Author: Editor0

ĆWICZENIA, W., luty. 25, 2013 /PRNewswire-iReach/ — GeneSiC Semiconductor, pionierem i globalnym dostawcą szerokiej gamy węglika krzemu (SiC) Power Semiconductors ogłasza dziś natychmiastową dostępność rodziny produktów 1700V i 1200 Tranzystory złączowe V SiC. Zawierające wysokie napięcie, high frequency and high-temperature capable SiC Junction Transistors will increase conversion efficiency and reduce the size/weight/volume of power electronics. These devices are targeted for use in a wide variety of applications including server, telecom and networking power supplies, uninterruptable power supplies, solar inverters, industrial motor control systems, and downhole applications.

Tranzystory złączowe oferowane przez GeneSiC wykazują zdolność ultraszybkiego przełączania, kwadratowy obszar bezpiecznej pracy z polaryzacją zaporową (RBSOA), jak również niezależne od temperatury przejściowe straty energii i czasy przełączania. Te przełączniki są wolne od bramek tlenkowych, normalnie wyłączone, wykazują dodatni współczynnik temperaturowy rezystancji włączenia, i nadają się do jazdy komercyjnej, powszechnie dostępne 15 Sterowniki bramek V IGBT, w przeciwieństwie do innych przełączników SiC. Oferując jednocześnie kompatybilność ze sterownikami SiC JFET, Junction Transistors can be easily paralleled because of their matching transient characteristics.

“As power system designers continue to push the limits of operating frequency, jednocześnie wymagając wysokiej wydajności obwodów, the need SiC switches which can offer a standard of performance and production uniformity. Wykorzystując unikalne innowacje w zakresie urządzeń i produkcji, GeneSiC’s Transistor products help designers achieve all that in a more robust solution,” powiedział Dr. Ranbir Singh , Prezes GeneSiC Semiconductor.

1700 V Junction Transistor Technical Highlights

• Trzy oferty – 110 mOhms (GA16JT17-247); 250 mOhms (GA08JT17-247); i 500 mOhms (GA04JT17-247)
• Tjmax = 175°C
• Turn On/Off Rise/Fall Times <50 typowe nanosekundy.

1200 V Junction Transistor Technical Highlights

• Two offerings – 220 mOhms (GA06JT12-247); i 460 mOhms (GA03JT12-247)
• Tjmax = 175°C
• Turn On/Off Rise/Fall Times <50 typowe nanosekundy

Wszystkie urządzenia są 100% przetestowane pod kątem pełnego napięcia/prądu i obudowane w obudowie bezhalogenowej, RoHS compliant TO-247 packages. Urządzenia są natychmiast dostępne u autoryzowanych dystrybutorów GeneSiC.

Aug 30, 2011 – Dulles, VA – New Physics Lets Thyristors Reach Higher Level

An electric power grid supplies reliable power with the help of electronic devices that ensure smooth, reliable power flow. Until now, silicon-based assemblies have been relied upon, but they have been unable to handle the requirements of the smart grid. Wide-band-gap materials such as silicon carbide (SiC) offer a better alternative as they are capable of higher switching speeds, a higher breakdown voltage, lower switching losses, and a higher junction temperature than traditional silicon-based switches. The first such SiC-based device to reach market is the Ultra-high-voltage Silicon Carbide Thyristor (Tyrystor SiC), opracowany przez GeneSiC Semiconductor Inc., Tępy, W., przy wsparciu Sandia National Laboratories, Albuquerque, N.M., Stany Zjednoczone. Departament Energii/Dostawy Energii Elektrycznej, i USA. Badania nad armią / uzbrojeniem, Centrum Rozwoju i Inżynierii, Arsenał Picatinny, N.J..

Twórcy przyjęli dla tego urządzenia inną fizykę działania, który obsługuje transport przewoźników mniejszościowych i zintegrowany prostownik trzeciego terminala, czyli o jeden więcej niż inne komercyjne urządzenia SiC. Deweloperzy przyjęli nową technikę produkcji, która obsługuje powyższe oceny 6,500 V, a także nowy projekt bramki-anody dla urządzeń wysokoprądowych. Możliwość pracy w temperaturach do 300 C i prąd o godz 80 ZA, Tyrystor SiC oferuje do 10 razy wyższe napięcie, czterokrotnie wyższe napięcia blokujące, i 100 razy większa częstotliwość przełączania niż tyrystory krzemowe.

