Publicerat den

SiC Schottky-dioder i SMB (DO-214) paket erbjuder minsta fotavtryck

Högspänning, Omvänd återställningsfria SiC Schottky-dioder för att på ett kritiskt sätt möjliggöra solväxelriktare och högspänningsaggregat genom att erbjuda ytmonteringsmöjligheter med minsta formfaktor

Dulles, Virginia., nov 19, 2013 — GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av ett brett sortiment av kiselkarbid (Sic) krafthalvledare tillkännager idag den omedelbara tillgängligheten av en familj av industristandard SMB (JEDEC DO-214AA) förpackade SiC-likriktare i 650 – 3300 V-intervall. Inkorporerar dessa högspänningar, omvänd återhämtning-fri, högfrekvens- och högtemperaturkapabla SiC-dioder kommer att öka konverteringseffektiviteten och minska storleken/vikten/volymen av multi-kV-enheter. Dessa produkter är inriktade på mikrosolväxelriktare såväl som spänningsmultiplikatorkretsar som används i ett brett spektrum av röntgenstrålar, Strömförsörjning för laser och partikelgenerator.Alla likriktare

Samtida mikrosolväxelriktare och spänningsmultiplikatorkretsar kan drabbas av låg kretseffektivitet och stora storlekar på grund av de omvända återvinningsströmmarna från silikonlikriktare. Vid högre likriktarövergångstemperaturer, denna situation blir värre eftersom den omvända återvinningsströmmen i silikonlikriktare ökar med temperaturen. Med termiska begränsningar högspänningsaggregat, kopplingstemperaturerna stiger ganska lätt även när blygsamma strömmar passerar. Högspännings-SiC-likriktare erbjuder unika egenskaper som lovar att revolutionera mikrosolväxelriktarna och högspänningsaggregaten. GeneSiC 650 V/1 A; 1200 V/2 A och 3300 V/0.3 A Schottky-likriktare har noll återvinningsström som inte ändras med temperaturen. De 3300 V-klassade enheter erbjuder relativt hög spänning i en enda enhet tillåter en minskning av spänningsmultiplikationssteg som krävs i typiska högspänningsgeneratorkretsar, genom användning av högre AC-ingångsspänningar. De nära idealiska kopplingsegenskaperna tillåter eliminering/dramatisk minskning av spänningsbalanseringsnätverk och snubberkretsar. SMB (DO-214AA) övergjuten förpackning har industristandard formfaktor för ytmontering.

"Dessa produkterbjudanden kommer från år av ihållande utvecklingsinsatser på GeneSiC för att erbjuda övertygande enheter och paket. Vi tror att SMB-formfaktorn är en viktig differentiator för marknaden för Micro Solar Inverter och Voltage Multiplier, och kommer att ge våra kunder betydande fördelar. GeneSiC:s låga VF, SiC Schottky-likriktare med låg kapacitans och förbättrade SMB-paket möjliggör denna banbrytande produkt” sa Dr. Ranbir Singh, President för GeneSiC Semiconductor.

1200 V/2 A SMB SiC Schottky-diod (GB02SLT12-214) Tekniska höjdpunkter

  • Typiskt VF = 1.5 V
  • Tjmax = 175oC
  • Reverse Recover Charge = 14 nC.

3300 V/0,3 A SMB SiC Schottky-diod (GAP3SLT33-214) Tekniska höjdpunkter

  • Typiskt VF = 1.7 V
  • Tjmax = 175oC
  • Reverse Recover Charge = 52 nC.

650 V/1 A SMB SiC Schottky-diod (GB01SLT06-214) Tekniska höjdpunkter

  • Typiskt VF = 1.5 V
  • Tjmax = 175oC
  • Reverse Recover Charge = 7 nC.

Alla enheter är 100% testad till full spänning/ström och inrymd i halogenfri, RoHS-kompatibel SMB (DO-214AA) paket. Teknisk support och SPICE-kretsmodeller erbjuds. Enheterna är omedelbart tillgängliga från GeneSiCs auktoriserade distributörer.

Om GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. är en ledande innovatör inom högtemperatur, högeffekt och ultrahögspänning kiselkarbid (Sic) enheter, och global leverantör av ett brett utbud av krafthalvledare. Dess portfölj av enheter inkluderar SiC-baserad likriktare, transistor, och tyristorprodukter, samt Silicon likriktare produkter. GeneSiC har utvecklat omfattande immateriella rättigheter och teknisk kunskap som omfattar de senaste framstegen inom SiC-kraftenheter, med produkter inriktade på alternativ energi, bil-, ned ole oljeborrning, Motor kontroll, strömförsörjning, transport, och avbrottsfri strömförsörjning. GeneSiC har erhållit ett flertal forsknings- och utvecklingskontrakt från amerikanska myndigheter, inklusive ARPA-E, Institutionen för energi, Marin, Armé, DARPA, DTRA, och Department of Homeland Security, såväl som stora statliga huvudentreprenörer. I 2011, företaget vann det prestigefyllda R&D100-pris för kommersialisering av SiC-tyristorer med ultrahög spänning.

