GeneSiC يفوز بجائزة R المرموقة&D100 Award for SiC Devices in Grid-connected Solar and Wind Energy Applications

دالاس, فيرجينيا, July 14, 2011 — ر&D Magazine has selected GeneSiC Semiconductor Inc. of Dulles, VA as a recipient of the prestigious 2011 ر&D 100 Award for the commercialization of Silicon Carbide devices with high voltage ratings.

شركة GeneSiC Semiconductor, a key innovator in the Silicon Carbide based power devices was honored last week with the announcement that it has been awarded the prestigious 2011 ر&D 100 Award. This award recognizes GeneSiC for introducing one of the most significant, newly introduced research and development advances among multiple disciplines during 2010. ر&D Magazine recognized GeneSiC’s Ultra-High Voltage SiC Thyristor for its ability to achieve blocking voltages and frequencies never utilized before towards power electronics demonstrations. The voltage ratings of >6.5كيلو فولت, on-state current rating of 80 A and operating frequencies of >5 kHz are much higher than those previously introduced in the marketplace. These capabilities achieved by GeneSiC’s Thyristors critically enable power electronics researchers to develop grid-tied inverters, Flexible

AC Transmission Systems (حقائق) and High Voltage DC Systems (HVDC). This will allow new inventions and product developments within renewable energy, solar inverters, wind power inverters, and energy storage industries. Dr. رانبير سينغ, President of GeneSiC Semiconductor comented “It is anticipated that large-scale markets in solid-state electrical substations and wind turbine generators will open up after researchers in the power conversion arena will fully realize the benefits of SiC Thyristors. These first generation SiC Thyristors utilize the lowest demonstrated on-state voltage drop and differential on-resistances ever achieved in SiC Thyristors. We intend to release future generations of SiC Thyristors optimized for Gate-controlled Turn Off capability and pulsed power capability and >10kV ratings. As we continue to develop high temperature ultra-high voltage packaging solutions, the present 6.5kV Thyristors are packaged in modules with fully soldered contacts, limited to 150oC junction temperatures.” Since this product was launched in October 2010, GeneSiC has booked orders from multiple customers towards demonstration of advanced power electronics hardware using these Silicon Carbide Thyristors. GeneSiC continues to develop its family of Silicon Carbide Thyristor products. The R&D on early version for power conversion applications were developed through SBIR funding support from US Dept. of Energy. More advanced, Pulsed Power optimized SiC Thyristors are being developed under another SBIR contract with ARDEC, US Army. Using these technical developments, internal investment from GeneSiC and commercial orders from multiple customers, GeneSiC was able to offer these UHV Thyristors as commercial products.

The 49th annual technology competition run by R&D Magazine evaluated entries from various companies and industry players, research organizations and universities around the world. The magazine’s editors and a panel of outside experts served as judges, evaluating each entry in terms of its importance to the world of science and research.

According to R&D Magazine, winning an R&D 100 Award provides a mark of excellence known to industry, government, and academia as proof that the product is one of the most innovative ideas of the year. This award recognizes GeneSiC as a global leader in the creation of technology-based products that make a difference in how we work and live.

حول GeneSiC لأشباه الموصلات, شركة.

GeneSiC هو مبتكر سريع الظهور في مجال أجهزة طاقة SiC ولديه التزام قوي بتطوير كربيد السيليكون (كربيد كربيد) الأجهزة القائمة على: (أ) أجهزة HV-HF SiC لشبكة الطاقة, القوة النبضية وأسلحة الطاقة الموجهة; و (ب) أجهزة طاقة كربيد كربيد عالية الحرارة لمشغلات الطائرات واستكشاف النفط. شركة GeneSiC Semiconductor. يطور كربيد السيليكون (كربيد كربيد) أجهزة أشباه الموصلات القائمة على درجات الحرارة العالية, إشعاع, وتطبيقات شبكة الطاقة. وهذا يشمل تطوير المقومات, FETs, الأجهزة ثنائية القطب وكذلك الجسيمات & كاشفات فوتونية. يتمتع GeneSiC بإمكانية الوصول إلى مجموعة واسعة من تصميمات أشباه الموصلات, تلفيق, مرافق التوصيف والاختبار لهذه الأجهزة. تستفيد شركة GeneSiC من كفاءتها الأساسية في تصميم الأجهزة والعمليات لتطوير أفضل أجهزة SiC الممكنة لعملائها. تميز الشركة نفسها من خلال توفير منتجات عالية الجودة يتم ضبطها خصيصًا وفقًا لمتطلبات كل عميل. تمتلك GeneSiC عقودًا أساسية / فرعية من الوكالات الحكومية الأمريكية الرئيسية بما في ذلك ARPA-E, وزارة الطاقة الأمريكية, القوات البحرية, داربا, قسم الأمن الداخلي, وزارة التجارة والإدارات الأخرى داخل وزارة الولايات المتحدة. الدفاع. تواصل GeneSiC تحسين المعدات والبنية التحتية للأفراد بسرعة في Dulles, منشأة فرجينيا. تقوم الشركة بتوظيف أفراد من ذوي الخبرة في تصنيع أجهزة أشباه الموصلات المركبة بقوة, اختبار أشباه الموصلات وتصميمات الكاشف. يمكن الحصول على معلومات إضافية حول الشركة ومنتجاتها عن طريق الاتصال بـ GeneSiC على 703-996-8200 أو عن طريق الزيارة www.genesicsemi.com.