ĆWICZENIA, VA, Lipiec 14, 2011 — r&D Magazine wybrał GeneSiC Semiconductor Inc. Dullesa, VA jako odbiorca prestiżowej 2011 r&D 100 Award for the commercialization of Silicon Carbide devices with high voltage ratings.

GeneSiC Semiconductor Inc, a key innovator in the Silicon Carbide based power devices was honored last week with the announcement that it has been awarded the prestigious 2011 r&D 100 Nagroda. Nagroda ta wyróżnia firmę GeneSiC za wprowadzenie jednego z najbardziej znaczących, nowo wprowadzone postępy badawczo-rozwojowe w wielu dyscyplinach podczas 2010. r&D Magazine recognized GeneSiC’s Ultra-High Voltage SiC Thyristor for its ability to achieve blocking voltages and frequencies never utilized before towards power electronics demonstrations. The voltage ratings of >6.5kV, on-state current rating of 80 A and operating frequencies of >5 kHz are much higher than those previously introduced in the marketplace. These capabilities achieved by GeneSiC’s Thyristors critically enable power electronics researchers to develop grid-tied inverters, Flexible

AC Transmission Systems (FACTS) and High Voltage DC Systems (HVDC). This will allow new inventions and product developments within renewable energy, solar inverters, falowniki wiatrowe,, and energy storage industries. dr. Ranbir Singh, President of GeneSiC Semiconductor comented “It is anticipated that large-scale markets in solid-state electrical substations and wind turbine generators will open up after researchers in the power conversion arena will fully realize the benefits of SiC Thyristors. Te tyrystory SiC pierwszej generacji wykorzystują najniższy zademonstrowany spadek napięcia w stanie i rezystancję różnicową, jaką kiedykolwiek uzyskano w tyrystorach SiC. We intend to release future generations of SiC Thyristors optimized for Gate-controlled Turn Off capability and pulsed power capability and >10Oceny kV. Ponieważ nadal opracowujemy rozwiązania w zakresie pakowania w wysokich temperaturach i ultrawysokich napięciach, obecne tyrystory 6,5kV są pakowane w moduły z całkowicie lutowanymi stykami, limited to 150oC junction temperatures.” Since this product was launched in October 2010, GeneSiC has booked orders from multiple customers towards demonstration of advanced power electronics hardware using these Silicon Carbide Thyristors. GeneSiC kontynuuje rozwój rodziny produktów tyrystorowych z węglika krzemu. R&D we wczesnej wersji do zastosowań związanych z konwersją mocy zostały opracowane dzięki wsparciu finansowemu SBIR z Departamentu USA. energii. Bardziej zaawansowany, W ramach innego kontraktu SBIR z ARDEC opracowywane są tyrystory SiC zoptymalizowane pod kątem zasilania impulsowego, Armia USA. Korzystanie z tych osiągnięć technicznych, wewnętrzne inwestycje GeneSiC i zamówienia komercyjne od wielu klientów, Firma GeneSiC była w stanie zaoferować te tyrystory UHV jako produkty komercyjne.

49. coroczny konkurs technologiczny prowadzony przez R&Magazyn D ocenił zgłoszenia różnych firm i graczy z branży, organizacje badawcze i uniwersytety na całym świecie. W roli sędziów zasiadali redaktorzy magazynu i panel ekspertów zewnętrznych, ocena każdego wpisu pod kątem jego znaczenia dla świata nauki i badań.

Według R&Magazyn D, wygrywając R&D 100 Nagroda jest znakiem doskonałości znanym branży, rząd, i środowiska akademickiego jako dowód, że produkt jest jednym z najbardziej innowacyjnych pomysłów roku. Nagroda ta uznaje GeneSiC za światowego lidera w tworzeniu produktów opartych na technologii, które mają wpływ na sposób, w jaki pracujemy i żyjemy.

