週三, 11月12日 2008 – 美國能源部已授予 GeneSiC Semiconductor 兩項單獨的贈款，總額為 150 萬美元，用於開發高壓碳化矽 (碳化矽) 將成為風能關鍵推動力的設備- 太陽能與國家電網的整合.
“這些獎項表明 DOE 對 GeneSiC 的能力充滿信心, 以及對替代能源解決方案的承諾,”博士指出. 蘭比爾·辛格, GeneSiC 總裁. “一個綜合, 高效的電網對國家的能源未來至關重要——我們正在開發的 SiC 器件對於克服傳統矽技術的低效率至關重要。”
第一個獎項是 75 萬美元的第二階段 SBIR 贈款，用於開發快速, 超高壓碳化矽雙極器件. 第二個是 75 萬美元的第二階段 STTR 贈款，用於開發光門控大功率 SiC 開關.
碳化矽是下一代半導體材料，能夠處理 10 倍於矽的電壓和 100 倍於矽的電流, 使其非常適合高功率應用，例如可再生能源 (風能和太陽能) 裝置和電網控制系統.
具體來說, 這兩個獎項是為:
- 開發高頻, 千伏級 SiC 柵極關斷 (GTO) 電力設備. 政府和商業應用包括船舶的電源管理和調節系統, 公用事業行業, 和醫學影像.
- 光門控高壓的設計與製造, 大功率 SiC 開關器件. 使用光纖切換電源是受電磁干擾困擾的環境的理想解決方案 (電磁干擾), 和需要超高壓的應用.
GeneSiC 正在開發的 SiC 器件可用於各種儲能, 電網, 和軍事應用, 隨著世界關注更高效和更具成本效益的能源管理解決方案，它們正受到越來越多的關注.
總部設在華盛頓以外, DC在杜勒斯, 弗吉尼亞州, GeneSiC半導體公司. 是高溫領域的領先創新者, 大功率超高壓碳化矽 (碳化矽) 設備. 目前的開發項目包括高溫整流器, 場效應晶體管 (場效應管) 和雙極器件, 以及粒子 & 光子探測器. GeneSiC 擁有來自美國主要政府機構的主要/分包合同, 包括能源部, 海軍, 美國國防部高級研究計劃局, 和國土安全部. 公司目前正在經歷大幅增長, 並聘請合格的功率器件和探測器設計人員, 製造, 和測試. 了解更多, 請拜訪 www.genesicsemi.com.