För mer information, besök http://192.168.88.14/index.php/sic-products/schottky

Publicerat den

Silicon Carbide Schottky Rectifiers extended to 3300 Volt ratings

High Voltage assemblies to benefit from these low capacitance rectifiers offering temperature-independent zero reverse recovery currents in isolated packages

Thief River Falls/Dulles, Virginia., Maj 28, 2013 — GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av ett brett sortiment av kiselkarbid (Sic) krafthalvledare tillkännager den omedelbara tillgängligheten av 3300 V/0.3 Ampere SiC Schottky Rectifiers – the GAP3SLT33-220FP. This unique product represents the highest voltage SiC rectifier on the market, and is specifically targeted towards voltage multiplier circuits and high voltage assemblies used in a wide range of X-Ray, Strömförsörjning för laser och partikelgenerator.3300 V SiC Schottky diode GeneSiC

Contemporary voltage multiplier circuits suffer from low circuit efficiencies and large sizes because the reverse recovery currents from Silicon rectifiers discharge the parallel connected capacitors. Vid högre likriktarövergångstemperaturer, denna situation blir värre eftersom den omvända återvinningsströmmen i silikonlikriktare ökar med temperaturen. Med termiska begränsningar högspänningsaggregat, kopplingstemperaturerna stiger ganska lätt även när blygsamma strömmar passerar. High Voltage SiC-likriktare erbjuder unika egenskaper som lovar att revolutionera högspänningsaggregaten. GeneSiC 3300 V/0.3 A Schottky-likriktare har noll återvinningsström som inte ändras med temperaturen. Denna relativt höga spänning i en enda enhet tillåter en minskning av spänningsmultiplikationssteg som krävs i typiska högspänningsgeneratorkretsar, genom användning av högre AC-ingångsspänningar. De nära idealiska kopplingsegenskaperna tillåter eliminering/dramatisk minskning av spänningsbalanseringsnätverk och snubberkretsar. The TO-220 Full Pack overmolded isolated package features industry-standard form factor with increased pin spacing in through hole assemblies.3300 V SiC Schottky diode SMB GeneSiC

“This product offering comes from years of sustained efforts at GeneSiC. Vi tror att 3300 V rating is a key differentiator for the high voltage generator market, och kommer att ge våra kunder betydande fördelar. GeneSiC:s låga VF, low capacitance SiC Schottky Rectifiers enables this breakthrough product” sa Dr. Ranbir Singh, President för GeneSiC Semiconductor.

3300 V/0.3 A SiC Rectifier Technical Highlights

  • On-state Drop of 1.7 Moms 0.3 A
  • Positiv temperaturkoefficient på VF
  • Tjmax = 175oC
  • Kapacitiv laddning 52 nC (typisk).

Alla enheter är 100% testad till full spänning/ström och inrymd i halogenfri, RoHS compliant industry-standard TO-220FP (Full Pack) paket. The devices are immediately available from GeneSiC’s Authorized Distributor, Digikey.

Om GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. är en ledande innovatör inom högtemperatur, högeffekt och ultrahögspänning kiselkarbid (Sic) enheter, och global leverantör av ett brett utbud av krafthalvledare. Dess portfölj av enheter inkluderar SiC-baserad likriktare, transistor, och tyristorprodukter, samt Silicon likriktare produkter. GeneSiC har utvecklat omfattande immateriella rättigheter och teknisk kunskap som omfattar de senaste framstegen inom SiC-kraftenheter, med produkter inriktade på alternativ energi, bil-, ned ole oljeborrning, Motor kontroll, strömförsörjning, transport, och avbrottsfri strömförsörjning. GeneSiC har erhållit ett flertal forsknings- och utvecklingskontrakt från amerikanska myndigheter, inklusive ARPA-E, Institutionen för energi, Marin, Armé, DARPA, DTRA, och Department of Homeland Security, såväl som stora statliga huvudentreprenörer. I 2011, företaget vann det prestigefyllda R&D100-pris för kommersialisering av SiC-tyristorer med ultrahög spänning.

