ポストする 六月 10, 2019六月 10, 2019 沿って Editor0温度に依存しない安定したサブスレッショルド動作を備えた 10 kV 大面積 4H-SiC パワー DMOSFET 8月, 2008温度に依存しない安定したサブスレッショルド動作を備えた 10 kV 大面積 4H-SiC パワー DMOSFET