杜勒斯, 弗吉尼亚。, 行进 5, 2013 — GeneSiC半导体, 各种碳化硅的先驱和全球供应商 (碳化硅) power semiconductors 今天宣布其第二代混合微型模块的即时可用性使用 1200 具有坚固硅 IGBT 的 V/100 安培 SiC 肖特基整流器 – GB100XCP12-227. 该产品发布的性能价格点允许许多功率转换应用受益于成本/尺寸/重量/体积的降低，这两种解决方案都不是硅 IGBT/硅整流器解决方案, 纯 SiC 模块也无法提供. 这些器件适用于各种应用，包括工业电机, 太阳能逆变器, 专用设备和电网应用.
SiC 肖特基/Si IGBT 微型模块 (联合包装) GeneSiC 提供的硅 IGBT 具有正温度系数的导通压降, 坚固的穿通设计, 能够由商业驱动的高温操作和快速开关特性, 普遍可用 15 V IGBT 栅极驱动器. 这些 Co-pack 模块中使用的 SiC 整流器允许极低的电感封装, 导通压降低，无反向恢复. SOT-227 封装提供隔离底板, 12mm 薄型设计，可非常灵活地用作独立电路元件, 大电流并联配置, 相腿 (两个模块), 或作为斩波电路元件.
“自该产品首次推出以来，我们几乎听取了主要客户的意见 2 几年前. 这二代 1200 V/100 A Co-pack产品具有适合高频的低电感设计, 高温应用. 硅二极管较差的高温和反向恢复特性严重限制了IGBT在较高温度下的使用. GeneSiC 的低 VF, 低电容 SiC 肖特基二极管实现了这一突破性产品” 博士说. 兰比尔·辛格, GeneSiC半导体总裁.
1200 V/100 A Si IGBT/SiC 整流器技术亮点
- 通态下降 1.9 电压 100 一种
- VF 上的正温度系数
- 最高温度 = 175°C
- 开启能量损失 23 微焦耳 (典型的).
所有设备都是 100% 经过全电压/电流额定值测试并采用无卤素封装, 符合 RoHS 的行业标准 SOT-227 封装. 这些设备可立即从 GeneSiC 的授权经销商处购买.
关于 GeneSiC 半导体公司.
GeneSiC半导体公司. 是高温领域的领先创新者, 高功率超高压碳化硅 (碳化硅) 设备, 和广泛的功率半导体的全球供应商. 其器件组合包括基于 SiC 的整流器, 晶体管, 和晶闸管产品, 以及硅整流产品. GeneSiC 开发了广泛的知识产权和技术知识，涵盖了 SiC 功率器件的最新进展, 面向替代能源的产品, 汽车, 下石油钻井, 电机控制, 电源, 运输, 和不间断电源应用. GeneSiC获得美国政府机构多项研发合同, 包括 ARPA-E, 能源部, 海军, 军队, DARPA, 国防情报局, 和国土安全部, 以及主要政府主承包商. 在 2011, 公司荣获久负盛名的R&超高压 SiC 晶闸管商业化 D100 奖.
