GeneSiC Semiconductor Inc, a key innovator in the Silicon Carbide based power devices was honored last week with the announcement that it has been awarded the prestigious 2011 r&D 100 Nagroda. Nagroda ta wyróżnia firmę GeneSiC za wprowadzenie jednego z najbardziej znaczących, nowo wprowadzone postępy badawczo-rozwojowe w wielu dyscyplinach podczas 2010. r&D Magazine recognized GeneSiC’s Ultra-High Voltage SiC Thyristor for its ability to achieve blocking voltages and frequencies never utilized before towards power electronics demonstrations. The voltage ratings of >6.5kV, on-state current rating of 80 A and operating frequencies of >5 kHz are much higher than those previously introduced in the marketplace. These capabilities achieved by GeneSiC’s Thyristors critically enable power electronics researchers to develop grid-tied inverters, Flexible
AC Transmission Systems (FACTS) and High Voltage DC Systems (HVDC). This will allow new inventions and product developments within renewable energy, solar inverters, falowniki wiatrowe,, and energy storage industries. dr. Ranbir Singh, President of GeneSiC Semiconductor comented “It is anticipated that large-scale markets in solid-state electrical substations and wind turbine generators will open up after researchers in the power conversion arena will fully realize the benefits of SiC Thyristors. Te tyrystory SiC pierwszej generacji wykorzystują najniższy zademonstrowany spadek napięcia w stanie i rezystancję różnicową, jaką kiedykolwiek uzyskano w tyrystorach SiC. We intend to release future generations of SiC Thyristors optimized for Gate-controlled Turn Off capability and pulsed power capability and >10Oceny kV. Ponieważ nadal opracowujemy rozwiązania w zakresie pakowania w wysokich temperaturach i ultrawysokich napięciach, obecne tyrystory 6,5kV są pakowane w moduły z całkowicie lutowanymi stykami, limited to 150oC junction temperatures.” Since this product was launched in October 2010, GeneSiC has booked orders from multiple customers towards demonstration of advanced power electronics hardware using these Silicon Carbide Thyristors. GeneSiC kontynuuje rozwój rodziny produktów tyrystorowych z węglika krzemu. R&D we wczesnej wersji do zastosowań związanych z konwersją mocy zostały opracowane dzięki wsparciu finansowemu SBIR z Departamentu USA. energii. Bardziej zaawansowany, W ramach innego kontraktu SBIR z ARDEC opracowywane są tyrystory SiC zoptymalizowane pod kątem zasilania impulsowego, Armia USA. Korzystanie z tych osiągnięć technicznych, wewnętrzne inwestycje GeneSiC i zamówienia komercyjne od wielu klientów, Firma GeneSiC była w stanie zaoferować te tyrystory UHV jako produkty komercyjne.
49. coroczny konkurs technologiczny prowadzony przez R&Magazyn D ocenił zgłoszenia różnych firm i graczy z branży, organizacje badawcze i uniwersytety na całym świecie. W roli sędziów zasiadali redaktorzy magazynu i panel ekspertów zewnętrznych, ocena każdego wpisu pod kątem jego znaczenia dla świata nauki i badań.
Według R&Magazyn D, wygrywając R&D 100 Nagroda jest znakiem doskonałości znanym branży, rząd, i środowiska akademickiego jako dowód, że produkt jest jednym z najbardziej innowacyjnych pomysłów roku. Nagroda ta uznaje GeneSiC za światowego lidera w tworzeniu produktów opartych na technologii, które mają wpływ na sposób, w jaki pracujemy i żyjemy.
Informacje o półprzewodnikach GeneSiC, Inc.
GeneSiC jest szybko wschodzącym innowatorem w dziedzinie urządzeń zasilających SiC i jest silnie zaangażowany w rozwój węglika krzemu (SiC) oparte na urządzeniach do: (a) Urządzenia HV-HF SiC dla sieci energetycznej, Broń o mocy impulsowej i ukierunkowanej energii; i (b) Wysokotemperaturowe urządzenia zasilające SiC do siłowników lotniczych i poszukiwania ropy naftowej. GeneSiC Semiconductor Inc. rozwija węglik krzemu (SiC) oparte na urządzeniach półprzewodnikowych do wysokich temperatur, promieniowanie, i zastosowania w sieciach energetycznych. Obejmuje to rozwój prostowników, FET, urządzenia bipolarne, a także cząstki & detektory fotoniczne. GeneSiC ma dostęp do obszernego pakietu projektów półprzewodników, produkcja, zaplecze do charakteryzacji i testowania takich urządzeń. GeneSiC wykorzystuje swoją podstawową kompetencję w zakresie projektowania urządzeń i procesów, aby opracować najlepsze możliwe urządzenia SiC dla swoich klientów. Firma wyróżnia się dostarczaniem wysokiej jakości produktów, które są specjalnie dostosowane do wymagań każdego klienta. GeneSiC ma umowy typu prime/sub-contract od głównych agencji rządowych USA, w tym ARPA-E, Departament Energii USA, Marynarka wojenna, DARPA, Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego, Departament Handlu i inne departamenty Departamentu USA. Obrony. GeneSiC nadal szybko ulepsza infrastrukturę sprzętową i kadrową w firmie Dulles, Obiekt w Wirginii. Firma agresywnie zatrudnia personel doświadczony w produkcji złożonych urządzeń półprzewodnikowych, badania półprzewodników i projekty detektorów,. Dodatkowe informacje o firmie i jej produktach można uzyskać dzwoniąc do GeneSiC pod numer 703-996-8200 lub odwiedzając www.genesicsemi.com.
