Nuremberg, Germany May 12, 2016 — GeneSiC Semiconductor’s President was interviewed by Alix Paultre of Power Systems Design (http://www.powersystemsdesign.com/psdcast-ranbir-singh-of-genesic-on-their-latest-silicon-carbide-tech/67) at the PCIM show in Nuremberg, Tyskland.
DULLES, VA, Maj 13, 2015 — GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av ett brett sortiment av kiselkarbid (Sic) power semiconductors today announces the immediate availability of 20 mOhm-1200 V SiC Junction Transistor-Diodes in an isolated, 4-Leaded mini-module packaging that enables extremely low Turn-On energies losses while offering flexible, modular designs in high frequency power converters. The use of high frequency, high voltage and low on-resistance capable SiC Transistors and Rectifiers will reduce the size/weight/volume of electronics applications requiring higher power handling at high operating frequencies. These devices are targeted for use in a wide variety of applications including induction heaters, plasma generators, fast chargers, DC-DC converters, and switched mode power supplies.
1200 V/20 mOhm Silicon Carbide Junction Transistor Rectifier-Copackaged in an Isolated SOT-227 package providing separate Gate Source and Sink capability
Co-packaged SiC Junction Transistors (SJT)-SiC Rectifiers offered by GeneSiC are uniquely applicable to inductive switching applications because SJTs are the only widebandgap switch offers >10 microsec repetitive short circuit capability, even at 80% of the rated voltages (eg. 960 V for a 1200 V device). In addition to the sub-10 nsec rise/falls times and a square reverse biased safe operation area (RBSOA), the Gate Return terminal in the new configuration significantly improves the ability to reduce the switching energies. These new class of products offers transient energy losses and switching times that are independent of junction temperature. SiC Junction Transistors from GeneSiC are gate-oxide free, normally-off, exhibit positive temperature co-efficient of on-resistance, and are capable of being driven at low Gate voltages, unlike other SiC switches.
SiC Schottky Rectifiers used in these mini-modules show low on-state voltage drops, good surge current ratings and industry’s lowest leakage currents at elevated temperatures. With temperature independent, near-zero reverse recovery switching characteristics, SiC Schottky rectifiers are ideal candidates for use in high efficiency circuits.
“GeneSiC’s SiC Transistor and Rectifier products are designed and manufactured to realize low on-state and switching losses. A combination of these technologies in an innovative package promises exemplar performance in power circuits demanding wide bandgap based devices. The mini-module packaging offers great design flexibility for use in a variety of power circuits like H-Bridge, Flyback and multi-level inverters” sa Dr. Ranbir Singh, President för GeneSiC Semiconductor.
Product released today include
20 mOhm/1200 V SiC Junction Transistor/Rectifier Co-pack (GA50SICP12-227):
• Isolated SOT-227/mini-block/Isotop package
• Transistor Current Gain (hFE) >100
• Tjmax = 175oC (limited by packaging)
• Turn On/Off; Rise/Fall Times <10 nanoseconds typical.
Alla enheter är 100% tested to full voltage/current ratings. The devices are immediately available from GeneSiC’s Authorized Distributors.
För mer information, besök: http://192.168.88.14/commercial-sic/sic-modules-copack/
GeneSiC Semiconductor Inc.. är en ledande innovatör inom högtemperatur, högeffekt och ultrahögspänning kiselkarbid (Sic) enheter, och global leverantör av ett brett utbud av krafthalvledare. Dess portfölj av enheter inkluderar SiC-baserad likriktare, transistor, och tyristorprodukter, as well as Silicon diode modules. GeneSiC har utvecklat omfattande immateriella rättigheter och teknisk kunskap som omfattar de senaste framstegen inom SiC-kraftenheter, med produkter inriktade på alternativ energi, bil-, downhole oil drilling, Motor kontroll, strömförsörjning, transport, och avbrottsfri strömförsörjning. I 2011, företaget vann det prestigefyllda R&D100-pris för kommersialisering av SiC-tyristorer med ultrahög spänning.
