Publicerat den

GeneSiC vinner det prestigefyllda R&D100 Award for SiC-Based Monolithic Transistor-Rectifier Switch

DULLES, VA, December 5, 2019 — R&D Magazine har valt GeneSiC Semiconductor Inc. av Dulles, VA som mottagare av det prestigefyllda 2019 R&D 100 Award for development of SiC-Based Monolithic Transistor-Rectifier Switch.

GeneSiC Semiconductor Inc., a key innovator in the Silicon Carbide based power devices was honored with the announcement that it has been awarded the prestigious 2019 R&D 100 Tilldela. Denna utmärkelse erkänner GeneSiC för att introducera en av de mest betydelsefulla, nyligen introducerade forsknings- och utvecklingsframsteg bland flera discipliner under 2018. R&D Magazine recognized GeneSiC’s medium voltage SiC power device technology for its ability to monolithically integrate MOSFET and Schottky rectifier on a single chip. These capabilities achieved by GeneSiC’s device critically enable power electronics researchers to develop next-generation power electronic systems like inverters and DC-DC converters. This will allow product developments within electric vehicles, charging infrastructure, renewable energy and energy storage industries. GeneSiC has booked orders from multiple customers towards demonstration of advanced power electronics hardware using these devices and continues to develop its family of Silicon Carbide MOSFET products. R&D on early version for power conversion applications were developed through US Dept. of Energy and collaboration with Sandia National Laboratories.

The annual technology competition run by R&D Magazine utvärderade bidrag från olika företag och branschaktörer, forskningsorganisationer och universitet runt om i världen. Tidningens redaktörer och en panel av externa experter fungerade som domare, utvärdera varje bidrag med avseende på dess betydelse för vetenskapens och forskningsvärlden.

Enligt R&D Magazine, vinna ett R&D 100 Utmärkelsen ger ett märke av excellens som är känt för industrin, regering, och akademin som bevis på att produkten är en av årets mest innovativa idéer. Denna utmärkelse erkänner GeneSiC som en global ledare inom skapandet av teknikbaserade produkter som gör skillnad i hur vi arbetar och lever.

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC är en snabbt växande innovatör inom området SiC kraftenheter och har ett starkt engagemang för utvecklingen av kiselkarbid (Sic) baserade enheter för: (a) HV-HF SiC-enheter för Power Grid, Pulserande kraft och riktade energivapen; och (b) Högtemperatur SiC-kraftenheter för flygplansmanöverdon och oljeprospektering. GeneSiC Semiconductor Inc.. utvecklar Silicon Carbide (Sic) baserade halvledarenheter för hög temperatur, strålning, och kraftnätsapplikationer. Detta inkluderar utveckling av likriktare, FET, bipolära enheter såväl som partiklar & fotoniska detektorer. GeneSiC har tillgång till en omfattande svit av halvledardesign, tillverkning, karakteriserings- och testmöjligheter för sådana anordningar. GeneSiC utnyttjar sin kärnkompetens inom enhets- och processdesign för att utveckla bästa möjliga SiC-enheter för sina kunder. Företaget utmärker sig genom att tillhandahålla högkvalitativa produkter som är specifikt anpassade till varje kunds krav. GeneSiC har huvud-/underkontrakt från stora amerikanska myndigheter, inklusive ARPA-E, USA:s energidepartement, Marin, DARPA, Inst för hemvärnsskydd, Dept of Commerce och andra avdelningar inom USA Dept. av försvaret. GeneSiC fortsätter att snabbt förbättra utrustningen och personalinfrastrukturen på sina Dulles, Virginia anläggning. Företaget anställer aggressivt personal med erfarenhet av tillverkning av sammansatta halvledarenheter, halvledartestning och detektorkonstruktioner. Ytterligare information om företaget och dess produkter kan erhållas genom att ringa GeneSiC på 703-996-8200 eller genom att besökawww.genesicsemi.com.

Publicerat den

High-current capable 650V, 1200V and 1700V SiC Schottky MPS™ diodes in mini-module SOT-227 package

DULLES, VA, Maj 11, 2019 — GeneSiC becomes a market leader in high-current capable (100 A and 200 A) SiC schottky diodes in SOT-227 mini-module

GeneSiC has introduced GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227 and GC2X100MPS06-227; the industry’s highest current rated 650V and 1700V SiC schottky diodes, adding to the existing 1200V SiC schottky diode mini-module portfolio – GB2X50MPS12-227 and GB2X100MPS12-227. These SiC diodes replace silicon-based ultra-fast recovery diodes, gör det möjligt för ingenjörer att bygga omkopplingskretsar med högre effektivitet och högre effekttäthet. Ansökningarna förväntas omfatta snabbladdare för elfordon, motordrivningar, transportation power supplies, high power rectification and industrial power supplies.