För mer information, please visit www.genesicsemi.com

Publicerat den

Silicon Carbide Bare Die upp till 8000 V Betyg från GeneSiC

Högspänningskretsar och sammansättningar för att dra nytta av SiC-chips som erbjuder oöverträffade spänningsklasser och ultrahöghastighetsomkoppling

Dulles, Virginia., nov 7, 2013 — GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av ett brett sortiment av kiselkarbid (Sic) krafthalvledare tillkännager den omedelbara tillgängligheten av 8000 V SiC PiN-likriktare; 8000 V SiC Schottky-likriktare, 3300 V SiC Schottky Likriktare och 6500 V SiC tyristorer i blankt formformat. Dessa unika produkter representerar de SiC-enheter med högsta spänning på marknaden, och är specifikt inriktat på olje- och gasinstrumentering, spänningsmultiplikatorkretsar och högspänningsaggregat.

Samtida ultrahögspänningskretsar lider av låg kretseffektivitet och stora storlekar eftersom de omvända återvinningsströmmarna från kisellikriktare laddar ur de parallellkopplade kondensatorerna. Vid högre likriktarövergångstemperaturer, denna situation förvärras ytterligare eftersom den omvända återvinningsströmmen i silikonlikriktare ökar med temperaturen. Med termiska begränsningar högspänningsaggregat, kopplingstemperaturerna stiger ganska lätt även när blygsamma strömmar passerar. High Voltage SiC-likriktare erbjuder unika egenskaper som lovar att revolutionera högspänningsaggregaten. GeneSiC 8000 V och 3300 V Schottky-likriktare har noll omvänd återvinningsström som inte ändras med temperaturen. Denna relativt höga spänning i en enda enhet tillåter en minskning av spänningsmultiplikationssteg som krävs i typiska högspänningsgeneratorkretsar, genom användning av högre AC-ingångsspänningar. De nära idealiska kopplingsegenskaperna tillåter eliminering/dramatisk minskning av spänningsbalanseringsnätverk och snubberkretsar. 8000 V PiN-likriktare erbjuder högre strömnivåer och högre driftstemperaturer. 6500 V SiC Thyristor-chips finns också tillgängliga för att accelerera R&D av nya system.

"Dessa produkter visar upp GeneSiC:s starka ledning i utvecklingen av SiC-chips i multi-kV-klassificeringarna. Vi tror att 8000 V-betyget går utöver vad Silicon-enheter kan erbjuda vid nominella temperaturer, och kommer att ge våra kunder betydande fördelar. GeneSiC:s låga VF, SiC-likriktare och tyristorer med låg kapacitans kommer att möjliggöra fördelar på systemnivå som inte tidigare varit möjliga” sa Dr. Ranbir Singh, President för GeneSiC Semiconductor.

8000 V/2 A SiC Bare Die PiN Rectifier Tekniska höjdpunkter

  • Tjmax = 210oC
  • Omvända läckströmmar < 50 uA kl 175oC
  • Omvänd återställningsavgift 558 nC (typisk).

8000 V/50 mA SiC Bare Die Schottky Rectifier Tekniska höjdpunkter

  • Total kapacitans 25 pF (typisk, på -1 V, 25oC).
  • Positiv temperaturkoefficient på VF
  • Tjmax = 175oC

6500 V SiC Thyristor Bare Die Tekniska höjdpunkter

  • Tre erbjudanden – 80 ampere (GA080TH65-CAU); 60 ampere (GA060TH65-CAU); och 40 ampere (GA040TH65-CAU)
  • Tjmax = 200oC

3300 V/0.3 A SiC Bare Die Rectifier Tekniska höjdpunkter

  • On-state Drop of 1.7 Moms 0.3 A
  • Positiv temperaturkoefficient på VF
  • Tjmax = 175oC
  • Kapacitiv laddning 52 nC (typisk).

Om GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. är en ledande innovatör inom högtemperatur, högeffekt och ultrahögspänning kiselkarbid (Sic) enheter, och global leverantör av ett brett utbud av krafthalvledare. Dess portfölj av enheter inkluderar SiC-baserad likriktare, transistor, och tyristorprodukter, samt Silicon likriktare produkter. GeneSiC har utvecklat omfattande immateriella rättigheter och teknisk kunskap som omfattar de senaste framstegen inom SiC-kraftenheter, med produkter inriktade på alternativ energi, bil-, ned ole oljeborrning, Motor kontroll, strömförsörjning, transport, och avbrottsfri strömförsörjning. GeneSiC har erhållit ett flertal forsknings- och utvecklingskontrakt från amerikanska myndigheter, inklusive ARPA-E, Institutionen för energi, Marin, Armé, DARPA, DTRA, och Department of Homeland Security, såväl som stora statliga huvudentreprenörer. I 2011, företaget vann det prestigefyllda R&D100-pris för kommersialisering av SiC-tyristorer med ultrahög spänning.