DULLES, VA, March 9, 2015 — GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av ett brett sortiment av kiselkarbid (Sic) power semiconductors today announces the immediate availability of a line of compact, high temperature SiC Junction Transistors as well as a line of rectifiers in TO-46 metal can packages. These discrete components are designed and manufactured to operate under ambient temperatures of greater than 215oC. The use of high temperature, high voltage and low on-resistance capable SiC Transistors and Rectifiers will reduce the size/weight/volume of electronics applications requiring higher power handling at elevated temperatures. These devices are targeted for use in a wide variety of applications including a wide variety of downhole circuits, geothermal instrumentation, solenoid actuation, general purpose amplification, and switched mode power supplies.
High Temperature SiC Junction Transistors (SJT) offered by GeneSiC exhibit sub-10 nsec rise/falls times enabling >10 MHz switching as well as a square reverse biased safe operation area (RBSOA). The transient energy losses and switching times are independent of junction temperature. These switches are gate-oxide free, normally-off, exhibit positive temperature co-efficient of on-resistance, and are capable of being driven by 0/+5 V TTL gate drivers, unlike other SiC switches. Unique advantages of the SJT in contrast to other SiC switches is its higher long term reliability, >20 usec short circuit capability, and superior avalanche capability. These devices can be used as efficient amplifiers as they promise a much higher linearity than any other SiC switch.
High Temperature SiC Schottky Rectifiers being offered by GeneSiC show low on-state voltage drops, and industry’s lowest leakage currents at elevated temperatures. With temperature independent, near-zero reverse recovery switching characteristics, SiC Schottky rectifiers are ideal candidates for use in high efficiency, high temperature circuits. The TO-46 metal can packages as well as the associated packaging processes used to create these products critically enable long term use where high reliability is critical.
“GeneSiC’s Transistor and Rectifier products are designed and manufactured from the grounds up to enable high temperature operation. These compact TO-46 packaged SJTs offer high current gains (>110), 0/+5 V TTL control, and robust performance. These devices offer low conduction losses and high linearity. We design our “SHT” line of rectifiers, to offer low leakage currents at high temperatures. These metal can packaged products augment our TO-257 and metal SMD products released last year to offer small form factor, vibration resistant solutions” sa Dr. Ranbir Singh, President för GeneSiC Semiconductor.
Products released today include:
240 mOhm SiC Junction Transistors:
Up to 4 Ampere High Temperature Schottky diodes:
Alla enheter är 100% tested to full voltage/current ratings and housed in metal can TO-46 packages. The devices are immediately available from GeneSiC’s Authorized Distributors.
GeneSiC Semiconductor Inc.. är en ledande innovatör inom högtemperatur, högeffekt och ultrahögspänning kiselkarbid (Sic) enheter, och global leverantör av ett brett utbud av krafthalvledare. Dess portfölj av enheter inkluderar SiC-baserad likriktare, transistor, och tyristorprodukter, as well as Silicon diode modules. GeneSiC har utvecklat omfattande immateriella rättigheter och teknisk kunskap som omfattar de senaste framstegen inom SiC-kraftenheter, med produkter inriktade på alternativ energi, bil-, downhole oil drilling, Motor kontroll, strömförsörjning, transport, och avbrottsfri strömförsörjning. I 2011, företaget vann det prestigefyllda R&D100-pris för kommersialisering av SiC-tyristorer med ultrahög spänning.
För mer information, besök http://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; och http://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.
DULLES, V.A., nov 19, 2014 — GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av ett brett sortiment av kiselkarbid (Sic) power semiconductors today announces the immediate availability of Gate Driver evaluation board and has expanded its design support for the industry’s lowest loss switches – the SiC Junction Transistor (SJT) – with a fully-qualified LTSPICE IV model. Using the new Gate Driver Board, power conversion circuit designers can verify the benefits of sub-15 nanosecond, temperature independent switching characteristics of SiC Junction Transistors, with low driver power losses. Incorporating the new SPICE models, circuit designers can easily evaluate the benefits GeneSiC’s SJTs provide for achieving a higher level of efficiency than is possible with conventional silicon power switching devices for comparably-rated devices.