In addition to the isolated base-plate of the SOT-227 mini-module package, these newly released diodes feature low forward voltage drop, noll framåt återhämtning, noll omvänd återhämtning, låg kopplingskapacitans och är klassade för en maximal driftstemperatur på 175°C. GeneSiC:s tredje generation SiC schottky-diodteknologi ger branschledande lavinstabilitet och överspänningsström (Ifsm) robusthet, combined with high quality automotive qualified 6-inch fabrication and advanced high reliability discrete assembly technology.

These SiC diodes are pin-compatible direct replacements to other diodes available in the SOT-227 (mini-module) package. Dra nytta av deras lägre effektförluster (kylare drift) och högfrekvensomkopplingsförmåga, designers kan nu uppnå högre konverteringseffektivitet och större effekttäthet i design.

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC är en snabbt växande innovatör inom området SiC kraftenheter och har ett starkt engagemang för utvecklingen av kiselkarbid (Sic) baserade enheter för: (a) HV-HF SiC-enheter för Power Grid, Pulserande kraft och riktade energivapen; och (b) Högtemperatur SiC-kraftenheter för flygplansmanöverdon och oljeprospektering. GeneSiC Semiconductor Inc.. utvecklar Silicon Carbide (Sic) baserade halvledarenheter för hög temperatur, strålning, och kraftnätsapplikationer. Detta inkluderar utveckling av likriktare, FET, bipolära enheter såväl som partiklar & fotoniska detektorer. GeneSiC har tillgång till en omfattande svit av halvledardesign, tillverkning, karakteriserings- och testmöjligheter för sådana anordningar. GeneSiC utnyttjar sin kärnkompetens inom enhets- och processdesign för att utveckla bästa möjliga SiC-enheter för sina kunder. Företaget utmärker sig genom att tillhandahålla högkvalitativa produkter som är specifikt anpassade till varje kunds krav. GeneSiC har huvud-/underkontrakt från stora amerikanska myndigheter, inklusive ARPA-E, USA:s energidepartement, Marin, DARPA, Inst för hemvärnsskydd, Dept of Commerce och andra avdelningar inom USA Dept. av försvaret. GeneSiC fortsätter att snabbt förbättra utrustningen och personalinfrastrukturen på sina Dulles, Virginia anläggning. Företaget anställer aggressivt personal med erfarenhet av tillverkning av sammansatta halvledarenheter, halvledartestning och detektorkonstruktioner. Ytterligare information om företaget och dess produkter kan erhållas genom att ringa GeneSiC på 703-996-8200 eller genom att besökawww.genesicsemi.com.

Publicerat den

GeneSiC släpper branschens bäst presterande 1700V SiC Schottky MPS™ dioder

DULLES, VA, januari 7, 2019 — GeneSiC släpper en omfattande portfölj av sin tredje generation 1700V SiC Schottky MPS™-dioder i TO-247-2-paket

GeneSiC har introducerat GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 och GB50MPS17-247; branschens bäst presterande 1700V SiC-dioder tillgängliga i det populära TO-247-2 genomhålspaketet. Dessa 1700V SiC-dioder ersätter kiselbaserade ultrasnabba återställningsdioder och andra gamla generationens 1700V SiC JBS, gör det möjligt för ingenjörer att bygga omkopplingskretsar med högre effektivitet och högre effekttäthet. Ansökningarna förväntas omfatta snabbladdare för elfordon, motordrivningar, kraftförsörjning för transporter och förnybar energi.

GB50MPS17-247 är en 1700V 50A SiC sammanslagen-PiN-schottky-diod, branschens högst märkta diskreta SiC-effektdiod. Dessa nyligen släppta dioder har lågt framåtspänningsfall, noll framåt återhämtning, noll omvänd återhämtning, låg kopplingskapacitans och är klassade för en maximal driftstemperatur på 175°C. GeneSiC:s tredje generation SiC schottky-diodteknologi ger branschledande lavinstabilitet och överspänningsström (Ifsm) robusthet, kombinerat med högkvalitativt bilkvalificerat 6-tums gjuteri och avancerad diskret monteringsteknik med hög tillförlitlighet.