För mer information, besök http://192.168.88.14/index.php/hit-sic/baredie

Publicerat den

Hybrid SiC Schottky Rectifier/Si IGBT Modules from GeneSiC enables 175°C operation

Dulles, Virginia., March 5, 2013 — GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av ett brett sortiment av kiselkarbid (Sic) power semiconductors today announces the immediate availability of its second generation hybrid mini-modules using 1200 V/100 Amperes SiC Schottky Rectifiers with rugged Silicon IGBTs – the GB100XCP12-227. The performance-price point at which this product is being released allows many power conversion applications to benefit from the reduction of the cost/size/weight/volume that neither Silicon IGBT/ Silicon Rectifier solution, nor a pure SiC Module can offer. These devices are targeted for use in a wide variety of applications including industrial motors, solväxelriktare, specialized equipment and power grid applications.

SiC Schottky/Si IGBT mini-modules (Co-packs) offered by GeneSiC are made with Si IGBTs that exhibit positive temperature coefficient of on-state drop, robust punchthrough design, high temperature operation and fast switching characteristics that are capable of being driven by commercial, commonly available 15 V IGBT gate drivers. The SiC rectifiers used in these Co-pack modules allow extremely low inductance packages, low on-state voltage drop and no reverse recovery. The SOT-227 package offers isolated baseplate, 12mm low profile design that can be used very flexibly as a standalone circuit element, high current paralleled configuration, a Phase Leg (two modules), or as a chopper circuit element.

“We listened to our key customers since the initial offering of this product almost 2 years back. This second generation 1200 V/100 A Co-pack product has a low inductance design that is suitable for high frequency, high temperature applications. The poor high temperature and reverse recovery characteristics of Silicon diodes critically limits the use of IGBTs at higher temperatures. GeneSiC:s låga VF, low capacitance SiC Schottky Diodes enable this breakthrough product” sa Dr. Ranbir Singh, President för GeneSiC Semiconductor.

1200 V/100 A Si IGBT/SiC Rectifier Technical Highlights

  • On-state Drop of 1.9 Moms 100 A
  • Positiv temperaturkoefficient på VF
  • Tjmax = 175°C
  • Turn-On Energy Losses 23 microJoules (typisk).

Alla enheter är 100% testad till full spänning/ström och inrymd i halogenfri, RoHS compliant industry-standard SOT-227 packages. Enheterna är omedelbart tillgängliga från GeneSiCs auktoriserade distributörer.

Om GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. är en ledande innovatör inom högtemperatur, högeffekt och ultrahögspänning kiselkarbid (Sic) enheter, och global leverantör av ett brett utbud av krafthalvledare. Dess portfölj av enheter inkluderar SiC-baserad likriktare, transistor, och tyristorprodukter, samt Silicon likriktare produkter. GeneSiC har utvecklat omfattande immateriella rättigheter och teknisk kunskap som omfattar de senaste framstegen inom SiC-kraftenheter, med produkter inriktade på alternativ energi, bil-, ned ole oljeborrning, Motor kontroll, strömförsörjning, transport, och avbrottsfri strömförsörjning. GeneSiC har erhållit ett flertal forsknings- och utvecklingskontrakt från amerikanska myndigheter, inklusive ARPA-E, Institutionen för energi, Marin, Armé, DARPA, DTRA, och Department of Homeland Security, såväl som stora statliga huvudentreprenörer. I 2011, företaget vann det prestigefyllda R&D100-pris för kommersialisering av SiC-tyristorer med ultrahög spänning.

Publicerat den

GeneSiC introduces Silicon Carbide Junction Transistors

DULLES, Va., Feb. 25, 2013 /PRNewswire-iReach/ — GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av ett brett sortiment av kiselkarbid (Sic) power semiconductors today announces the immediate availability of a family of 1700V and 1200 V SiC Junction Transistors. Incorporating high voltage, high frequency and high-temperature capable SiC Junction Transistors will increase conversion efficiency and reduce the size/weight/volume of power electronics. These devices are targeted for use in a wide variety of applications including server, telecom and networking power supplies, uninterruptable power supplies, solväxelriktare, industrial motor control systems, and downhole applications.

Junction Transistors offered by GeneSiC exhibit ultra-fast switching capability, a square reverse biased safe operation area (RBSOA), as well as temperature-independent transient energy losses and switching times. These switches are gate-oxide free, normally-off, exhibit positive temperature co-efficient of on-resistance, and are capable of being driven by commercial, commonly available 15 V IGBT gate drivers, unlike other SiC switches. While offering compatibility with SiC JFET drivers, Junction Transistors can be easily paralleled because of their matching transient characteristics.

“As power system designers continue to push the limits of operating frequency, while still demanding high circuit efficiencies, the need SiC switches which can offer a standard of performance and production uniformity. Utilizing the unique device and fabrication innovations, GeneSiC’s Transistor products help designers achieve all that in a more robust solution,” sa Dr. Ranbir Singh , President för GeneSiC Semiconductor.

