Tępy, Wirginia., Marsz 5, 2013 — GeneSiC Semiconductor, pionierem i globalnym dostawcą szerokiej gamy węglika krzemu (SiC) power semiconductors today announces the immediate availability of its second generation hybrid mini-modules using 1200 V/100 Amperes SiC Schottky Rectifiers with rugged Silicon IGBTs – the GB100XCP12-227. The performance-price point at which this product is being released allows many power conversion applications to benefit from the reduction of the cost/size/weight/volume that neither Silicon IGBT/ Silicon Rectifier solution, nor a pure SiC Module can offer. These devices are targeted for use in a wide variety of applications including industrial motors, solar inverters, specialized equipment and power grid applications.
SiC Schottky/Si IGBT mini-modules (Co-packs) offered by GeneSiC are made with Si IGBTs that exhibit positive temperature coefficient of on-state drop, robust punchthrough design, high temperature operation and fast switching characteristics that are capable of being driven by commercial, powszechnie dostępne 15 Sterowniki bramek V IGBT. The SiC rectifiers used in these Co-pack modules allow extremely low inductance packages, low on-state voltage drop and no reverse recovery. The SOT-227 package offers isolated baseplate, 12mm low profile design that can be used very flexibly as a standalone circuit element, high current paralleled configuration, a Phase Leg (two modules), or as a chopper circuit element.
“We listened to our key customers since the initial offering of this product almost 2 years back. This second generation 1200 V/100 A Produkt Co-pack ma konstrukcję o niskiej indukcyjności, która jest odpowiednia dla wysokich częstotliwości, zastosowania wysokotemperaturowe. Zła charakterystyka diod krzemowych w zakresie wysokiej temperatury i odzyskiwania wstecznego krytycznie ogranicza zastosowanie tranzystorów IGBT w wyższych temperaturach. GeneSiC’s low VF, Diody SiC Schottky’ego o niskiej pojemności umożliwiają stworzenie tego przełomowego produktu” powiedział Dr. Ranbir Singh, Prezes GeneSiC Semiconductor.
1200 Najważniejsze cechy techniczne prostownika Si IGBT/SiC V/100 A
- On-state Drop of 1.9 V at 100 ZA
- Positive temperature coefficient on VF
- Tjmax = 175°C
- Straty energii po włączeniu 23 mikrodżule (typical).
Wszystkie urządzenia są 100% przetestowane pod kątem pełnego napięcia/prądu i obudowane w obudowie bezhalogenowej, Zgodne ze standardami branżowymi pakiety SOT-227 zgodne z dyrektywą RoHS. Urządzenia są natychmiast dostępne u autoryzowanych dystrybutorów GeneSiC.
O GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc. jest wiodącym innowatorem w dziedzinie wysokich temperatur, węglik krzemu o dużej mocy i ultrawysokim napięciu (SiC) urządzenia, i globalny dostawca szerokiej gamy półprzewodników mocy. Portfolio urządzeń obejmuje prostownik oparty na SiC, tranzystor, i produktów tyrystorowych, a także produkty z prostownikami silikonowymi. GeneSiC rozwinął rozległą własność intelektualną i wiedzę techniczną, która obejmuje najnowsze osiągnięcia w urządzeniach zasilających SiC, z produktami ukierunkowanymi na alternatywne źródła energii, automobilowy, wiercenie ropy naftowej w dół, kontrola silnika, zasilacz, transport, i zastosowań związanych z zasilaniem bezprzerwowym. GeneSiC uzyskał liczne kontrakty badawczo-rozwojowe od agencji rządowych USA, w tym ARPA-E, Departament Energii, Marynarka wojenna, Armia, DARPA, DTRA, oraz Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego, a także głównych głównych wykonawców rządowych. W 2011, firma zdobyła prestiżową nagrodę R&Nagroda D100 za komercjalizację tyrystorów SiC ultrawysokiego napięcia.
