. Clean technologies offer much needed solutions to growing resource security and sustainability concerns and are critical to maintaining economic competitiveness. CTSI brings together global leaders for advocacy, community development, networking, and information sharing to help bring these needed technologies to market more rapidly. Visit www.ct-si.org for more information.

Dec 14, 2010 – GeneSiC Semiconductor Inc., a key innovator of novel Silicon Carbide (كربيد كربيد) devices for high temperature, high power, and ultra-high voltage applications, announces selection of its project titled “Integrated SiC Super Junction Transistor-Diode Devices for high-power motor control modules operating at 500 oC” by the US National Aeronautics and Space Administration (NASA) for a Phase I SBIR award. This SBIR project is focused on the development of Monolithic Integrated SiC JBS diode-Super Junction Transistor (MIDSJT) devices for operation under Venus-like ambients (500 °C surface temperatures). The SiC MIDSJT devices developed in this program will be used to construct motor control power modules for direct integration with Venus exploration rovers.

“We are pleased with the confidence expressed by NASA in our high temperature SiC device solutions. This project will enable GeneSiC to develop industry-leading SiC-based power management technologies through its innovative device and packaging solutions” قال د. Siddarth Sundaresan, GeneSiC’s Director of Technology. “The SiC MIDSJT devices targeted in this program will allow Kilowatt-level power to be handled with digital precision at temperatures as high as 500 °C. In addition to outer space applications, this novel technology has the potential to revolutionize critical aerospace and geothermal oil drilling hardware requiring ambient temperatures in excess of 200 °C. These application areas are currently limited by the poor high-temperature performance of contemporary Silicon and even SiC based device technologies such as JFETs and MOSFETs” he added.

تواصل GeneSiC تحسين المعدات والبنية التحتية للأفراد بسرعة في Dulles, منشأة فرجينيا. تقوم الشركة بتوظيف أفراد من ذوي الخبرة في تصنيع أجهزة أشباه الموصلات المركبة بقوة, اختبار أشباه الموصلات وتصميمات الكاشف. يمكن الحصول على معلومات إضافية حول الشركة ومنتجاتها عن طريق الاتصال بـ GeneSiC على 703-996-8200 أو عن طريق الزيارة www.genesicsemi.com.

حول GeneSiC لأشباه الموصلات, شركة.

شركة GeneSiC Semiconductor. يطور كربيد السيليكون (كربيد كربيد) أجهزة أشباه الموصلات القائمة على درجات الحرارة العالية, إشعاع, وتطبيقات شبكة الطاقة. وهذا يشمل تطوير المقومات, FETs, الأجهزة ثنائية القطب وكذلك الجسيمات & كاشفات فوتونية. يتمتع GeneSiC بإمكانية الوصول إلى مجموعة واسعة من تصميمات أشباه الموصلات, تلفيق, مرافق التوصيف والاختبار لهذه الأجهزة. تستفيد شركة GeneSiC من كفاءتها الأساسية في تصميم الأجهزة والعمليات لتطوير أفضل أجهزة SiC الممكنة لعملائها. تميز الشركة نفسها من خلال توفير منتجات عالية الجودة يتم ضبطها خصيصًا وفقًا لمتطلبات كل عميل. تمتلك GeneSiC عقودًا أساسية / فرعية من الوكالات الحكومية الأمريكية الرئيسية بما في ذلك ARPA-E, وزارة الطاقة الأمريكية, القوات البحرية, داربا, قسم الأمن الداخلي, وزارة التجارة والإدارات الأخرى داخل وزارة الولايات المتحدة. الدفاع.