1700 V Junction Transistor Technical Highlights

  • Tre erbjudanden – 110 mOhms (GA16JT17-247); 250 mOhms (GA08JT17-247); och 500 mOhms (GA04JT17-247)
  • Tjmax = 175°C
  • Turn On/Off Rise/Fall Times <50 nanoseconds typical.

1200 V Junction Transistor Technical Highlights

  • Two offerings – 220 mOhms (GA06JT12-247); och 460 mOhms (GA03JT12-247)
  • Tjmax = 175°C
  • Turn On/Off Rise/Fall Times <50 nanoseconds typical

Alla enheter är 100% testad till full spänning/ström och inrymd i halogenfri, RoHS compliant TO-247 packages. Enheterna är omedelbart tillgängliga från GeneSiCs auktoriserade distributörer.

Publicerat den

New Physics Lets Thyristor Reach Higher Level

Aug 30, 2011 – Dulles, VA – New Physics Lets Thyristors Reach Higher Level

An electric power grid supplies reliable power with the help of electronic devices that ensure smooth, reliable power flow. Until now, silicon-based assemblies have been relied upon, but they have been unable to handle the requirements of the smart grid. Wide-band-gap materials such as silicon carbide (Sic) offer a better alternative as they are capable of higher switching speeds, a higher breakdown voltage, lower switching losses, and a higher junction temperature than traditional silicon-based switches. The first such SiC-based device to reach market is the Ultra-high-voltage Silicon Carbide Thyristor (SiC Thyristor), developed by GeneSiC Semiconductor Inc., Dulles, Va., with support from Sandia National Laboratories, Albuquerque, N.M., the U.S. Department of Energy/Electricity Delivery, and the U.S. Army/Armament Research, Development and Engineering Center, Picatinny Arsenal, N.J.

The developers adopted a different operational physics for this device, which operates on minority carrier transportation and an integrated third terminal rectifier, which is one more than other commercial SiC devices. Developers adopted a new fabrication technique that supports ratings above 6,500 V, as well as a new gate-anode design for high-current devices. Capable of performing at temperatures up to 300 C and current at 80 A, the SiC Thyristor offers up to 10 times higher voltage, four times higher blocking voltages, och 100 times faster switching frequency than silicon-based thyristors.

Publicerat den

GeneSiC vinner det prestigefyllda R&D100 Award för SiC-enheter i nätanslutna sol- och vindenergiapplikationer

DULLES, VA, juli 14, 2011 — R&D Magazine har valt GeneSiC Semiconductor Inc. av Dulles, VA som mottagare av det prestigefyllda 2011 R&D 100 Pris för kommersialisering av kiselkarbidenheter med hög spänning.

GeneSiC Semiconductor Inc., en nyckelinnovatör inom de kiselkarbidbaserade kraftenheterna hedrades förra veckan med tillkännagivandet att den har tilldelats den prestigefyllda 2011 R&D 100 Tilldela. Denna utmärkelse erkänner GeneSiC för att introducera en av de mest betydelsefulla, nyligen introducerade forsknings- och utvecklingsframsteg bland flera discipliner under 2010. R&D Magazine erkände GeneSiC:s Ultra-High Voltage SiC-tyristor för dess förmåga att uppnå blockerande spänningar och frekvenser som aldrig tidigare använts för kraftelektronikdemonstrationer. Spänningsvärdena för >6.5kV, på-tillstånd nuvarande betyg på 80 A och driftfrekvenser för >5 kHz är mycket högre än de som tidigare introducerats på marknaden. Dessa förmågor som uppnås av GeneSiCs tyristorer gör det kritiskt möjligt för kraftelektronikforskare att utveckla nätbundna växelriktare, Flexibel