Gate Driver Board GA03IDDJT30-FR4 applicable towards SJTs from GeneSiC
SiC Junction Transistors have significantly different characteristics than other SiC Transistor technologies, as well as Silicon Transistors. Gate Driver boards that can provide low power losses while still offering high switching speeds were needed to provide drive solutions for utilizing the benefits of SiC Junction Transistors. GeneSiC’s fully isolated GA03IDDJT30-FR4 Gate driver board takes in 0/12V and a TTL signal to optimally condition the voltage/current waveforms required to provide small rise/fall times, while still minimizing the continuous current requirement for keeping the Normally-OFF SJT conducting during the on-state. The pin configuration and form factors are kept similar to other SiC transistors. GeneSiC has also released Gerber files and BOMs to end-user to enable them to incorporate the benefits of the driver design innovations realized.
SJTs offer well-behaved on-state and switching characteristics, making it easy to create behavior based SPICE models that agree remarkably well with the underlying physics based models as well. Using well-established and understood physics-based models, SPICE parameters were released after extensive testing with device behavior. GeneSiC’s SPICE models are compared to the experimentally measured data on all device datasheets and are applicable to all 1200 V och 1700 V SiC Junction Transistors released.
GeneSiC’s SJTs are capable of delivering switching frequencies that are more than 15 times higher than IGBT-based solutions. Their higher switching frequencies can enable smaller magnetic and capacitive elements, thereby shrinking the overall size, weight and cost of power electronics systems.
This SiC Junction Transistor SPICE model adds to GeneSiC’s comprehensive suite of design support tools, technical documentation, and reliability information to provide power electronics engineers with the design resources necessary to implement GeneSiC’s comprehensive family of SiC Junction Transistors and Rectifiers into the next generation of power systems.
GeneSiC’s Gate Driver Board datasheets and SJT SPICE models can be downloaded from http://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/
SiC switches offering lowest conduction losses and superior short circuit capability released for High Frequency Power Circuits
Dulles, Virginia., Oct 28, 2014 — GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av ett brett sortiment av kiselkarbid (Sic) power semiconductors today announces the immediate availability of a family of low on-resistance 1700V and 1200 V SiC Junction Transistors in TO-247 packages. The use of high voltage, high frequency, high temperature and low on-resistance capable SiC Junction Transistors will increase conversion efficiency and reduce the size/weight/volume of power electronics applications requiring higher bus voltages. These devices are targeted for use in a wide variety of applications including DC microgrids, Vehicle Fast chargers, server, telecom and networking power supplies, uninterruptable power supplies, solväxelriktare, Wind power systems, and industrial motor control systems.
SiC Junction Transistors (SJT) offered by GeneSiC exhibit ultra-fast switching capability (similar to that of SiC MOSFETs), a square reverse biased safe operation area (RBSOA), as well as temperature-independent transient energy losses and switching times. These switches are gate-oxide free, normally-off, exhibit positive temperature co-efficient of on-resistance, and are capable of being driven by commercially gate drivers, unlike other SiC switches. Unique advantages of the SJT in contrast to other SiC switches is its higher long term reliability, >10 usec short circuit capability, and superior avalanche capability
“These improved SJTs offer much higher current gains (>100), highly stable and robust performance as compared to other SiC switches. GeneSiC’s SJTs offer extremely low conduction losses at rated currents as superior turn-off losses in power circuits. Utilizing the unique device and fabrication innovations, GeneSiC’s Transistor products help designers achieve a more robust solution,” sa Dr. Ranbir Singh, President för GeneSiC Semiconductor.
1700 V SiC Junction Transistor released
1200 V SiC Junction Transistor released
Alla enheter är 100% testad till full spänning/ström och inrymd i halogenfri, RoHS compliant TO-247 packages. Enheterna är omedelbart tillgängliga från GeneSiCs auktoriserade distributörer.