دالاس, فيرجينيا, نوفمبر. 1, 2010 –In a first of its kind offering, GeneSiC Semiconductor announces the availability of a family of 6.5kV SCR-mode Silicon Carbide Thyristors for use in power electronics for Smart Grid applications. Revolutionary performance advantages of these power devices are expected to spur key innovations in utility-scale power electronics hardware to increase the accessibility and exploitation of Distributed Energy Resources (DER). “Until now, multi-kV Silicon Carbide (كربيد كربيد) power devices were not openly available to US researchers to fully exploit the well-known advantages– namely 2-10kHz operating frequencies at 5-15kV ratings – of SiC-based power devices.” commented Dr. رانبير سينغ, رئيس GeneSiC. “GeneSiC has recently completed delivery of many 6.5kV/40A, 6.5kV/60A and 6.5kV/80A Thyristors to multiple customers conducting research in renewable energy, Army and Naval power system applications. SiC devices with these ratings are now being offered more widely.”

Silicon Carbide based Thyristors offer 10X higher voltage, 100X faster switching frequencies and higher temperature operation as compared to conventional Silicon-based Thyristors. Targeted applications research opportunities for these devices include general purpose medium voltage power conversion (MVDC), Grid-tied solar inverters, wind power inverters, pulsed power, weapon systems, ignition control, and trigger control. لقد ثبت الآن أن الجهد العالي للغاية (>10كيلو فولت) Silicon Carbide (كربيد كربيد) ستلعب تقنية الجهاز دورًا ثوريًا في شبكة المرافق من الجيل التالي. توفر أجهزة SiC المستندة إلى الثايرستور أعلى أداء على مستوى الحالة لـ >5 أجهزة كيلو فولت, وهي قابلة للتطبيق على نطاق واسع في دوائر تحويل الطاقة ذات الجهد المتوسط ​​مثل محددات التيار الخاطئ, محولات AC-DC, Static VAR compensators and Series Compensators. توفر الثايرستور القائم على SiC أيضًا أفضل فرصة للتبني المبكر نظرًا لتشابهها مع عناصر شبكة الطاقة التقليدية. يمكن أن يؤدي نشر تقنيات أشباه موصلات الطاقة المتقدمة هذه إلى توفير ما يصل إلى 25-30 خفض استهلاك الكهرباء بنسبة مئوية من خلال زيادة الكفاءة في توصيل الطاقة الكهربائية.

Dr. Singh continues “It is anticipated that large-scale markets in solid-state electrical substations and wind turbine generators will open up after researchers in the power conversion arena will fully realize the benefits of SiC Thyristors. These first generation SiC Thyristors utilize the lowest demonstrated on-state voltage drop and differential on-resistances ever achieved in SiC Thyristors. We intend to release future generations of SiC Thyristors optimized for Gate-controlled Turn Off capability and >10kV ratings. As we continue to develop high temperature ultra-high voltage packaging solutions, the present 6.5kV Thyristors are packaged in modules with fully soldered contacts, limited to 150oC junction temperatures.” GeneSiC is a fast emerging innovator in the area of SiC power devices and has a strong commitment to the development of Silicon Carbide (كربيد كربيد) الأجهزة القائمة على: (أ) أجهزة HV-HF SiC لشبكة الطاقة, القوة النبضية وأسلحة الطاقة الموجهة; و (ب) أجهزة طاقة كربيد كربيد عالية الحرارة لمشغلات الطائرات واستكشاف النفط.

Located near Washington, العاصمة في دالاس, فرجينيا, شركة GeneSiC Semiconductor. هو مبتكر رائد في درجات الحرارة العالية, كربيد السيليكون عالي الطاقة وعالي الجهد (كربيد كربيد) الأجهزة. تشمل مشاريع التطوير الحالية مقومات درجات الحرارة العالية, الترانزستورات SuperJunction (SJT) ومجموعة متنوعة من الأجهزة التي تعتمد على الثايرستور. تمتلك GeneSiC أو لديها عقود أساسية / فرعية من وكالات حكومية أمريكية رئيسية, بما في ذلك وزارة الطاقة, القوات البحرية, جيش, داربا, ووزارة الأمن الداخلي. تشهد الشركة حاليًا نموًا كبيرًا, وتوظيف موظفين مؤهلين في تصميم أجهزة الطاقة والكاشف, تلفيق, والاختبار. لمعرفة المزيد, يرجى زيارة www.genesicsemi.com.