Informacje o półprzewodnikach GeneSiC, Inc.

GeneSiC jest szybko wschodzącym innowatorem w dziedzinie urządzeń zasilających SiC i jest silnie zaangażowany w rozwój węglika krzemu (SiC) oparte na urządzeniach do: (a) Urządzenia HV-HF SiC dla sieci energetycznej, Broń o mocy impulsowej i ukierunkowanej energii; i (b) Wysokotemperaturowe urządzenia zasilające SiC do siłowników lotniczych i poszukiwania ropy naftowej. GeneSiC Semiconductor Inc. rozwija węglik krzemu (SiC) oparte na urządzeniach półprzewodnikowych do wysokich temperatur, promieniowanie, i zastosowania w sieciach energetycznych. Obejmuje to rozwój prostowników, FET, urządzenia bipolarne, a także cząstki & detektory fotoniczne. GeneSiC ma dostęp do obszernego pakietu projektów półprzewodników, produkcja, zaplecze do charakteryzacji i testowania takich urządzeń. GeneSiC wykorzystuje swoją podstawową kompetencję w zakresie projektowania urządzeń i procesów, aby opracować najlepsze możliwe urządzenia SiC dla swoich klientów. Firma wyróżnia się dostarczaniem wysokiej jakości produktów, które są specjalnie dostosowane do wymagań każdego klienta. GeneSiC ma umowy typu prime/sub-contract od głównych agencji rządowych USA, w tym ARPA-E, Departament Energii USA, Marynarka wojenna, DARPA, Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego, Departament Handlu i inne departamenty Departamentu USA. Obrony. GeneSiC nadal szybko ulepsza infrastrukturę sprzętową i kadrową w firmie Dulles, Obiekt w Wirginii. Firma agresywnie zatrudnia personel doświadczony w produkcji złożonych urządzeń półprzewodnikowych, badania półprzewodników i projekty detektorów,. Dodatkowe informacje o firmie i jej produktach można uzyskać dzwoniąc do GeneSiC pod numer 703-996-8200 lub odwiedzając www.genesicsemi.com.

luty 28, 2011 – Dulles, VA – GeneSiC Semiconductor z radością ogłasza swój wybór do prestiżowej prezentacji technologii podczas szczytu ARPA-E Energy Innovation Summit, co-hosted by the Department of Energy’s Advanced Research Projects Agency – Energy (ARPA-E) and the Clean Technology and Sustainable Industries Organization (CTSI). Hundreds of top technologists and cutting-edge clean tech organizations competed to participate in the Showcase, a hallway of America’s most promising prospects for winning the future in energy.

As one of ARPA-E’s selected organizations, GeneSiC Semiconductor will exhibit its Silicon Carbide to nearly 2,000 national leaders gathering to drive long-term American competitiveness in the energy sector, including top researchers, investors, entrepreneurs, corporate executives and government officials. More than 200 groundbreaking technologies from ARPA-E awardees, corporations, National Labs and Department of Energy R&D programs will be featured at the event.

“This Summit brings together organizations that understand the need to collaborate and partner to bring the next generation of energy technologies to market,” said GeneSiC Semiconductor, Prezydent, dr. Ranbir Singh. “It’s a rare and exciting opportunity to have so many key players in the energy community together under one roof and we look forward to sharing our Silicon Carbide Power Devices with other innovators and investors at the Technology Showcase.”

Research and business development teams from 14 Corporate Acceleration Partners committed to technology commercialization will also be present including Dow, Bosch, Applied Materials and Lockheed Martin.

The Summit also features high-profile speakers including U.S. Energy Secretary Steven Chu, ARPA-E Director Arun Majumdar, U.S. Navy Secretary Raymond Mabus, former California Governor Arnold Schwarzenegger and Bank of America Chairman Charles Holliday.

The second annual ARPA-E Energy Innovation Summit will take place February 28 – Marsz 2, 2011 at the Gaylord Convention Center just outside Washington, D.C. To learn more or to register please visit: www.ct-si.org/events/EnergyInnovation.