Dessa SiC-dioder är stiftkompatibla direkta ersättningar till andra dioder som finns i TO-247-2-paketet. Dra nytta av deras lägre effektförluster (kylare drift) och högfrekvensomkopplingsförmåga, designers kan nu uppnå högre konverteringseffektivitet och större effekttäthet i design.

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC är en snabbt växande innovatör inom området SiC kraftenheter och har ett starkt engagemang för utvecklingen av kiselkarbid (Sic) baserade enheter för: (a) HV-HF SiC-enheter för Power Grid, Pulserande kraft och riktade energivapen; och (b) Högtemperatur SiC-kraftenheter för flygplansmanöverdon och oljeprospektering. GeneSiC Semiconductor Inc.. utvecklar Silicon Carbide (Sic) baserade halvledarenheter för hög temperatur, strålning, och kraftnätsapplikationer. Detta inkluderar utveckling av likriktare, FET, bipolära enheter såväl som partiklar & fotoniska detektorer. GeneSiC har tillgång till en omfattande svit av halvledardesign, tillverkning, karakteriserings- och testmöjligheter för sådana anordningar. GeneSiC utnyttjar sin kärnkompetens inom enhets- och processdesign för att utveckla bästa möjliga SiC-enheter för sina kunder. Företaget utmärker sig genom att tillhandahålla högkvalitativa produkter som är specifikt anpassade till varje kunds krav. GeneSiC har huvud-/underkontrakt från stora amerikanska myndigheter, inklusive ARPA-E, USA:s energidepartement, Marin, DARPA, Inst för hemvärnsskydd, Dept of Commerce och andra avdelningar inom USA Dept. av försvaret. GeneSiC fortsätter att snabbt förbättra utrustningen och personalinfrastrukturen på sina Dulles, Virginia anläggning. Företaget anställer aggressivt personal med erfarenhet av tillverkning av sammansatta halvledarenheter, halvledartestning och detektorkonstruktioner. Ytterligare information om företaget och dess produkter kan erhållas genom att ringa GeneSiC på 703-996-8200 eller genom att besökawww.genesicsemi.com.

Publicerat den

GeneSiC Interviewed at PCIM 2016 in Nuremberg, Tyskland

Power System Design Interviews GeneSiC

Nuremberg, Germany May 12, 2016 — GeneSiC Semiconductor’s President was interviewed by Alix Paultre of Power Systems Design (http://www.powersystemsdesign.com/psdcast-ranbir-singh-of-genesic-on-their-latest-silicon-carbide-tech/67) at the PCIM show in Nuremberg, Tyskland.

 

Publicerat den

All-Silicon Carbide Junction Transistors-Diodes offered in a 4 Leaded mini-module

Co-packaged SiC Transistor-Diode combination in a robust, isolated, 4-Leaded, mini-module packaging reduces Turn-On energy losses and enables flexible circuit designs for high frequency power converters

DULLES, VA, Maj 13, 2015 — GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av ett brett sortiment av kiselkarbid (Sic) power semiconductors today announces the immediate availability of 20 mOhm-1200 V SiC Junction Transistor-Diodes in an isolated, 4-Leaded mini-module packaging that enables extremely low Turn-On energies losses while offering flexible, modular designs in high frequency power converters. The use of high frequency, high voltage and low on-resistance capable SiC Transistors and Rectifiers will reduce the size/weight/volume of electronics applications requiring higher power handling at high operating frequencies. These devices are targeted for use in a wide variety of applications including induction heaters, plasma generators, fast chargers, DC-DC converters, and switched mode power supplies.

Silicon Carbide Junction Transistor Co-pack Rectifier SOT-227 Isotop

1200 V/20 mOhm Silicon Carbide Junction Transistor Rectifier-Copackaged in an Isolated SOT-227 package providing separate Gate Source and Sink capability