دالاس, فيرجينيا, September 28, 2010 - وكالة المشاريع البحثية المتقدمة - الطاقة (ARPA-E) أبرمت اتفاقية تعاونية مع فريق GeneSiC الذي يقوده أشباه الموصلات من أجل تطوير كربيد السيليكون الجديد عالي الجهد (كربيد كربيد) الأجهزة القائمة على الثايرستور. من المتوقع أن تكون هذه الأجهزة عوامل تمكين رئيسية لدمج محطات طاقة الرياح والطاقة الشمسية على نطاق واسع في الجيل التالي من الشبكة الذكية.

"ستسمح لنا هذه الجائزة التنافسية للغاية لشركة GeneSiC بتوسيع مركزنا الريادي التقني في تقنية كربيد السيليكون متعدد كيلوفولت, بالإضافة إلى التزامنا بحلول الطاقة البديلة على نطاق الشبكة مع حلول الحالة الصلبة,”علق د. رانبير سينغ, رئيس GeneSiC. "Multi-kV SiC Thyristors التي نعمل على تطويرها هي تقنية التمكين الرئيسية نحو تحقيق أنظمة نقل التيار المتردد المرنة (حقائق) العناصر والجهد العالي DC (HVDC) المعماريات المتوخاة نحو متكامل, فعالة, الشبكة الذكية للمستقبل. توفر الثايرستور المستندة إلى SiC من GeneSiC جهدًا أعلى 10 مرات, 100X ترددات تبديل أسرع وتشغيل درجة حرارة أعلى في حلول معالجة الطاقة FACTS و HVDC مقارنة بالثايرستور التقليدي القائم على السيليكون. "

في أبريل 2010, استجابت GeneSiC للتسليم السريع لتكنولوجيا الطاقة الكهربائية (ADEPT) التماس من ARPA-E الذي سعى إلى الاستثمار في المواد من أجل التقدم الأساسي في مفاتيح الجهد العالي التي لديها القدرة على تجاوز أداء محول الطاقة الحالي مع تقديم تخفيضات في التكلفة. تم اختيار اقتراح الشركة بعنوان "الثايرستور بتبديل أنود كربيد السيليكون لتحويل طاقة الجهد المتوسط" لتوفير وزن خفيف, الحالة الصلبة, تحويل طاقة الجهد المتوسط ​​لتطبيقات الطاقة العالية مثل المحطات الفرعية الكهربائية ذات الحالة الصلبة ومولدات توربينات الرياح. يمكن أن يؤدي نشر تقنيات أشباه موصلات الطاقة المتقدمة هذه إلى توفير ما يصل إلى 25-30 خفض استهلاك الكهرباء بنسبة مئوية من خلال زيادة الكفاءة في توصيل الطاقة الكهربائية. الابتكارات التي تم اختيارها كانت لدعم وتعزيز الولايات المتحدة. الأعمال من خلال الريادة التكنولوجية, من خلال عملية تنافسية للغاية.

كربيد السيليكون هو مادة من الجيل التالي من أشباه الموصلات تتمتع بخصائص متفوقة إلى حد كبير مقارنة بالسيليكون التقليدي, مثل القدرة على التعامل مع الجهد عشر مرات - ومائة ضعف التيار - في درجات حرارة تصل إلى 300 درجة مئوية. هذه الخصائص تجعلها مناسبة بشكل مثالي للتطبيقات عالية الطاقة مثل السيارات الهجينة والكهربائية, طاقة متجددة (الرياح والطاقة الشمسية) المنشآت, وأنظمة التحكم في الشبكة الكهربائية.