Informacje o półprzewodnikach GeneSiC

GeneSiC Semiconductor Inc. develops widebandgap semiconductor devices for high temperature, promieniowanie, i zastosowania w sieciach energetycznych. Obejmuje to rozwój prostowników, power switches and bipolar devices. GeneSiC uses a unique and extensive suite of semiconductor design, produkcja, zaplecze do charakteryzacji i testowania takich urządzeń. GeneSiC wykorzystuje swoją podstawową kompetencję w zakresie projektowania urządzeń i procesów, aby opracować najlepsze możliwe urządzenia SiC dla swoich klientów. The company distinguishes itself by providing high quality products for a wide range of high volume markets. GeneSiC ma umowy typu prime/sub-contract od głównych agencji rządowych USA, w tym ARPA-E, Departament Energii USA, Marynarka wojenna, Armia, NASA, DARPA, Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego, Departament Handlu i inne departamenty Departamentu USA. Obrony.

About ARPA-E

The Advanced Research Projects Agency – Energy (ARPA-E) is a new agency within the U.S. Departament Energii – jako pierwszy skupił się wyłącznie na przełomowych technologiach energetycznych, które mogą radykalnie zmienić sposób, w jaki wykorzystujemy energię. Zamiast bezpośrednio przeprowadzać badania, ARPA-E inwestuje w instrumenty wysokiego ryzyka, wysokodochodowe technologie energetyczne opracowywane przez uniwersytety, startupy, mały biznes, i korporacje. Nasza kadra składa się z czołowych w branży naukowców, inżynierowie, i dyrektorów ds. inwestycji w celu zidentyfikowania obiecujących rozwiązań najbardziej krytycznych problemów energetycznych kraju oraz przyspieszenia wprowadzenia najlepszych technologii na rynek – co ma kluczowe znaczenie dla zapewnienia narodowego światowego przywództwa technologicznego oraz tworzenia nowych amerykańskich gałęzi przemysłu i miejsc pracy. Odwiedzać www.arpa-e.energy.govpo więcej informacji.

O CTSI

Czysta Technologia & Organizacja Zrównoważonego Przemysłu (CTSI), stowarzyszenie branżowe non-profit 501c6, represents the organizations developing, commercializing, and implementing energy, water, and environmental technologies. Clean technologies offer much needed solutions to growing resource security and sustainability concerns and are critical to maintaining economic competitiveness. CTSI brings together global leaders for advocacy, community development, networking, and information sharing to help bring these needed technologies to market more rapidly. Odwiedzać www.ct-si.org po więcej informacji.

Grudzień 14, 2010 – GeneSiC Semiconductor Inc., a key innovator of novel Silicon Carbide (SiC) devices for high temperature, high power, and ultra-high voltage applications, announces selection of its project titled “Integrated SiC Super Junction Transistor-Diode Devices for high-power motor control modules operating at 500 oC” by the US National Aeronautics and Space Administration (NASA) for a Phase I SBIR award. This SBIR project is focused on the development of Monolithic Integrated SiC JBS diode-Super Junction Transistor (MIDSJT) devices for operation under Venus-like ambients (500 °C surface temperatures). The SiC MIDSJT devices developed in this program will be used to construct motor control power modules for direct integration with Venus exploration rovers.

“We are pleased with the confidence expressed by NASA in our high temperature SiC device solutions. This project will enable GeneSiC to develop industry-leading SiC-based power management technologies through its innovative device and packaging solutions” powiedział Dr. Siddarth Sundaresan, GeneSiC’s Director of Technology. “The SiC MIDSJT devices targeted in this program will allow Kilowatt-level power to be handled with digital precision at temperatures as high as 500 °C. In addition to outer space applications, this novel technology has the potential to revolutionize critical aerospace and geothermal oil drilling hardware requiring ambient temperatures in excess of 200 °C. These application areas are currently limited by the poor high-temperature performance of contemporary Silicon and even SiC based device technologies such as JFETs and MOSFETs” he added.

GeneSiC nadal szybko ulepsza infrastrukturę sprzętową i kadrową w firmie Dulles, Obiekt w Wirginii. Firma agresywnie zatrudnia personel doświadczony w produkcji złożonych urządzeń półprzewodnikowych, badania półprzewodników i projekty detektorów,. Dodatkowe informacje o firmie i jej produktach można uzyskać dzwoniąc do GeneSiC pod numer 703-996-8200 lub odwiedzając www.genesicsemi.com.