Co-packaged SiC Junction Transistors (SJT)-SiC Rectifiers offered by GeneSiC are uniquely applicable to inductive switching applications because SJTs are the only widebandgap switch offers >10 microsec repetitive short circuit capability, even at 80% of the rated voltages (eg. 960 V for a 1200 V device). In addition to the sub-10 nsec rise/falls times and a square reverse biased safe operation area (RBSOA), the Gate Return terminal in the new configuration significantly improves the ability to reduce the switching energies. These new class of products offers transient energy losses and switching times that are independent of junction temperature. SiC Junction Transistors from GeneSiC are gate-oxide free, normally-off, exhibit positive temperature co-efficient of on-resistance, and are capable of being driven at low Gate voltages, unlike other SiC switches.
SiC Schottky Rectifiers used in these mini-modules show low on-state voltage drops, good surge current ratings and industry’s lowest leakage currents at elevated temperatures. With temperature independent, near-zero reverse recovery switching characteristics, SiC Schottky rectifiers are ideal candidates for use in high efficiency circuits.
“GeneSiC’s SiC Transistor and Rectifier products are designed and manufactured to realize low on-state and switching losses. A combination of these technologies in an innovative package promises exemplar performance in power circuits demanding wide bandgap based devices. The mini-module packaging offers great design flexibility for use in a variety of power circuits like H-Bridge, Flyback and multi-level inverters” sa Dr. Ranbir Singh, President för GeneSiC Semiconductor.
Product released today include
20 mOhm/1200 V SiC Junction Transistor/Rectifier Co-pack (GA50SICP12-227):
• Isolated SOT-227/mini-block/Isotop package
• Transistor Current Gain (hFE) >100
• Tjmax = 175oC (limited by packaging)
• Turn On/Off; Rise/Fall Times <10 nanoseconds typical.

Alla enheter är 100% tested to full voltage/current ratings. The devices are immediately available from GeneSiC’s Authorized Distributors.

För mer information, besök: http://192.168.88.14/commercial-sic/sic-modules-copack/

Om GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. är en ledande innovatör inom högtemperatur, högeffekt och ultrahögspänning kiselkarbid (Sic) enheter, och global leverantör av ett brett utbud av krafthalvledare. Dess portfölj av enheter inkluderar SiC-baserad likriktare, transistor, och tyristorprodukter, as well as Silicon diode modules. GeneSiC har utvecklat omfattande immateriella rättigheter och teknisk kunskap som omfattar de senaste framstegen inom SiC-kraftenheter, med produkter inriktade på alternativ energi, bil-, downhole oil drilling, Motor kontroll, strömförsörjning, transport, och avbrottsfri strömförsörjning. I 2011, företaget vann det prestigefyllda R&D100-pris för kommersialisering av SiC-tyristorer med ultrahög spänning.

Publicerat den

General Purpose High Temperature SiC Transistors and Rectifiers Offered at Low Cost

High Temperature (>210oC) Junction Transistors and Rectifiers in small form factor metal can packages offer revolutionary performance benefits to a variety of applications including amplification, low noise circuitry and downhole actuator controls

DULLES, VA, March 9, 2015 — GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av ett brett sortiment av kiselkarbid (Sic) power semiconductors today announces the immediate availability of a line of compact, high temperature SiC Junction Transistors as well as a line of rectifiers in TO-46 metal can packages. These discrete components are designed and manufactured to operate under ambient temperatures of greater than 215oC. The use of high temperature, high voltage and low on-resistance capable SiC Transistors and Rectifiers will reduce the size/weight/volume of electronics applications requiring higher power handling at elevated temperatures. These devices are targeted for use in a wide variety of applications including a wide variety of downhole circuits, geothermal instrumentation, solenoid actuation, general purpose amplification, and switched mode power supplies.

High Temperature SiC Junction Transistors (SJT) offered by GeneSiC exhibit sub-10 nsec rise/falls times enabling >10 MHz switching as well as a square reverse biased safe operation area (RBSOA). The transient energy losses and switching times are independent of junction temperature. These switches are gate-oxide free, normally-off, exhibit positive temperature co-efficient of on-resistance, and are capable of being driven by 0/+5 V TTL gate drivers, unlike other SiC switches. Unique advantages of the SJT in contrast to other SiC switches is its higher long term reliability, >20 usec short circuit capability, and superior avalanche capability. These devices can be used as efficient amplifiers as they promise a much higher linearity than any other SiC switch.

High Temperature SiC Schottky Rectifiers being offered by GeneSiC show low on-state voltage drops, and industry’s lowest leakage currents at elevated temperatures. With temperature independent, near-zero reverse recovery switching characteristics, SiC Schottky rectifiers are ideal candidates for use in high efficiency, high temperature circuits. The TO-46 metal can packages as well as the associated packaging processes used to create these products critically enable long term use where high reliability is critical.