لقد ثبت الآن أن الجهد العالي للغاية (>10كيلو فولت) Silicon Carbide (كربيد كربيد) ستلعب تقنية الجهاز دورًا ثوريًا في شبكة المرافق من الجيل التالي. توفر أجهزة SiC المستندة إلى الثايرستور أعلى أداء على مستوى الحالة لـ >5 أجهزة كيلو فولت, وهي قابلة للتطبيق على نطاق واسع في دوائر تحويل الطاقة ذات الجهد المتوسط ​​مثل محددات التيار الخاطئ, محولات AC-DC, معوضات VAR الثابتة والمعادلات التسلسلية. توفر الثايرستور القائم على SiC أيضًا أفضل فرصة للتبني المبكر نظرًا لتشابهها مع عناصر شبكة الطاقة التقليدية. تشمل التطبيقات والمزايا الواعدة الأخرى لهذه الأجهزة:

• مطلوب أنظمة إدارة الطاقة وتكييف الطاقة لتحويل DC ذات الجهد المتوسط ​​تحت القدرة البحرية المستقبلية (FNC) البحرية الأمريكية, أنظمة الإطلاق الكهرومغناطيسية, أنظمة الأسلحة عالية الطاقة والتصوير الطبي. تسمح قدرة تردد التشغيل الأعلى 10-100X بتحسينات غير مسبوقة في الحجم, وزن, الحجم وفي النهاية, تكلفة هذه الأنظمة.
• مجموعة متنوعة من تخزين الطاقة, تطبيقات فيزياء درجات الحرارة العالية والطاقة العالية. تحظى تطبيقات تخزين الطاقة وشبكات الطاقة باهتمام متزايد حيث يركز العالم على حلول إدارة الطاقة الأكثر كفاءة وفعالية من حيث التكلفة.

GeneSiC هو مبتكر سريع الظهور في مجال أجهزة طاقة SiC ولديه التزام قوي بتطوير كربيد السيليكون (كربيد كربيد) الأجهزة القائمة على: (أ) أجهزة HV-HF SiC لشبكة الطاقة, القوة النبضية وأسلحة الطاقة الموجهة; و (ب) أجهزة طاقة كربيد كربيد عالية الحرارة لمشغلات الطائرات واستكشاف النفط.

“لقد برزنا كشركة رائدة في تقنية SiC عالية الجهد من خلال الاستفادة من كفاءتنا الأساسية في تصميم الأجهزة والعمليات من خلال مجموعة واسعة من التصنيع, التوصيف, ومرافق الاختبار,"يختتم د. سينغ. "لقد تم الآن التحقق من صحة موقف GeneSiC بشكل فعال من قبل وزارة الطاقة الأمريكية من خلال جائزة المتابعة الهامة هذه."

حول GeneSiC لأشباه الموصلات

موقع استراتيجي بالقرب من واشنطن, العاصمة في دالاس, فرجينيا, شركة GeneSiC Semiconductor. هو مبتكر رائد في درجات الحرارة العالية, كربيد السيليكون عالي الطاقة وعالي الجهد (كربيد كربيد) الأجهزة. تشمل مشاريع التطوير الحالية مقومات درجات الحرارة العالية, الترانزستورات SuperJunction (SJT) ومجموعة متنوعة من الأجهزة التي تعتمد على الثايرستور. تمتلك GeneSiC أو لديها عقود أساسية / فرعية من وكالات حكومية أمريكية رئيسية, بما في ذلك وزارة الطاقة, القوات البحرية, جيش, داربا, ووزارة الأمن الداخلي. تشهد الشركة حاليًا نموًا كبيرًا, وتوظيف موظفين مؤهلين في تصميم أجهزة الطاقة والكاشف, تلفيق, والاختبار. لمعرفة المزيد, يرجى زيارة www.genesicsemi.com.

Wednesday, November 12th 2008 – The US Department of Energy has awarded GeneSiC Semiconductor two separate grants totaling $1.5M for the development of high-voltage silicon carbide (كربيد كربيد) devices that will serve as key enablers for wind- and solar-power integration with the nation’s electricity grid.

“These awards demonstrate the DOE’s confidence in GeneSiC’s capabilities, as well as its commitment to alternative energy solutions,” notes Dr. رانبير سينغ, president of GeneSiC. “An integrated, efficient power grid is critical to the nation’s energy future — and the SiC devices we’re developing are critical for overcoming the inefficiencies of conventional silicon technologies.”

The first award is a $750k Phase II SBIR grant for the development of fast, ultra-high-voltage SiC bipolar devices. The second is a $750k Phase II STTR grant for the development of optically gated high-power SiC switches.