Informacje o półprzewodnikach GeneSiC, Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. rozwija węglik krzemu (SiC) oparte na urządzeniach półprzewodnikowych do wysokich temperatur, promieniowanie, i zastosowania w sieciach energetycznych. Obejmuje to rozwój prostowników, FET, urządzenia bipolarne, a także cząstki & detektory fotoniczne. GeneSiC ma dostęp do obszernego pakietu projektów półprzewodników, produkcja, zaplecze do charakteryzacji i testowania takich urządzeń. GeneSiC wykorzystuje swoją podstawową kompetencję w zakresie projektowania urządzeń i procesów, aby opracować najlepsze możliwe urządzenia SiC dla swoich klientów. Firma wyróżnia się dostarczaniem wysokiej jakości produktów, które są specjalnie dostosowane do wymagań każdego klienta. GeneSiC ma umowy typu prime/sub-contract od głównych agencji rządowych USA, w tym ARPA-E, Departament Energii USA, Marynarka wojenna, DARPA, Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego, Departament Handlu i inne departamenty Departamentu USA. Obrony.

ĆWICZENIA, VA, Listopad. 1, 2010 –W pierwszej w swoim rodzaju ofercie, GeneSiC Semiconductor ogłasza dostępność rodziny tyrystorów z węglika krzemu 6,5 kV SCR do użytku w energoelektronice do zastosowań Smart Grid. Oczekuje się, że rewolucyjne zalety tych urządzeń zasilających pobudzą kluczowe innowacje w sprzęcie energoelektronicznym na skalę użytkową w celu zwiększenia dostępności i wykorzystania rozproszonych zasobów energii (TEN). "Do teraz, Węglik krzemu multi-kV (SiC) urządzenia zasilające nie były otwarcie dostępne dla amerykańskich naukowców, aby w pełni wykorzystać dobrze znane zalety – a mianowicie częstotliwości robocze 2-10 kHz przy wartościach znamionowych 5-15 kV – urządzeń zasilających opartych na SiC”. skomentował Dr. Ranbir Singh, Prezes GeneSiC. „GeneSiC zakończył niedawno dostawę wielu 6,5kV/40A, 6.5Tyrystory kV/60A i 6,5kV/80A wielu klientom prowadzącym badania w zakresie energii odnawialnej, Zastosowania w systemach zasilania armii i marynarki. Urządzenia SiC z tymi ocenami są obecnie oferowane szerzej”.

Tyrystory na bazie węglika krzemu oferują 10 razy wyższe napięcie, 100X szybsze częstotliwości przełączania i praca w wyższej temperaturze w porównaniu z konwencjonalnymi tyrystorami na bazie krzemu. Ukierunkowane możliwości badawcze zastosowań tych urządzeń obejmują konwersję mocy średniego napięcia ogólnego przeznaczenia (MVDC), Inwertery słoneczne podłączone do sieci, falowniki wiatrowe,, moc pulsacyjna, systemy uzbrojenia, kontrola zapłonu, i sterowanie spustem. Obecnie powszechnie wiadomo, że bardzo wysokie napięcie (>10kV) Węglik krzemu (SiC) technologia urządzeń odegra rewolucyjną rolę w sieci energetycznej nowej generacji. Urządzenia SiC oparte na tyrystorach oferują najwyższą wydajność w stanie włączenia >5 urządzenia kV, i mają szerokie zastosowanie w obwodach konwersji mocy średniego napięcia, takich jak ograniczniki prądu zwarciowego, Przetwornice AC-DC, Kompensatory statyczne VAR i kompensatory szeregowe. Tyrystory oparte na SiC oferują również największe szanse na wczesne przyjęcie ze względu na ich podobieństwo do konwencjonalnych elementów sieci energetycznej. Wdrożenie tych zaawansowanych technologii półprzewodników mocy może zapewnić aż: 25-30 procentowe zmniejszenie zużycia energii elektrycznej poprzez zwiększenie efektywności dostarczania energii elektrycznej.