För mer information, besök http://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/
GeneSiC has a wide portfolio of products available right now worldwide from top distributors
Bare Die Chip form of SiC devices available Directly from factory (please fill the form below)
Discrete SJTs och Rectifiers in Commercial temperature ratings (175° C)
Discrete HiT SJTs and HiT Rectifiers in High Temperature (up to 250° C)
GeneSiC offers the widest variety of SiC products – in packaged products as well as bare-die format to allow greater design flexibility and innovation. GeneSiC is continuously striving to stay ahead by introducing new, innovative products. If you don’t see the exact product you are looking for today, you may see it in the near future.
The promise of high temperature in SiC Transistors realized through compatible industry-standard packages will critically enhance downhole and aerospace actuators and power supplies
Dulles, Virginia., Dec 10, 2013 — GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av ett brett sortiment av kiselkarbid (Sic) power semiconductors today announces the immediate availability through its distributors and directly a family high temperature packaged 600 V SiC Junction Transistors (SJT) in the 3-50 Amperes current ratings in JEDEC industry-standard through hole and surface mount packages. Incorporating these high temperature, low on-resistance, high frequency SiC Transistors in hermetic packages, high temperature solders and encapsulation will increase conversion efficiency and reduce the size/weight/volume of high temperature power conversion applications.
Contemporary high temperature power supply, motor control and actuator circuits used in oil/gas/downhole and aerospace applications suffer from lack of availability of a viable high temperature Silicon Carbide solution. Silicon transistors suffer from low circuit efficiencies and large sizes because they suffer from high leakage currents and low poor switching characteristics. Both these parameters become worse at higher junction temperatures. With thermally constraint environments, kopplingstemperaturerna stiger ganska lätt även när blygsamma strömmar passerar. Hermetically packaged SiC transistors offer unique characteristics that promise to revolutionize the capability of downhole and aerospace applications. GeneSiC 650 V/3-50 A SiC Junction Transistors feature near zero switching times that does not change with temperature. De 210oC junction temperature-rated devices offer relatively large temperature margins for applications that are operating under extreme environments.
Junction Transistors offered by GeneSiC exhibit ultra-fast switching capability, a square reverse biased safe operation area (RBSOA), as well as temperature-independent transient energy losses and switching times. These switches are gate-oxide free, normally-off, exhibit positive temperature co-efficient of on-resistance, and are capable of being driven by commercial, commonly available 15 V IGBT gate drivers, unlike other SiC switches. While offering compatibility with SiC JFET drivers, SiC Junction Transistors can be easily paralleled because of their matching transient characteristics.
“As downhole and aerospace application designers continue to push the limits of operating frequency, while still demanding high circuit efficiencies, they need SiC switches which can offer a standard of performance, reliability and production uniformity. Utilizing the unique device and fabrication innovations, GeneSiC’s SJT products help designers achieve all that in a more robust solution. These products complement the hermetic packaged SiC rectifier released last year by GeneSiC, and the bare die products released earlier this year, while paving the way for us to offer high temperature, low-inductance, power modules in the near future ” sa Dr. Ranbir Singh, President för GeneSiC Semiconductor.
Isolated TO-257 with 600 V SJTs:
Non-Isolated TO-258 Prototype package with 600 SJTs
Surface Mount TO-276 (SMD0.5) with 600 SJTs
Alla enheter är 100% tested to full voltage/current ratings and housed in hermetic packages. Teknisk support och SPICE-kretsmodeller erbjuds. The devices are immediately available from GeneSiC Directly and/or through its Authorized Distributors.
Om GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc.. är en ledande innovatör inom högtemperatur, högeffekt och ultrahögspänning kiselkarbid (Sic) enheter, och global leverantör av ett brett utbud av krafthalvledare. Dess portfölj av enheter inkluderar SiC-baserad likriktare, transistor, och tyristorprodukter, samt Silicon likriktare produkter. GeneSiC har utvecklat omfattande immateriella rättigheter och teknisk kunskap som omfattar de senaste framstegen inom SiC-kraftenheter, med produkter inriktade på alternativ energi, bil-, ned ole oljeborrning, Motor kontroll, strömförsörjning, transport, och avbrottsfri strömförsörjning. GeneSiC har erhållit ett flertal forsknings- och utvecklingskontrakt från amerikanska myndigheter, inklusive ARPA-E, Institutionen för energi, Marin, Armé, DARPA, DTRA, och Department of Homeland Security, såväl som stora statliga huvudentreprenörer. I 2011, företaget vann det prestigefyllda R&D100-pris för kommersialisering av SiC-tyristorer med ultrahög spänning.