AC transmissionssystem (FAKTA) och högspänningssystem (HVDC). Detta kommer att möjliggöra nya uppfinningar och produktutvecklingar inom förnybar energi, solväxelriktare, vindkraftsväxelriktare, och energilagringsindustrier. Dr. Ranbir Singh, President för GeneSiC Semiconductor kommenterade "Det förväntas att storskaliga marknader för solid-state elektriska transformatorstationer och vindkraftsgeneratorer kommer att öppna upp efter att forskare inom energiomvandlingsarenan kommer att fullt ut inse fördelarna med SiC-tyristorer. Dessa första generationens SiC-tyristorer använder det lägsta påvisade spänningsfallet i tillstånd och differentiella på-motstånd som någonsin uppnåtts i SiC-tyristorer. Vi avser att släppa framtida generationer av SiC-tyristorer optimerade för gate-kontrollerad avstängningsförmåga och pulserande kraftförmåga och >10kV-värden. När vi fortsätter att utveckla förpackningslösningar för hög temperatur och ultrahög spänning, nuvarande 6,5 kV tyristorer är förpackade i moduler med helt lödda kontakter, begränsad till 150oC korsningstemperaturer." Sedan denna produkt lanserades i oktober 2010, GeneSiC har bokat beställningar från flera kunder för demonstration av avancerad kraftelektronikhårdvara med dessa kiselkarbidtyristorer. GeneSiC fortsätter att utveckla sin familj av Silicon Carbide Thyristor-produkter. R&D på tidig version för kraftomvandlingsapplikationer utvecklades genom SBIR-finansieringsstöd från US Dept. av energi. Mer avancerad, Pulsed Power-optimerade SiC-tyristorer utvecklas under ett annat SBIR-kontrakt med ARDEC, Amerikanska armén. Med hjälp av denna tekniska utveckling, intern investering från GeneSiC och kommersiella beställningar från flera kunder, GeneSiC kunde erbjuda dessa UHV-tyristorer som kommersiella produkter.

Den 49:e årliga tekniktävlingen som drivs av R&D Magazine utvärderade bidrag från olika företag och branschaktörer, forskningsorganisationer och universitet runt om i världen. Tidningens redaktörer och en panel av externa experter fungerade som domare, utvärdera varje bidrag med avseende på dess betydelse för vetenskapens och forskningsvärlden.

Enligt R&D Magazine, vinna ett R&D 100 Utmärkelsen ger ett märke av excellens som är känt för industrin, regering, och akademin som bevis på att produkten är en av årets mest innovativa idéer. Denna utmärkelse erkänner GeneSiC som en global ledare inom skapandet av teknikbaserade produkter som gör skillnad i hur vi arbetar och lever.

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC är en snabbt växande innovatör inom området SiC kraftenheter och har ett starkt engagemang för utvecklingen av kiselkarbid (Sic) baserade enheter för: (a) HV-HF SiC-enheter för Power Grid, Pulserande kraft och riktade energivapen; och (b) Högtemperatur SiC-kraftenheter för flygplansmanöverdon och oljeprospektering. GeneSiC Semiconductor Inc.. utvecklar Silicon Carbide (Sic) baserade halvledarenheter för hög temperatur, strålning, och kraftnätsapplikationer. Detta inkluderar utveckling av likriktare, FET, bipolära enheter såväl som partiklar & fotoniska detektorer. GeneSiC har tillgång till en omfattande svit av halvledardesign, tillverkning, karakteriserings- och testmöjligheter för sådana anordningar. GeneSiC utnyttjar sin kärnkompetens inom enhets- och processdesign för att utveckla bästa möjliga SiC-enheter för sina kunder. Företaget utmärker sig genom att tillhandahålla högkvalitativa produkter som är specifikt anpassade till varje kunds krav. GeneSiC har huvud-/underkontrakt från stora amerikanska myndigheter, inklusive ARPA-E, USA:s energidepartement, Marin, DARPA, Inst för hemvärnsskydd, Dept of Commerce och andra avdelningar inom USA Dept. av försvaret. GeneSiC fortsätter att snabbt förbättra utrustningen och personalinfrastrukturen på sina Dulles, Virginia anläggning. Företaget anställer aggressivt personal med erfarenhet av tillverkning av sammansatta halvledarenheter, halvledartestning och detektorkonstruktioner. Ytterligare information om företaget och dess produkter kan erhållas genom att ringa GeneSiC på 703-996-8200 eller genom att besöka www.genesicsemi.com.

Publicerat den

GeneSiC Semiconductor Selected to Showcase Technology at 2011ARPA-E Energy Innovation Summit

Feb 28, 2011 – Dulles, VA – GeneSiC Semiconductor is excited to announce its selection for the prestigious Technology Showcase at the ARPA-E Energy Innovation Summit, co-hosted by the Department of Energy’s Advanced Research Projects Agency – Energy (ARPA-E) and the Clean Technology and Sustainable Industries Organization (CTSI). Hundreds of top technologists and cutting-edge clean tech organizations competed to participate in the Showcase, a hallway of America’s most promising prospects for winning the future in energy.

As one of ARPA-E’s selected organizations, GeneSiC Semiconductor will exhibit its Silicon Carbide to nearly 2,000 national leaders gathering to drive long-term American competitiveness in the energy sector, including top researchers, investors, entrepreneurs, corporate executives and government officials. More than 200 groundbreaking technologies from ARPA-E awardees, corporations, National Labs and Department of Energy R&D programs will be featured at the event.

“This Summit brings together organizations that understand the need to collaborate and partner to bring the next generation of energy technologies to market,” said GeneSiC Semiconductor, President, Dr. Ranbir Singh. “It’s a rare and exciting opportunity to have so many key players in the energy community together under one roof and we look forward to sharing our Silicon Carbide Power Devices with other innovators and investors at the Technology Showcase.”

Research and business development teams from 14 Corporate Acceleration Partners committed to technology commercialization will also be present including Dow, Bosch, Applied Materials and Lockheed Martin.

The Summit also features high-profile speakers including U.S. Energy Secretary Steven Chu, ARPA-E Director Arun Majumdar, U.S. Navy Secretary Raymond Mabus, former California Governor Arnold Schwarzenegger and Bank of America Chairman Charles Holliday.

The second annual ARPA-E Energy Innovation Summit will take place February 28 – March 2, 2011 at the Gaylord Convention Center just outside Washington, D.C. To learn more or to register please visit: www.ct-si.org/events/EnergyInnovation.

Om GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor Inc.. develops widebandgap semiconductor devices for high temperature, strålning, och kraftnätsapplikationer. Detta inkluderar utveckling av likriktare, power switches and bipolar devices. GeneSiC uses a unique and extensive suite of semiconductor design, tillverkning, karakteriserings- och testmöjligheter för sådana anordningar. GeneSiC utnyttjar sin kärnkompetens inom enhets- och processdesign för att utveckla bästa möjliga SiC-enheter för sina kunder. The company distinguishes itself by providing high quality products for a wide range of high volume markets. GeneSiC har huvud-/underkontrakt från stora amerikanska myndigheter, inklusive ARPA-E, USA:s energidepartement, Marin, Armé, NASA, DARPA, Inst för hemvärnsskydd, Dept of Commerce och andra avdelningar inom USA Dept. av försvaret.

About ARPA-E

The Advanced Research Projects Agency – Energy (ARPA-E) is a new agency within the U.S. Department of Energy – and the first to focus exclusively on breakthrough energy technologies that could radically change the way we use energy. Rather than performing research directly, ARPA-E invests in high-risk, high-reward energy technologies being developed by universities, startups, small businesses, and corporations. Our staff combines industry-leading scientists, engineers, and investment executives to identify promising solutions to the nation’s most critical energy problems and to fast-track top technologies towards the marketplace – which is critical to securing the nation’s global technology leadership and creating new American industries and jobs. Visit www.arpa-e.energy.govfor more information.

About CTSI

The Clean Technology & Sustainable Industries Organization (CTSI), a 501c6 non-profit industry association, represents the organizations developing, commercializing, and implementing energy, water, and environmental technologies. Clean technologies offer much needed solutions to growing resource security and sustainability concerns and are critical to maintaining economic competitiveness. CTSI brings together global leaders for advocacy, community development, networking, and information sharing to help bring these needed technologies to market more rapidly. Visit www.ct-si.org for more information.

Publicerat den

GeneSiC wins power management project from NASA in support of future Venus exploration missions

Dec 14, 2010 – GeneSiC Semiconductor Inc., a key innovator of novel Silicon Carbide (Sic) devices for high temperature, high power, and ultra-high voltage applications, announces selection of its project titled “Integrated SiC Super Junction Transistor-Diode Devices for high-power motor control modules operating at 500 oC” by the US National Aeronautics and Space Administration (NASA) for a Phase I SBIR award. This SBIR project is focused on the development of Monolithic Integrated SiC JBS diode-Super Junction Transistor (MIDSJT) devices for operation under Venus-like ambients (500 °C surface temperatures). The SiC MIDSJT devices developed in this program will be used to construct motor control power modules for direct integration with Venus exploration rovers.

“We are pleased with the confidence expressed by NASA in our high temperature SiC device solutions. This project will enable GeneSiC to develop industry-leading SiC-based power management technologies through its innovative device and packaging solutions” sa Dr. Siddarth Sundaresan, GeneSiC’s Director of Technology. “The SiC MIDSJT devices targeted in this program will allow Kilowatt-level power to be handled with digital precision at temperatures as high as 500 °C. In addition to outer space applications, this novel technology has the potential to revolutionize critical aerospace and geothermal oil drilling hardware requiring ambient temperatures in excess of 200 °C. These application areas are currently limited by the poor high-temperature performance of contemporary Silicon and even SiC based device technologies such as JFETs and MOSFETs” he added.

GeneSiC fortsätter att snabbt förbättra utrustningen och personalinfrastrukturen på sina Dulles, Virginia anläggning. Företaget anställer aggressivt personal med erfarenhet av tillverkning av sammansatta halvledarenheter, halvledartestning och detektorkonstruktioner. Ytterligare information om företaget och dess produkter kan erhållas genom att ringa GeneSiC på 703-996-8200 eller genom att besöka www.genesicsemi.com.

