ポストする 六月 10, 2019六月 10, 2019Emerging Silicon-Carbide Power Devices Enable Revolutionary Changes in High Voltage Power Conversion 10月, 2004Emerging Silicon-Carbide Power Devices Enable Revolutionary Changes in High Voltage Power Conversion
ポストする 六月 10, 2019六月 10, 2019Novel SiC MOS-Bipolar Switches for >10 kV Applications 五月, 2006Novel SiC MOS-Bipolar Switches for >10 kV Applications
ポストする 六月 10, 2019六月 10, 2019Reliability and performance limitations in SiC power device ジュン, 2006Reliability and performance limitations in SiC power devices
ポストする 六月 10, 2019六月 10, 2019温度に依存しない安定したサブスレッショルド動作を備えた 10 kV 大面積 4H-SiC パワー DMOSFET 8月, 2008温度に依存しない安定したサブスレッショルド動作を備えた 10 kV 大面積 4H-SiC パワー DMOSFET
ポストする September 10, 2008六月 10, 2019Commercial Impact of Silicon Carbide 9月, 2008Commercial Impact of Silicon Carbide