دالاس, فيرجينيا, نوفمبر. 1, 2010 –In a first of its kind offering, GeneSiC Semiconductor announces the availability of a family of 6.5kV SCR-mode Silicon Carbide Thyristors for use in power electronics for Smart Grid applications. Revolutionary performance advantages of these power devices are expected to spur key innovations in utility-scale power electronics hardware to increase the accessibility and exploitation of Distributed Energy Resources (DER). “Until now, multi-kV Silicon Carbide (كربيد كربيد) power devices were not openly available to US researchers to fully exploit the well-known advantages– namely 2-10kHz operating frequencies at 5-15kV ratings – of SiC-based power devices.” commented Dr. رانبير سينغ, رئيس GeneSiC. “GeneSiC has recently completed delivery of many 6.5kV/40A, 6.5kV/60A and 6.5kV/80A Thyristors to multiple customers conducting research in renewable energy, Army and Naval power system applications. SiC devices with these ratings are now being offered more widely.”
Silicon Carbide based Thyristors offer 10X higher voltage, 100X faster switching frequencies and higher temperature operation as compared to conventional Silicon-based Thyristors. Targeted applications research opportunities for these devices include general purpose medium voltage power conversion (MVDC), Grid-tied solar inverters, wind power inverters, pulsed power, weapon systems, ignition control, and trigger control. لقد ثبت الآن أن الجهد العالي للغاية (>10كيلو فولت) Silicon Carbide (كربيد كربيد) ستلعب تقنية الجهاز دورًا ثوريًا في شبكة المرافق من الجيل التالي. توفر أجهزة SiC المستندة إلى الثايرستور أعلى أداء على مستوى الحالة لـ >5 أجهزة كيلو فولت, وهي قابلة للتطبيق على نطاق واسع في دوائر تحويل الطاقة ذات الجهد المتوسط مثل محددات التيار الخاطئ, محولات AC-DC, Static VAR compensators and Series Compensators. توفر الثايرستور القائم على SiC أيضًا أفضل فرصة للتبني المبكر نظرًا لتشابهها مع عناصر شبكة الطاقة التقليدية. يمكن أن يؤدي نشر تقنيات أشباه موصلات الطاقة المتقدمة هذه إلى توفير ما يصل إلى 25-30 خفض استهلاك الكهرباء بنسبة مئوية من خلال زيادة الكفاءة في توصيل الطاقة الكهربائية.
Dr. Singh continues “It is anticipated that large-scale markets in solid-state electrical substations and wind turbine generators will open up after researchers in the power conversion arena will fully realize the benefits of SiC Thyristors. These first generation SiC Thyristors utilize the lowest demonstrated on-state voltage drop and differential on-resistances ever achieved in SiC Thyristors. We intend to release future generations of SiC Thyristors optimized for Gate-controlled Turn Off capability and >10kV ratings. As we continue to develop high temperature ultra-high voltage packaging solutions, the present 6.5kV Thyristors are packaged in modules with fully soldered contacts, limited to 150oC junction temperatures.” GeneSiC is a fast emerging innovator in the area of SiC power devices and has a strong commitment to the development of Silicon Carbide (كربيد كربيد) الأجهزة القائمة على: (أ) أجهزة HV-HF SiC لشبكة الطاقة, القوة النبضية وأسلحة الطاقة الموجهة; و (ب) أجهزة طاقة كربيد كربيد عالية الحرارة لمشغلات الطائرات واستكشاف النفط.
Located near Washington, العاصمة في دالاس, فرجينيا, شركة GeneSiC Semiconductor. هو مبتكر رائد في درجات الحرارة العالية, كربيد السيليكون عالي الطاقة وعالي الجهد (كربيد كربيد) الأجهزة. تشمل مشاريع التطوير الحالية مقومات درجات الحرارة العالية, الترانزستورات SuperJunction (SJT) ومجموعة متنوعة من الأجهزة التي تعتمد على الثايرستور. تمتلك GeneSiC أو لديها عقود أساسية / فرعية من وكالات حكومية أمريكية رئيسية, بما في ذلك وزارة الطاقة, القوات البحرية, جيش, داربا, ووزارة الأمن الداخلي. تشهد الشركة حاليًا نموًا كبيرًا, وتوظيف موظفين مؤهلين في تصميم أجهزة الطاقة والكاشف, تلفيق, والاختبار. لمعرفة المزيد, يرجى زيارة www.genesicsemi.com.