“GeneSiC’s Transistor and Rectifier products are designed and manufactured from the grounds up to enable high temperature operation. These compact TO-46 packaged SJTs offer high current gains (>110), 0/+5 V TTL control, and robust performance. These devices offer low conduction losses and high linearity. We design our “SHT” line of rectifiers, to offer low leakage currents at high temperatures. These metal can packaged products augment our TO-257 and metal SMD products released last year to offer small form factor, vibration resistant solutions” sa Dr. Ranbir Singh, President för GeneSiC Semiconductor.

Products released today include:TO-46 SiC Transistor Diodes

240 mOhm SiC Junction Transistors:

  • 300 V blocking voltage. Part number GA05JT03-46
  • 100 V blocking voltage. Part number GA05JT01-46
  • Current Gain (hFE) >110
  • Tjmax = 210oC
  • Turn On/Off; Rise/Fall Times <10 nanoseconds typical.

Up to 4 Ampere High Temperature Schottky diodes:

  • 600 V blocking voltage. Part number GB02SHT06-46
  • 300 V blocking voltage. Part number GB02SHT03-46
  • 100 V blocking voltage. Part number GB02SHT01-46
  • Total capacitive charge 9 nC
  • Tjmax = 210oC.

Alla enheter är 100% tested to full voltage/current ratings and housed in metal can TO-46 packages. The devices are immediately available from GeneSiC’s Authorized Distributors.

Om GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. är en ledande innovatör inom högtemperatur, högeffekt och ultrahögspänning kiselkarbid (Sic) enheter, och global leverantör av ett brett utbud av krafthalvledare. Dess portfölj av enheter inkluderar SiC-baserad likriktare, transistor, och tyristorprodukter, as well as Silicon diode modules. GeneSiC har utvecklat omfattande immateriella rättigheter och teknisk kunskap som omfattar de senaste framstegen inom SiC-kraftenheter, med produkter inriktade på alternativ energi, bil-, downhole oil drilling, Motor kontroll, strömförsörjning, transport, och avbrottsfri strömförsörjning. I 2011, företaget vann det prestigefyllda R&D100-pris för kommersialisering av SiC-tyristorer med ultrahög spänning.

För mer information, besök http://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; och http://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.

Publicerat den

Gate Driver Board and SPICE Models for Silicon Carbide Junction Transistors (SJT) Released

Gate Driver Board optimized for high switching speeds and behavior-based models enable power electronic design engineers to verify and quantify benefits of SJTs in board-level evaluation and circuit simulation

DULLES, V.A., nov 19, 2014 — GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av ett brett sortiment av kiselkarbid (Sic) power semiconductors today announces the immediate availability of Gate Driver evaluation board and has expanded its design support for the industry’s lowest loss switches – the SiC Junction Transistor (SJT) – with a fully-qualified LTSPICE IV model. Using the new Gate Driver Board, power conversion circuit designers can verify the benefits of sub-15 nanosecond, temperature independent switching characteristics of SiC Junction Transistors, with low driver power losses. Incorporating the new SPICE models, circuit designers can easily evaluate the benefits GeneSiC’s SJTs provide for achieving a higher level of efficiency than is possible with conventional silicon power switching devices for comparably-rated devices.

GA03IDDJT30-FR4_image

Gate Driver Board GA03IDDJT30-FR4 applicable towards SJTs from GeneSiC

SiC Junction Transistors have significantly different characteristics than other SiC Transistor technologies, as well as Silicon Transistors. Gate Driver boards that can provide low power losses while still offering high switching speeds were needed to provide drive solutions for utilizing the benefits of SiC Junction Transistors. GeneSiC’s fully isolated GA03IDDJT30-FR4 Gate driver board takes in 0/12V and a TTL signal to optimally condition the voltage/current waveforms required to provide small rise/fall times, while still minimizing the continuous current requirement for keeping the Normally-OFF SJT conducting during the on-state. The pin configuration and form factors are kept similar to other SiC transistors. GeneSiC has also released Gerber files and BOMs to end-user to enable them to incorporate the benefits of the driver design innovations realized.

SJTs offer well-behaved on-state and switching characteristics, making it easy to create behavior based SPICE models that agree remarkably well with the underlying physics based models as well. Using well-established and understood physics-based models, SPICE parameters were released after extensive testing with device behavior. GeneSiC’s SPICE models are compared to the experimentally measured data on all device datasheets and are applicable to all 1200 V och 1700 V SiC Junction Transistors released.
GeneSiC’s SJTs are capable of delivering switching frequencies that are more than 15 times higher than IGBT-based solutions. Their higher switching frequencies can enable smaller magnetic and capacitive elements, thereby shrinking the overall size, weight and cost of power electronics systems.