Silicon carbide is a next-generation semiconductor material with the ability to handle 10x the voltage and 100x the current of silicon, making it ideally suited to high-power applications such as renewable energy (الرياح والطاقة الشمسية) installations and electrical-grid control systems.

Specifically, the two awards are for:

• Development of high-frequency, multi-kilovolt SiC gate-turn-off (GTO) power devices. Government and commercial applications include power-management and conditioning systems for ships, the utility industry, and medical imaging.
• Design and fabrication of optically gated high-voltage, high-power SiC switching devices. Using fiber-optics to switch power is an ideal solution for environments plagued by electro-magnetic interference (EMI), and applications that require ultra high-voltages.

The SiC devices GeneSiC is developing serve a variety of energy storage, power grid, and military applications, which are receiving increasing attention as the world focuses on more efficient and cost-effective energy-management solutions.

Based outside Washington, العاصمة في دالاس, فرجينيا, شركة GeneSiC Semiconductor. هو مبتكر رائد في درجات الحرارة العالية, كربيد السيليكون عالي الطاقة وعالي الجهد (كربيد كربيد) الأجهزة. تشمل مشاريع التطوير الحالية مقومات درجات الحرارة العالية, field-effect transistors (FETs) and bipolar devices, as well as particle & كاشفات فوتونية. GeneSiC has prime/sub-contracts from major US Government agencies, بما في ذلك وزارة الطاقة, القوات البحرية, داربا, ووزارة الأمن الداخلي. تشهد الشركة حاليًا نموًا كبيرًا, وتوظيف موظفين مؤهلين في تصميم أجهزة الطاقة والكاشف, تلفيق, والاختبار. لمعرفة المزيد, يرجى زيارة www.genesicsemi.com.

دالاس, فيرجينيا, Oct. 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., a fast-rising innovator of high-temperature, كربيد السيليكون عالي الطاقة وعالي الجهد (كربيد كربيد) الأجهزة, announced that is has been awarded three separate small business grants from the US Department of Energy during FY07. The SBIR and STTR grants will be used by GeneSiC to demonstrate novel high-voltage SiC devices for a variety of energy storage, power grid, تطبيقات فيزياء درجات الحرارة العالية والطاقة العالية. Energy storage and power grid applications are receiving increasing attention as the world focuses on more efficient and cost-effective energy management solutions.

“We are pleased with the level of confidence expressed by various offices within the US Department on Energy with regard to our high-power device solutions. Injecting this funding into our advanced SiC technology programs will result in an industry-leading line SiC devices,” commented GeneSiC’s President, Dr. رانبير سينغ. “The devices being developed in these projects promise to provide critical enabling technology to support a more-efficient power grid, and will open the door to new commercial and military hardware technology that has remained unrealized due to the limitations of contemporary silicon-based technologies.”

The three projects include:

• A new Phase I SBIR award focused on high current, multi-kV Thyristor-based devices geared towards energy storage applications.
• A Phase II SBIR follow-on award for development of multi-kV SiC power devices for high voltage power supplies for high power RF system applications awarded by the DOE Office of Science.
• A Phase I STTR award focused on optically gated high-voltage, high-frequency SiC power devices for environments rich in electro-magnetic interference, including high power RF energy systems, and directed energy weapon systems.

Along with the awards, GeneSiC has recently relocated operations to an expanded laboratory and office building in Dulles, فرجينيا, significantly upgrading its equipment, infrastructure and is in the process of adding additional key personnel.

“تستفيد شركة GeneSiC من كفاءتها الأساسية في تصميم الأجهزة والعمليات لتطوير أفضل أجهزة SiC الممكنة لعملائها, backing that up with access to an extensive suite of fabrication, characterization and testing facilities,” concluded Dr. سينغ. “We feel those capabilities have been effectively validated by the US DOE with these new and follow-on awards.”

يمكن الحصول على معلومات إضافية حول الشركة ومنتجاتها عن طريق الاتصال بـ GeneSiC على 703-996-8200 أو عن طريق الزيارة www.genesicsemi.com.