dr. Singh kontynuuje: „Przewiduje się, że duże rynki półprzewodnikowych podstacji elektrycznych i generatorów turbin wiatrowych otworzą się po tym, jak naukowcy zajmujący się konwersją energii w pełni zdadzą sobie sprawę z zalet tyrystorów SiC. Te tyrystory SiC pierwszej generacji wykorzystują najniższy zademonstrowany spadek napięcia w stanie i rezystancję różnicową, jaką kiedykolwiek uzyskano w tyrystorach SiC. Zamierzamy wydać przyszłe generacje tyrystorów SiC zoptymalizowanych pod kątem funkcji wyłączania sterowanego bramką i >10Oceny kV. Ponieważ nadal opracowujemy rozwiązania w zakresie pakowania w wysokich temperaturach i ultrawysokich napięciach, obecne tyrystory 6,5kV są pakowane w moduły z całkowicie lutowanymi stykami, ograniczone do temperatury złącza 150oC.” GeneSiC jest szybko rozwijającym się innowatorem w dziedzinie urządzeń zasilających SiC i jest silnie zaangażowany w rozwój węglika krzemu (SiC) oparte na urządzeniach do: (a) Urządzenia HV-HF SiC dla sieci energetycznej, Broń o mocy impulsowej i ukierunkowanej energii; i (b) Wysokotemperaturowe urządzenia zasilające SiC do siłowników lotniczych i poszukiwania ropy naftowej.

Położony w pobliżu Waszyngtonu, DC w Dulles, Wirginia, GeneSiC Semiconductor Inc. jest wiodącym innowatorem w dziedzinie wysokich temperatur, węglik krzemu o dużej mocy i ultra wysokim napięciu (SiC) urządzenia. Aktualne projekty rozwojowe obejmują prostowniki wysokotemperaturowe, Tranzystory superzłączowe (SJT) oraz szeroką gamę urządzeń opartych na tyrystorach. GeneSiC ma lub miał umowy główne/podwykonawstwo z głównymi agencjami rządowymi USA, w tym Departament Energii, Marynarka wojenna, Armia, DARPA, oraz Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego. Obecnie firma przeżywa znaczny rozwój, oraz zatrudnienie wykwalifikowanego personelu w zakresie projektowania urządzeń zasilających i detektorów, produkcja, i testowanie. By dowiedzieć się więcej, Proszę odwiedź www.genesicsemi.com.

ĆWICZENIA, VA, Wrzesień 28, 2010 – Advanced Research Projects Agency – Energy (ARPA-E) has entered into a Cooperative Agreement with the GeneSiC Semiconductor-led team towards the development of the novel ultra high-voltage silicon carbide (SiC) Thyristor based devices. These devices are expected to be key enablers for integrating large-scale wind and solar power plants into the next-generation Smart Grid.

“This highly competitive award to GeneSiC will allow us to extend our technical leadership position in the multi-kV Silicon Carbide technology, as well as our commitment to grid-scale alternative energy solutions with solid state solutions,” commented Dr. Ranbir Singh, Prezes GeneSiC. “Multi-kV SiC Thyristors we’re developing are the key enabling technology towards the realization of Flexible AC Transmission Systems (FACTS) elements and High Voltage DC (HVDC) architectures envisaged towards an integrated, efficient, Smart Grid of the future. GeneSiC’s SiC-based Thyristors offer 10X higher voltage, 100X faster switching frequencies and higher temperature operation in FACTS and HVDC power processing solutions as compared to conventional Silicon-based Thyristors.”

In April 2010, GeneSiC responded to the Agile Delivery of Electrical Power Technology (ADEPT) solicitation from ARPA-E that sought to invest in materials for fundamental advances in high voltage switches that has the potential to leapfrog existing power converter performance while offering reductions in cost. The company’s proposal titled “Silicon Carbide Anode Switched Thyristor for medium voltage power conversion” was selected to provide a lightweight, solid-state, medium voltage energy conversion for high power applications such as solid-state electrical substations and wind turbine generators. Wdrożenie tych zaawansowanych technologii półprzewodników mocy może zapewnić aż: 25-30 procentowe zmniejszenie zużycia energii elektrycznej poprzez zwiększenie efektywności dostarczania energii elektrycznej. Innovations selected were to support and promote U.S. businesses through technological leadership, through a highly competitive process.

Silicon carbide is a next-generation semiconductor material with vastly superior properties to conventional silicon, such as the ability to handle ten times the voltage—and one-hundred times the current—at temperatures as high as 300ºC. These characteristics make it ideally suited to high-power applications such as hybrid and electric vehicles, renewable energy (wind and solar) installations, and electrical-grid control systems.

Obecnie powszechnie wiadomo, że bardzo wysokie napięcie (>10kV) Węglik krzemu (SiC) technologia urządzeń odegra rewolucyjną rolę w sieci energetycznej nowej generacji. Urządzenia SiC oparte na tyrystorach oferują najwyższą wydajność w stanie włączenia >5 urządzenia kV, i mają szerokie zastosowanie w obwodach konwersji mocy średniego napięcia, takich jak ograniczniki prądu zwarciowego, Przetwornice AC-DC, Static VAR Compensators and Series Compensators. Tyrystory oparte na SiC oferują również największe szanse na wczesne przyjęcie ze względu na ich podobieństwo do konwencjonalnych elementów sieci energetycznej. Other promising applications and advantages for these devices include:

• Power-management and power-conditioning systems for Medium Voltage DC conversion sought under Future Naval Capability (FNC) of US Navy, Electro-magnetic launch systems, high energy weapon systems and medical imaging. The 10-100X higher operating frequency capability allows unprecedented improvements in size, weight, volume and ultimately, cost of such systems.
• A variety of energy storage, high-temperature and high-energy physics applications. Energy storage and power grid applications are receiving increasing attention as the world focuses on more efficient and cost-effective energy-management solutions.

GeneSiC jest szybko wschodzącym innowatorem w dziedzinie urządzeń zasilających SiC i jest silnie zaangażowany w rozwój węglika krzemu (SiC) oparte na urządzeniach do: (a) Urządzenia HV-HF SiC dla sieci energetycznej, Broń o mocy impulsowej i ukierunkowanej energii; i (b) Wysokotemperaturowe urządzenia zasilające SiC do siłowników lotniczych i poszukiwania ropy naftowej.

“We’ve emerged as a leader in ultra-high voltage SiC technology by leveraging our core competency in device and process design with an extensive suite of fabrication, characterization, and test facilities,” concludes Dr. Singh. “GeneSiC’s position has now been effectively validated by the US DOE with this significant follow-on award.”

Informacje o półprzewodnikach GeneSiC

Strategically located near Washington, DC w Dulles, Wirginia, GeneSiC Semiconductor Inc. jest wiodącym innowatorem w dziedzinie wysokich temperatur, węglik krzemu o dużej mocy i ultra wysokim napięciu (SiC) urządzenia. Aktualne projekty rozwojowe obejmują prostowniki wysokotemperaturowe, Tranzystory superzłączowe (SJT) oraz szeroką gamę urządzeń opartych na tyrystorach. GeneSiC ma lub miał umowy główne/podwykonawstwo z głównymi agencjami rządowymi USA, w tym Departament Energii, Marynarka wojenna, Armia, DARPA, oraz Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego. Obecnie firma przeżywa znaczny rozwój, oraz zatrudnienie wykwalifikowanego personelu w zakresie projektowania urządzeń zasilających i detektorów, produkcja, i testowanie. By dowiedzieć się więcej, Proszę odwiedź www.genesicsemi.com.

Wednesday, November 12th 2008 – The US Department of Energy has awarded GeneSiC Semiconductor two separate grants totaling $1.5M for the development of high-voltage silicon carbide (SiC) devices that will serve as key enablers for wind- and solar-power integration with the nation’s electricity grid.

“These awards demonstrate the DOE’s confidence in GeneSiC’s capabilities, as well as its commitment to alternative energy solutions,” notes Dr. Ranbir Singh, president of GeneSiC. “An integrated, efficient power grid is critical to the nation’s energy future — and the SiC devices we’re developing are critical for overcoming the inefficiencies of conventional silicon technologies.”

The first award is a $750k Phase II SBIR grant for the development of fast, ultra-high-voltage SiC bipolar devices. The second is a $750k Phase II STTR grant for the development of optically gated high-power SiC switches.

Silicon carbide is a next-generation semiconductor material with the ability to handle 10x the voltage and 100x the current of silicon, making it ideally suited to high-power applications such as renewable energy (wind and solar) installations and electrical-grid control systems.

Specifically, the two awards are for:

• Development of high-frequency, multi-kilovolt SiC gate-turn-off (GTO) power devices. Government and commercial applications include power-management and conditioning systems for ships, the utility industry, and medical imaging.
• Design and fabrication of optically gated high-voltage, high-power SiC switching devices. Using fiber-optics to switch power is an ideal solution for environments plagued by electro-magnetic interference (EMI), and applications that require ultra high-voltages.

The SiC devices GeneSiC is developing serve a variety of energy storage, power grid, and military applications, which are receiving increasing attention as the world focuses on more efficient and cost-effective energy-management solutions.

Based outside Washington, DC w Dulles, Wirginia, GeneSiC Semiconductor Inc. jest wiodącym innowatorem w dziedzinie wysokich temperatur, węglik krzemu o dużej mocy i ultra wysokim napięciu (SiC) urządzenia. Aktualne projekty rozwojowe obejmują prostowniki wysokotemperaturowe, field-effect transistors (FET) and bipolar devices, as well as particle & detektory fotoniczne. GeneSiC has prime/sub-contracts from major US Government agencies, w tym Departament Energii, Marynarka wojenna, DARPA, oraz Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego. Obecnie firma przeżywa znaczny rozwój, oraz zatrudnienie wykwalifikowanego personelu w zakresie projektowania urządzeń zasilających i detektorów, produkcja, i testowanie. By dowiedzieć się więcej, Proszę odwiedź www.genesicsemi.com.

ĆWICZENIA, VA, Oct. 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., a fast-rising innovator of high-temperature, węglik krzemu o dużej mocy i ultra wysokim napięciu (SiC) urządzenia, announced that is has been awarded three separate small business grants from the US Department of Energy during FY07. The SBIR and STTR grants will be used by GeneSiC to demonstrate novel high-voltage SiC devices for a variety of energy storage, power grid, high-temperature and high-energy physics applications. Energy storage and power grid applications are receiving increasing attention as the world focuses on more efficient and cost-effective energy management solutions.

“We are pleased with the level of confidence expressed by various offices within the US Department on Energy with regard to our high-power device solutions. Injecting this funding into our advanced SiC technology programs will result in an industry-leading line SiC devices,” commented GeneSiC’s President, dr. Ranbir Singh. “The devices being developed in these projects promise to provide critical enabling technology to support a more-efficient power grid, and will open the door to new commercial and military hardware technology that has remained unrealized due to the limitations of contemporary silicon-based technologies.”

The three projects include:

• A new Phase I SBIR award focused on high current, multi-kV Thyristor-based devices geared towards energy storage applications.
• A Phase II SBIR follow-on award for development of multi-kV SiC power devices for high voltage power supplies for high power RF system applications awarded by the DOE Office of Science.
• A Phase I STTR award focused on optically gated high-voltage, high-frequency SiC power devices for environments rich in electro-magnetic interference, including high power RF energy systems, and directed energy weapon systems.

Along with the awards, GeneSiC has recently relocated operations to an expanded laboratory and office building in Dulles, Wirginia, significantly upgrading its equipment, infrastructure and is in the process of adding additional key personnel.

“GeneSiC wykorzystuje swoją podstawową kompetencję w zakresie projektowania urządzeń i procesów, aby opracować najlepsze możliwe urządzenia SiC dla swoich klientów, backing that up with access to an extensive suite of fabrication, characterization and testing facilities,” concluded Dr. Singh. “We feel those capabilities have been effectively validated by the US DOE with these new and follow-on awards.”

Dodatkowe informacje o firmie i jej produktach można uzyskać dzwoniąc do GeneSiC pod numer 703-996-8200 lub odwiedzając www.genesicsemi.com.