This SiC Junction Transistor SPICE model adds to GeneSiC’s comprehensive suite of design support tools, technical documentation, and reliability information to provide power electronics engineers with the design resources necessary to implement GeneSiC’s comprehensive family of SiC Junction Transistors and Rectifiers into the next generation of power systems.

GeneSiC’s Gate Driver Board datasheets and SJT SPICE models can be downloaded from http://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/

Publicerat den

GeneSiC Releases 25 mOhm/1700 V Silicon Carbide Transistors

SiC switches offering lowest conduction losses and superior short circuit capability released for High Frequency Power Circuits

Dulles, Virginia., Oct 28, 2014 — GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av ett brett sortiment av kiselkarbid (Sic) power semiconductors today announces the immediate availability of a family of low on-resistance 1700V and 1200 V SiC Junction Transistors in TO-247 packages. The use of high voltage, high frequency, high temperature and low on-resistance capable SiC Junction Transistors will increase conversion efficiency and reduce the size/weight/volume of power electronics applications requiring higher bus voltages. These devices are targeted for use in a wide variety of applications including DC microgrids, Vehicle Fast chargers, server, telecom and networking power supplies, uninterruptable power supplies, solväxelriktare, Wind power systems, and industrial motor control systems.1410 28 GA50JT17-247

SiC Junction Transistors (SJT) offered by GeneSiC exhibit ultra-fast switching capability (similar to that of SiC MOSFETs), a square reverse biased safe operation area (RBSOA), as well as temperature-independent transient energy losses and switching times. These switches are gate-oxide free, normally-off, exhibit positive temperature co-efficient of on-resistance, and are capable of being driven by commercially gate drivers, unlike other SiC switches. Unique advantages of the SJT in contrast to other SiC switches is its higher long term reliability, >10 usec short circuit capability, and superior avalanche capability

“These improved SJTs offer much higher current gains (>100), highly stable and robust performance as compared to other SiC switches. GeneSiC’s SJTs offer extremely low conduction losses at rated currents as superior turn-off losses in power circuits. Utilizing the unique device and fabrication innovations, GeneSiC’s Transistor products help designers achieve a more robust solution,” sa Dr. Ranbir Singh, President för GeneSiC Semiconductor.

1700 V SiC Junction Transistor released

1200 V SiC Junction Transistor released

Alla enheter är 100% testad till full spänning/ström och inrymd i halogenfri, RoHS compliant TO-247 packages. Enheterna är omedelbart tillgängliga från GeneSiCs auktoriserade distributörer.

För mer information, besök http://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/

Publicerat den

GeneSiC Supports Google/IEEE’s Little Box Challenge

GeneSiC’s SiC Transistor and Rectifiers offer significant advantages towards achieving the goals of the Little Box Challenge

State-Of-the Art. Silicon Carbide Power Transistors & Rectifiers. Available. Now!

GeneSiC has a wide portfolio of products available right now worldwide from top distributors

Bare Die Chip form of SiC devices available Directly from factory (please fill the form below)

Discrete SJTs och Rectifiers in Commercial temperature ratings (175° C)

Discrete HiT SJTs and HiT Rectifiers in High Temperature (up to 250° C)

GeneSiC offers the widest variety of SiC products – in packaged products as well as bare-die format to allow greater design flexibility and innovation. GeneSiC is continuously striving to stay ahead by introducing new, innovative products. If you don’t see the exact product you are looking for today, you may see it in the near future.

Publicerat den

High Temperature (210 C) SiC Junction Transistors offered in hermetic packages

The promise of high temperature in SiC Transistors realized through compatible industry-standard packages will critically enhance downhole and aerospace actuators and power supplies

Dulles, Virginia., Dec 10, 2013 — GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av ett brett sortiment av kiselkarbid (Sic) power semiconductors today announces the immediate availability through its distributors and directly a family high temperature packaged 600 V SiC Junction Transistors (SJT) in the 3-50 Amperes current ratings in JEDEC industry-standard through hole and surface mount packages. Incorporating these high temperature, low on-resistance, high frequency SiC Transistors in hermetic packages, high temperature solders and encapsulation will increase conversion efficiency and reduce the size/weight/volume of high temperature power conversion applications.HiT_Schottky

