Aug 30, 2011 – Dulles, VA – New Physics Lets Thyristors Reach Higher Level
An electric power grid supplies reliable power with the help of electronic devices that ensure smooth, reliable power flow. Until now, silicon-based assemblies have been relied upon, but they have been unable to handle the requirements of the smart grid. Wide-band-gap materials such as silicon carbide (SiC) offer a better alternative as they are capable of higher switching speeds, a higher breakdown voltage, lower switching losses, and a higher junction temperature than traditional silicon-based switches. The first such SiC-based device to reach market is the Ultra-high-voltage Silicon Carbide Thyristor (Tyrystor SiC), opracowany przez GeneSiC Semiconductor Inc., Tępy, W., przy wsparciu Sandia National Laboratories, Albuquerque, N.M., Stany Zjednoczone. Departament Energii/Dostawy Energii Elektrycznej, i USA. Badania nad armią / uzbrojeniem, Centrum Rozwoju i Inżynierii, Arsenał Picatinny, N.J..
Twórcy przyjęli dla tego urządzenia inną fizykę działania, który obsługuje transport przewoźników mniejszościowych i zintegrowany prostownik trzeciego terminala, czyli o jeden więcej niż inne komercyjne urządzenia SiC. Deweloperzy przyjęli nową technikę produkcji, która obsługuje powyższe oceny 6,500 V, a także nowy projekt bramki-anody dla urządzeń wysokoprądowych. Możliwość pracy w temperaturach do 300 C i prąd o godz 80 ZA, Tyrystor SiC oferuje do 10 razy wyższe napięcie, czterokrotnie wyższe napięcia blokujące, i 100 razy większa częstotliwość przełączania niż tyrystory krzemowe.