För mer information, besök http://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt
Dulles, Virginia., nov 19, 2013 — GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av ett brett sortiment av kiselkarbid (Sic) krafthalvledare tillkännager idag den omedelbara tillgängligheten av en familj av industristandard SMB (JEDEC DO-214AA) förpackade SiC-likriktare i 650 – 3300 V-intervall. Inkorporerar dessa högspänningar, omvänd återhämtning-fri, högfrekvens- och högtemperaturkapabla SiC-dioder kommer att öka konverteringseffektiviteten och minska storleken/vikten/volymen av multi-kV-enheter. Dessa produkter är inriktade på mikrosolväxelriktare såväl som spänningsmultiplikatorkretsar som används i ett brett spektrum av röntgenstrålar, Strömförsörjning för laser och partikelgenerator.
Samtida mikrosolväxelriktare och spänningsmultiplikatorkretsar kan drabbas av låg kretseffektivitet och stora storlekar på grund av de omvända återvinningsströmmarna från silikonlikriktare. Vid högre likriktarövergångstemperaturer, denna situation blir värre eftersom den omvända återvinningsströmmen i silikonlikriktare ökar med temperaturen. Med termiska begränsningar högspänningsaggregat, kopplingstemperaturerna stiger ganska lätt även när blygsamma strömmar passerar. Högspännings-SiC-likriktare erbjuder unika egenskaper som lovar att revolutionera mikrosolväxelriktarna och högspänningsaggregaten. GeneSiC 650 V/1 A; 1200 V/2 A och 3300 V/0.3 A Schottky-likriktare har noll återvinningsström som inte ändras med temperaturen. De 3300 V-klassade enheter erbjuder relativt hög spänning i en enda enhet tillåter en minskning av spänningsmultiplikationssteg som krävs i typiska högspänningsgeneratorkretsar, genom användning av högre AC-ingångsspänningar. De nära idealiska kopplingsegenskaperna tillåter eliminering/dramatisk minskning av spänningsbalanseringsnätverk och snubberkretsar. SMB (DO-214AA) övergjuten förpackning har industristandard formfaktor för ytmontering.
"Dessa produkterbjudanden kommer från år av ihållande utvecklingsinsatser på GeneSiC för att erbjuda övertygande enheter och paket. Vi tror att SMB-formfaktorn är en viktig differentiator för marknaden för Micro Solar Inverter och Voltage Multiplier, och kommer att ge våra kunder betydande fördelar. GeneSiC:s låga VF, SiC Schottky-likriktare med låg kapacitans och förbättrade SMB-paket möjliggör denna banbrytande produkt” sa Dr. Ranbir Singh, President för GeneSiC Semiconductor.
1200 V/2 A SMB SiC Schottky-diod (GB02SLT12-214) Tekniska höjdpunkter
3300 V/0,3 A SMB SiC Schottky-diod (GAP3SLT33-214) Tekniska höjdpunkter
650 V/1 A SMB SiC Schottky-diod (GB01SLT06-214) Tekniska höjdpunkter
Alla enheter är 100% testad till full spänning/ström och inrymd i halogenfri, RoHS-kompatibel SMB (DO-214AA) paket. Teknisk support och SPICE-kretsmodeller erbjuds. Enheterna är omedelbart tillgängliga från GeneSiCs auktoriserade distributörer.