Contemporary high temperature power supply, motor control and actuator circuits used in oil/gas/downhole and aerospace applications suffer from lack of availability of a viable high temperature Silicon Carbide solution. Silicon transistors suffer from low circuit efficiencies and large sizes because they suffer from high leakage currents and low poor switching characteristics. Both these parameters become worse at higher junction temperatures. With thermally constraint environments, kopplingstemperaturerna stiger ganska lätt även när blygsamma strömmar passerar. Hermetically packaged SiC transistors offer unique characteristics that promise to revolutionize the capability of downhole and aerospace applications. GeneSiC 650 V/3-50 A SiC Junction Transistors feature near zero switching times that does not change with temperature. De 210oC junction temperature-rated devices offer relatively large temperature margins for applications that are operating under extreme environments.

Junction Transistors offered by GeneSiC exhibit ultra-fast switching capability, a square reverse biased safe operation area (RBSOA), as well as temperature-independent transient energy losses and switching times. These switches are gate-oxide free, normally-off, exhibit positive temperature co-efficient of on-resistance, and are capable of being driven by commercial, commonly available 15 V IGBT gate drivers, unlike other SiC switches. While offering compatibility with SiC JFET drivers, SiC Junction Transistors can be easily paralleled because of their matching transient characteristics.

“As downhole and aerospace application designers continue to push the limits of operating frequency, while still demanding high circuit efficiencies, they need SiC switches which can offer a standard of performance, reliability and production uniformity. Utilizing the unique device and fabrication innovations, GeneSiC’s SJT products help designers achieve all that in a more robust solution. These products complement the hermetic packaged SiC rectifier released last year by GeneSiC, and the bare die products released earlier this year, while paving the way for us to offer high temperature, low-inductance, power modules in the near future ” sa Dr. Ranbir Singh, President för GeneSiC Semiconductor.

Isolated TO-257 with 600 V SJTs:

  • 65 mOhms/20 Amp (2N7639-GA); 170 mOhms/8 Amp (2N7637-GA); och 425 mOhms/4 Amp (2N7635-GA)
  • Tjmax = 210oC
  • Turn On/Off; Rise/Fall Times <50 nanoseconds typical.
  • Corresponding Bare Die GA20JT06-CAL (in 2N7639-GA); GA10JT06-CAL (in 2N7637-GA); and GA05JT06-CAL (in 2N7635-GA)

Non-Isolated TO-258 Prototype package with 600 SJTs

  • 25 mOhms/50 Amp (GA50JT06-258 prototype package)
  • Tjmax = 210oC
  • Turn On/Off; Rise/Fall Times <50 nanoseconds typical.
  • Corresponding Bare Die GA50JT06-CAL (in GA50JT06-258)

Surface Mount TO-276 (SMD0.5) with 600 SJTs

  • 65 mOhms/20 Amp (2N7640-GA); 170 mOhms/8 Amp (2N7638-GA); och 425 mOhms/4 Amp (2N7636-GA)
  • Tjmax = 210oC
  • Turn On/Off; Rise/Fall Times <50 nanoseconds typical.

Alla enheter är 100% tested to full voltage/current ratings and housed in hermetic packages. Teknisk support och SPICE-kretsmodeller erbjuds. The devices are immediately available from GeneSiC Directly and/or through its Authorized Distributors.

Om GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. är en ledande innovatör inom högtemperatur, högeffekt och ultrahögspänning kiselkarbid (Sic) enheter, och global leverantör av ett brett utbud av krafthalvledare. Dess portfölj av enheter inkluderar SiC-baserad likriktare, transistor, och tyristorprodukter, samt Silicon likriktare produkter. GeneSiC har utvecklat omfattande immateriella rättigheter och teknisk kunskap som omfattar de senaste framstegen inom SiC-kraftenheter, med produkter inriktade på alternativ energi, bil-, ned ole oljeborrning, Motor kontroll, strömförsörjning, transport, och avbrottsfri strömförsörjning. GeneSiC har erhållit ett flertal forsknings- och utvecklingskontrakt från amerikanska myndigheter, inklusive ARPA-E, Institutionen för energi, Marin, Armé, DARPA, DTRA, och Department of Homeland Security, såväl som stora statliga huvudentreprenörer. I 2011, företaget vann det prestigefyllda R&D100-pris för kommersialisering av SiC-tyristorer med ultrahög spänning.

För mer information, besök http://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt