カテゴリー: ニュース

ダレス, VA, September 28, 2010 – Advanced Research Projects Agency – Energy (ARPA-E) has entered into a Cooperative Agreement with the GeneSiC Semiconductor-led team towards the development of the novel ultra high-voltage silicon carbide (SiC) Thyristor based devices. These devices are expected to be key enablers for integrating large-scale wind and solar power plants into the next-generation Smart Grid.

“This highly competitive award to GeneSiC will allow us to extend our technical leadership position in the multi-kV Silicon Carbide technology, as well as our commitment to grid-scale alternative energy solutions with solid state solutions,” commented Dr. ランビール・シン, GeneSiC 社長. “Multi-kV SiC Thyristors we’re developing are the key enabling technology towards the realization of Flexible AC Transmission Systems (事実) elements and High Voltage DC (HVDC) architectures envisaged towards an integrated, efficient, Smart Grid of the future. GeneSiC’s SiC-based Thyristors offer 10X higher voltage, 100X faster switching frequencies and higher temperature operation in FACTS and HVDC power processing solutions as compared to conventional Silicon-based Thyristors.”

In April 2010, GeneSiC responded to the Agile Delivery of Electrical Power Technology (ADEPT) solicitation from ARPA-E that sought to invest in materials for fundamental advances in high voltage switches that has the potential to leapfrog existing power converter performance while offering reductions in cost. The company’s proposal titled “Silicon Carbide Anode Switched Thyristor for medium voltage power conversion” was selected to provide a lightweight, solid-state, medium voltage energy conversion for high power applications such as solid-state electrical substations and wind turbine generators. これらの高度なパワー半導体技術を展開することで、 25-30 電力供給効率の向上による電力消費のパーセント削減. Innovations selected were to support and promote U.S. businesses through technological leadership, through a highly competitive process.

Silicon carbide is a next-generation semiconductor material with vastly superior properties to conventional silicon, such as the ability to handle ten times the voltage—and one-hundred times the current—at temperatures as high as 300ºC. These characteristics make it ideally suited to high-power applications such as hybrid and electric vehicles, renewable energy (wind and solar) installations, and electrical-grid control systems.

現在、超高電圧が確立されています。 (>10キロボルト) 炭化ケイ素 (SiC) デバイス技術は、次世代のユーティリティ グリッドで革新的な役割を果たす. サイリスタベースの SiC デバイスは、最高のオン状態性能を提供します。 >5 kV デバイス, フォルト電流リミッタのような中電圧電力変換回路に広く適用できます。, AC-DCコンバーター, Static VAR Compensators and Series Compensators. また、SiC ベースのサイリスタは、従来の電力グリッド要素との類似性により、早期採用の可能性が最も高くなります. Other promising applications and advantages for these devices include:

• Power-management and power-conditioning systems for Medium Voltage DC conversion sought under Future Naval Capability (FNC) of US Navy, Electro-magnetic launch systems, high energy weapon systems and medical imaging. The 10-100X higher operating frequency capability allows unprecedented improvements in size, weight, volume and ultimately, cost of such systems.
• A variety of energy storage, 高温・高エネルギー物理への応用. Energy storage and power grid applications are receiving increasing attention as the world focuses on more efficient and cost-effective energy-management solutions.

GeneSiCは、SiCパワーデバイスの分野で急成長しているイノベーターであり、炭化ケイ素の開発に強いコミットメントを持っています。 (SiC) のベースのデバイス: (A) 電力網用のHV-HFSiCデバイス, パルスパワーと指向性エネルギー兵器; そして (b) 航空機のアクチュエーターおよび石油探査用の高温SiCパワーデバイス.

“We’ve emerged as a leader in ultra-high voltage SiC technology by leveraging our core competency in device and process design with an extensive suite of fabrication, characterization, and test facilities,” concludes Dr. シン. “GeneSiC’s position has now been effectively validated by the US DOE with this significant follow-on award.”

GeneSiC半導体について

Strategically located near Washington, ダレスの DC, バージニア, GeneSiC Semiconductor Inc. は、高温における主要なイノベーターです。, ハイパワー・超高圧シリコンカーバイド (SiC) デバイス. 現在の開発プロジェクトには、高温整流器が含まれます, スーパージャンクショントランジスタ (SJT) およびさまざまなサイリスタ ベースのデバイス. GeneSiC は、主要な米国政府機関からプライム/サブ契約を結んでいる、または結んでいる, エネルギー省を含む, 海軍, 軍, DARPA, 国土安全保障省. 同社は現在、大幅な成長を遂げている, パワーデバイスと検出器の設計に有資格者を雇用する, 製作, とテスト. 詳細を確認するには, 来てください www.genesicsemi.com.

Wednesday, November 12th 2008 – The US Department of Energy has awarded GeneSiC Semiconductor two separate grants totaling $1.5M for the development of high-voltage silicon carbide (SiC) devices that will serve as key enablers for wind- and solar-power integration with the nation’s electricity grid.

“These awards demonstrate the DOE’s confidence in GeneSiC’s capabilities, as well as its commitment to alternative energy solutions,” notes Dr. ランビール・シン, president of GeneSiC. “An integrated, efficient power grid is critical to the nation’s energy future — and the SiC devices we’re developing are critical for overcoming the inefficiencies of conventional silicon technologies.”

The first award is a $750k Phase II SBIR grant for the development of fast, ultra-high-voltage SiC bipolar devices. The second is a $750k Phase II STTR grant for the development of optically gated high-power SiC switches.

Silicon carbide is a next-generation semiconductor material with the ability to handle 10x the voltage and 100x the current of silicon, making it ideally suited to high-power applications such as renewable energy (wind and solar) installations and electrical-grid control systems.

Specifically, the two awards are for:

• Development of high-frequency, multi-kilovolt SiC gate-turn-off (GTO) power devices. Government and commercial applications include power-management and conditioning systems for ships, the utility industry, and medical imaging.
• Design and fabrication of optically gated high-voltage, high-power SiC switching devices. Using fiber-optics to switch power is an ideal solution for environments plagued by electro-magnetic interference (EMI), and applications that require ultra high-voltages.

The SiC devices GeneSiC is developing serve a variety of energy storage, 送電網, and military applications, which are receiving increasing attention as the world focuses on more efficient and cost-effective energy-management solutions.

Based outside Washington, ダレスの DC, バージニア, GeneSiC Semiconductor Inc. は、高温における主要なイノベーターです。, ハイパワー・超高圧シリコンカーバイド (SiC) デバイス. 現在の開発プロジェクトには、高温整流器が含まれます, field-effect transistors (FET) and bipolar devices, as well as particle & フォトニック検出器. GeneSiC has prime/sub-contracts from major US Government agencies, エネルギー省を含む, 海軍, DARPA, 国土安全保障省. 同社は現在、大幅な成長を遂げている, パワーデバイスと検出器の設計に有資格者を雇用する, 製作, とテスト. 詳細を確認するには, 来てください www.genesicsemi.com.

ダレス, VA, 10月. 23, 2007 — 株式会社ジェネシックセミコンダクター, 急成長する高温のイノベーター, ハイパワー・超高圧シリコンカーバイド (SiC) デバイス, は、2007 年度中に米国エネルギー省から 3 つの個別の中小企業助成金を授与されたことを発表しました。. SBIR および STTR 助成金は、GeneSiC によって使用され、さまざまなエネルギー貯蔵用の新しい高電圧 SiC デバイスを実証します。, 送電網, 高温・高エネルギー物理への応用. 世界がより効率的で費用対効果の高いエネルギー管理ソリューションに注目するにつれて、エネルギー貯蔵および電力網アプリケーションへの注目が高まっています。.

“当社の高出力デバイス ソリューションに関して、米国エネルギー省内のさまざまな部署が表明した信頼のレベルに満足しています。. この資金を当社の高度な SiC 技術プログラムに投入することで、業界をリードする SiC デバイスのラインアップが実現します。,” GeneSiC社長のコメント, AC伝送システム. ランビール・シン. “これらのプロジェクトで開発されているデバイスは、より効率的な電力網をサポートするための重要な実現技術を提供することを約束します, また、現在のシリコンベースの技術の限界のために実現されていない新しい商用および軍事用ハードウェア技術への扉が開かれます。”

3つのプロジェクトには以下が含まれます:

• 大電流に焦点を当てた新しいフェーズ I SBIR アワード, エネルギー貯蔵アプリケーション向けのマルチ kV サイリスタ ベースのデバイス.
• DOE 科学局が授与した、高出力 RF システム アプリケーション用の高電圧電源用のマルチ kV SiC パワー デバイスの開発に対するフェーズ II SBIR 後続賞.
• 光ゲート高電圧に焦点を当てた第I相STTR賞, 電磁干渉の多い環境向け高周波SiCパワーデバイス, ハイパワーRFエネルギーシステムを含む, および指向性エネルギー兵器システム.

受賞作品と合わせて, GeneSiC は最近、ダレスにある拡張された研究所とオフィスビルに事業を移転しました。, バージニア, 設備を大幅にアップグレード, インフラストラクチャを構築しており、主要な人員を追加する過程にあります。.

“GeneSiCは、デバイスおよびプロセス設計のコアコンピタンスを活用して、顧客に最適なSiCデバイスを開発します。, 広範な製造スイートへのアクセスでそれをバックアップ, 特性評価および試験施設,” 博士は結論付けた. シン. “これらの機能は、これらの新しい賞と後続の賞により、米国エネルギー省によって効果的に検証されたと感じています.”

会社とその製品に関する追加情報は、次のGeneSiCに電話することで入手できます。 703-996-8200 または訪問することによって www.genesicsemi.com.