Om GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc.. är en ledande innovatör inom högtemperatur, högeffekt och ultrahögspänning kiselkarbid (Sic) enheter, och global leverantör av ett brett utbud av krafthalvledare. Dess portfölj av enheter inkluderar SiC-baserad likriktare, transistor, och tyristorprodukter, samt Silicon likriktare produkter. GeneSiC har utvecklat omfattande immateriella rättigheter och teknisk kunskap som omfattar de senaste framstegen inom SiC-kraftenheter, med produkter inriktade på alternativ energi, bil-, ned ole oljeborrning, Motor kontroll, strömförsörjning, transport, och avbrottsfri strömförsörjning. GeneSiC har erhållit ett flertal forsknings- och utvecklingskontrakt från amerikanska myndigheter, inklusive ARPA-E, Institutionen för energi, Marin, Armé, DARPA, DTRA, och Department of Homeland Security, såväl som stora statliga huvudentreprenörer. I 2011, företaget vann det prestigefyllda R&D100-pris för kommersialisering av SiC-tyristorer med ultrahög spänning.
För mer information, besök http://192.168.88.14/index.php/sic-products/schottky
Thief River Falls/Dulles, Virginia., Maj 28, 2013 — GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av ett brett sortiment av kiselkarbid (Sic) krafthalvledare tillkännager den omedelbara tillgängligheten av 3300 V/0.3 Ampere SiC Schottky Rectifiers – the GAP3SLT33-220FP. This unique product represents the highest voltage SiC rectifier on the market, and is specifically targeted towards voltage multiplier circuits and high voltage assemblies used in a wide range of X-Ray, Strömförsörjning för laser och partikelgenerator.
Contemporary voltage multiplier circuits suffer from low circuit efficiencies and large sizes because the reverse recovery currents from Silicon rectifiers discharge the parallel connected capacitors. Vid högre likriktarövergångstemperaturer, denna situation blir värre eftersom den omvända återvinningsströmmen i silikonlikriktare ökar med temperaturen. Med termiska begränsningar högspänningsaggregat, kopplingstemperaturerna stiger ganska lätt även när blygsamma strömmar passerar. High Voltage SiC-likriktare erbjuder unika egenskaper som lovar att revolutionera högspänningsaggregaten. GeneSiC 3300 V/0.3 A Schottky-likriktare har noll återvinningsström som inte ändras med temperaturen. Denna relativt höga spänning i en enda enhet tillåter en minskning av spänningsmultiplikationssteg som krävs i typiska högspänningsgeneratorkretsar, genom användning av högre AC-ingångsspänningar. De nära idealiska kopplingsegenskaperna tillåter eliminering/dramatisk minskning av spänningsbalanseringsnätverk och snubberkretsar. The TO-220 Full Pack overmolded isolated package features industry-standard form factor with increased pin spacing in through hole assemblies.
“This product offering comes from years of sustained efforts at GeneSiC. Vi tror att 3300 V rating is a key differentiator for the high voltage generator market, och kommer att ge våra kunder betydande fördelar. GeneSiC:s låga VF, low capacitance SiC Schottky Rectifiers enables this breakthrough product” sa Dr. Ranbir Singh, President för GeneSiC Semiconductor.
3300 V/0.3 A SiC Rectifier Technical Highlights
Alla enheter är 100% testad till full spänning/ström och inrymd i halogenfri, RoHS compliant industry-standard TO-220FP (Full Pack) paket. The devices are immediately available from GeneSiC’s Authorized Distributor, Digikey.
Om GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc.. är en ledande innovatör inom högtemperatur, högeffekt och ultrahögspänning kiselkarbid (Sic) enheter, och global leverantör av ett brett utbud av krafthalvledare. Dess portfölj av enheter inkluderar SiC-baserad likriktare, transistor, och tyristorprodukter, samt Silicon likriktare produkter. GeneSiC har utvecklat omfattande immateriella rättigheter och teknisk kunskap som omfattar de senaste framstegen inom SiC-kraftenheter, med produkter inriktade på alternativ energi, bil-, ned ole oljeborrning, Motor kontroll, strömförsörjning, transport, och avbrottsfri strömförsörjning. GeneSiC har erhållit ett flertal forsknings- och utvecklingskontrakt från amerikanska myndigheter, inklusive ARPA-E, Institutionen för energi, Marin, Armé, DARPA, DTRA, och Department of Homeland Security, såväl som stora statliga huvudentreprenörer. I 2011, företaget vann det prestigefyllda R&D100-pris för kommersialisering av SiC-tyristorer med ultrahög spänning.
