ĆWICZENIA, W., luty. 25, 2013 /PRNewswire-iReach/ — GeneSiC Semiconductor, pionierem i globalnym dostawcą szerokiej gamy węglika krzemu (SiC) Power Semiconductors ogłasza dziś natychmiastową dostępność rodziny produktów 1700V i 1200 Tranzystory złączowe V SiC. Zawierające wysokie napięcie, high frequency and high-temperature capable SiC Junction Transistors will increase conversion efficiency and reduce the size/weight/volume of power electronics. These devices are targeted for use in a wide variety of applications including server, telecom and networking power supplies, uninterruptable power supplies, solar inverters, industrial motor control systems, and downhole applications.
Tranzystory złączowe oferowane przez GeneSiC wykazują zdolność ultraszybkiego przełączania, kwadratowy obszar bezpiecznej pracy z polaryzacją zaporową (RBSOA), jak również niezależne od temperatury przejściowe straty energii i czasy przełączania. Te przełączniki są wolne od bramek tlenkowych, normalnie wyłączone, wykazują dodatni współczynnik temperaturowy rezystancji włączenia, i nadają się do jazdy komercyjnej, powszechnie dostępne 15 Sterowniki bramek V IGBT, w przeciwieństwie do innych przełączników SiC. Oferując jednocześnie kompatybilność ze sterownikami SiC JFET, Junction Transistors can be easily paralleled because of their matching transient characteristics.
“As power system designers continue to push the limits of operating frequency, jednocześnie wymagając wysokiej wydajności obwodów, the need SiC switches which can offer a standard of performance and production uniformity. Wykorzystując unikalne innowacje w zakresie urządzeń i produkcji, GeneSiC’s Transistor products help designers achieve all that in a more robust solution,” powiedział Dr. Ranbir Singh , Prezes GeneSiC Semiconductor.
1700 V Junction Transistor Technical Highlights
- Trzy oferty – 110 mOhms (GA16JT17-247); 250 mOhms (GA08JT17-247); i 500 mOhms (GA04JT17-247)
- Tjmax = 175°C
- Turn On/Off Rise/Fall Times <50 typowe nanosekundy.
1200 V Junction Transistor Technical Highlights
- Two offerings – 220 mOhms (GA06JT12-247); i 460 mOhms (GA03JT12-247)
- Tjmax = 175°C
- Turn On/Off Rise/Fall Times <50 typowe nanosekundy
Wszystkie urządzenia są 100% przetestowane pod kątem pełnego napięcia/prądu i obudowane w obudowie bezhalogenowej, RoHS compliant TO-247 packages. Urządzenia są natychmiast dostępne u autoryzowanych dystrybutorów GeneSiC.