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. utvecklar Silicon Carbide (Sic) baserade halvledarenheter för hög temperatur, strålning, och kraftnätsapplikationer. Detta inkluderar utveckling av likriktare, FET, bipolära enheter såväl som partiklar & fotoniska detektorer. GeneSiC har tillgång till en omfattande svit av halvledardesign, tillverkning, karakteriserings- och testmöjligheter för sådana anordningar. GeneSiC utnyttjar sin kärnkompetens inom enhets- och processdesign för att utveckla bästa möjliga SiC-enheter för sina kunder. Företaget utmärker sig genom att tillhandahålla högkvalitativa produkter som är specifikt anpassade till varje kunds krav. GeneSiC har huvud-/underkontrakt från stora amerikanska myndigheter, inklusive ARPA-E, USA:s energidepartement, Marin, DARPA, Inst för hemvärnsskydd, Dept of Commerce och andra avdelningar inom USA Dept. av försvaret.

Publicerat den

Multi-kHz, Ultra-High Voltage Silicon Carbide Thyristors sampled to US Researchers

DULLES, VA, nov. 1, 2010 –In a first of its kind offering, GeneSiC Semiconductor announces the availability of a family of 6.5kV SCR-mode Silicon Carbide Thyristors for use in power electronics for Smart Grid applications. Revolutionary performance advantages of these power devices are expected to spur key innovations in utility-scale power electronics hardware to increase the accessibility and exploitation of Distributed Energy Resources (DER). “Until now, multi-kV Silicon Carbide (Sic) power devices were not openly available to US researchers to fully exploit the well-known advantages– namely 2-10kHz operating frequencies at 5-15kV ratings – of SiC-based power devices.” commented Dr. Ranbir Singh, President of GeneSiC. “GeneSiC has recently completed delivery of many 6.5kV/40A, 6.5kV/60A and 6.5kV/80A Thyristors to multiple customers conducting research in renewable energy, Army and Naval power system applications. SiC devices with these ratings are now being offered more widely.”

Silicon Carbide based Thyristors offer 10X higher voltage, 100X faster switching frequencies and higher temperature operation as compared to conventional Silicon-based Thyristors. Targeted applications research opportunities for these devices include general purpose medium voltage power conversion (MVDC), Grid-tied solar inverters, vindkraftsväxelriktare, pulsed power, weapon systems, ignition control, and trigger control. It is now well established that ultra-high voltage (>10kV) Silicon Carbide (Sic) device technology will play a revolutionary role in the next-generation utility grid. Thyristor-based SiC devices offer the highest on-state performance for >5 kV devices, and are widely applicable towards medium voltage power conversion circuits like Fault-Current Limiters, AC-DC converters, Static VAR compensators and Series Compensators. SiC based Thyristors also offer the best chance of early adoption due to their similarities to conventional power grid elements. Deploying these advanced power semiconductor technologies could provide as much as a 25-30 percent reduction in electricity consumption through increased efficiencies in delivery of electrical power.

Dr. Singh continues “It is anticipated that large-scale markets in solid-state electrical substations and wind turbine generators will open up after researchers in the power conversion arena will fully realize the benefits of SiC Thyristors. Dessa första generationens SiC-tyristorer använder det lägsta påvisade spänningsfallet i tillstånd och differentiella på-motstånd som någonsin uppnåtts i SiC-tyristorer. We intend to release future generations of SiC Thyristors optimized for Gate-controlled Turn Off capability and >10kV-värden. När vi fortsätter att utveckla förpackningslösningar för hög temperatur och ultrahög spänning, nuvarande 6,5 kV tyristorer är förpackade i moduler med helt lödda kontakter, limited to 150oC junction temperatures.” GeneSiC is a fast emerging innovator in the area of SiC power devices and has a strong commitment to the development of Silicon Carbide (Sic) baserade enheter för: (a) HV-HF SiC-enheter för Power Grid, Pulserande kraft och riktade energivapen; och (b) Högtemperatur SiC-kraftenheter för flygplansmanöverdon och oljeprospektering.

Located near Washington, DC in Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc.. är en ledande innovatör inom högtemperatur, high-power and ultra high-voltage silicon carbide (Sic) enheter. Current development projects include high-temperature rectifiers, SuperJunction Transistors (SJT) and a wide variety of Thyristor based devices. GeneSiC has or has had prime/sub-contracts from major US Government agencies, including the Department of Energy, Marin, Armé, DARPA, och Department of Homeland Security. The company is currently experiencing substantial growth, and hiring qualified personnel in power-device and detector design, tillverkning, and testing. To find out more, besök www.genesicsemi.com.