För mer information, please visit www.genesicsemi.com
Dulles, Virginia., nov 7, 2013 — GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av ett brett sortiment av kiselkarbid (Sic) krafthalvledare tillkännager den omedelbara tillgängligheten av 8000 V SiC PiN-likriktare; 8000 V SiC Schottky-likriktare, 3300 V SiC Schottky Likriktare och 6500 V SiC tyristorer i blankt formformat. Dessa unika produkter representerar de SiC-enheter med högsta spänning på marknaden, och är specifikt inriktat på olje- och gasinstrumentering, spänningsmultiplikatorkretsar och högspänningsaggregat.
Samtida ultrahögspänningskretsar lider av låg kretseffektivitet och stora storlekar eftersom de omvända återvinningsströmmarna från kisellikriktare laddar ur de parallellkopplade kondensatorerna. Vid högre likriktarövergångstemperaturer, denna situation förvärras ytterligare eftersom den omvända återvinningsströmmen i silikonlikriktare ökar med temperaturen. Med termiska begränsningar högspänningsaggregat, kopplingstemperaturerna stiger ganska lätt även när blygsamma strömmar passerar. High Voltage SiC-likriktare erbjuder unika egenskaper som lovar att revolutionera högspänningsaggregaten. GeneSiC 8000 V och 3300 V Schottky-likriktare har noll omvänd återvinningsström som inte ändras med temperaturen. Denna relativt höga spänning i en enda enhet tillåter en minskning av spänningsmultiplikationssteg som krävs i typiska högspänningsgeneratorkretsar, genom användning av högre AC-ingångsspänningar. De nära idealiska kopplingsegenskaperna tillåter eliminering/dramatisk minskning av spänningsbalanseringsnätverk och snubberkretsar. 8000 V PiN-likriktare erbjuder högre strömnivåer och högre driftstemperaturer. 6500 V SiC Thyristor-chips finns också tillgängliga för att accelerera R&D av nya system.
"Dessa produkter visar upp GeneSiC:s starka ledning i utvecklingen av SiC-chips i multi-kV-klassificeringarna. Vi tror att 8000 V-betyget går utöver vad Silicon-enheter kan erbjuda vid nominella temperaturer, och kommer att ge våra kunder betydande fördelar. GeneSiC:s låga VF, SiC-likriktare och tyristorer med låg kapacitans kommer att möjliggöra fördelar på systemnivå som inte tidigare varit möjliga” sa Dr. Ranbir Singh, President för GeneSiC Semiconductor.
8000 V/2 A SiC Bare Die PiN Rectifier Tekniska höjdpunkter
8000 V/50 mA SiC Bare Die Schottky Rectifier Tekniska höjdpunkter
6500 V SiC Thyristor Bare Die Tekniska höjdpunkter
3300 V/0.3 A SiC Bare Die Rectifier Tekniska höjdpunkter
Om GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc.. är en ledande innovatör inom högtemperatur, högeffekt och ultrahögspänning kiselkarbid (Sic) enheter, och global leverantör av ett brett utbud av krafthalvledare. Dess portfölj av enheter inkluderar SiC-baserad likriktare, transistor, och tyristorprodukter, samt Silicon likriktare produkter. GeneSiC har utvecklat omfattande immateriella rättigheter och teknisk kunskap som omfattar de senaste framstegen inom SiC-kraftenheter, med produkter inriktade på alternativ energi, bil-, ned ole oljeborrning, Motor kontroll, strömförsörjning, transport, och avbrottsfri strömförsörjning. GeneSiC har erhållit ett flertal forsknings- och utvecklingskontrakt från amerikanska myndigheter, inklusive ARPA-E, Institutionen för energi, Marin, Armé, DARPA, DTRA, och Department of Homeland Security, såväl som stora statliga huvudentreprenörer. I 2011, företaget vann det prestigefyllda R&D100-pris för kommersialisering av SiC-tyristorer med ultrahög spänning.
För mer information, besök http://192.168.88.14/index.php/hit-sic/baredie
