GeneSiC Semiconductor Inc., a key innovator in the Silicon Carbide based power devices was honored last week with the announcement that it has been awarded the prestigious 2011 р&Д 100 Награда. Эта награда присуждается GeneSiC за внедрение одного из самых значительных, недавно представленные достижения в области исследований и разработок среди нескольких дисциплин во время 2010. р&D Magazine recognized GeneSiC’s Ultra-High Voltage SiC Thyristor for its ability to achieve blocking voltages and frequencies never utilized before towards power electronics demonstrations. The voltage ratings of >6.5kV, on-state current rating of 80 A and operating frequencies of >5 kHz are much higher than those previously introduced in the marketplace. These capabilities achieved by GeneSiC’s Thyristors critically enable power electronics researchers to develop grid-tied inverters, Flexible
AC Transmission Systems (FACTS) and High Voltage DC Systems (HVDC). This will allow new inventions and product developments within renewable energy, солнечные инверторы, wind power inverters, and energy storage industries. Dr. Ранбир Сингх, President of GeneSiC Semiconductor comented “It is anticipated that large-scale markets in solid-state electrical substations and wind turbine generators will open up after researchers in the power conversion arena will fully realize the benefits of SiC Thyristors. These first generation SiC Thyristors utilize the lowest demonstrated on-state voltage drop and differential on-resistances ever achieved in SiC Thyristors. We intend to release future generations of SiC Thyristors optimized for Gate-controlled Turn Off capability and pulsed power capability and >10kV ratings. As we continue to develop high temperature ultra-high voltage packaging solutions, the present 6.5kV Thyristors are packaged in modules with fully soldered contacts, limited to 150oC junction temperatures.” Since this product was launched in October 2010, GeneSiC has booked orders from multiple customers towards demonstration of advanced power electronics hardware using these Silicon Carbide Thyristors. GeneSiC continues to develop its family of Silicon Carbide Thyristor products. Р&D on early version for power conversion applications were developed through SBIR funding support from US Dept. of Energy. More advanced, Pulsed Power optimized SiC Thyristors are being developed under another SBIR contract with ARDEC, US Army. Using these technical developments, internal investment from GeneSiC and commercial orders from multiple customers, GeneSiC was able to offer these UHV Thyristors as commercial products.
The 49th annual technology competition run by R&Журнал D оценил работы различных компаний и игроков отрасли., исследовательские организации и университеты по всему миру. В качестве судей выступили редакторы журнала и группа внешних экспертов., оценка каждой записи с точки зрения ее важности для мира науки и исследований.
Согласно Р&Журнал Д, выиграть R&Д 100 Награда представляет собой знак качества, известный в отрасли, правительство, и научное сообщество как доказательство того, что продукт является одной из самых инновационных идей года.. Эта награда признает GeneSiC мировым лидером в создании продуктов на основе технологий, которые меняют то, как мы работаем и живем..
О компании GeneSiC Semiconductor, ООО.
GeneSiC - быстро развивающийся новатор в области силовых устройств на основе SiC и твердо привержен разработке карбида кремния. (SiC) устройства на базе: (а) Высоковольтные SiC-устройства для электросетей, Импульсное силовое и направленное энергетическое оружие; и (б) Силовые устройства из высокотемпературного SiC для приводов самолетов и нефтедобычи. GeneSiC Semiconductor Inc.. разрабатывает карбид кремния (SiC) на основе полупроводниковых приборов для высоких температур, радиация, и электросетевые приложения. Это включает разработку выпрямителей., Полевые транзисторы, биполярные устройства, а также частицы & фотонные детекторы. GeneSiC имеет доступ к обширному набору разработок полупроводников., изготовление, оборудование для определения характеристик и испытаний таких устройств. GeneSiC использует свою основную компетенцию в области проектирования устройств и процессов для разработки наилучших устройств SiC для своих клиентов.. Компания выделяется тем, что предоставляет высококачественную продукцию, специально адаптированную к требованиям каждого клиента.. GeneSiC имеет основные / субконтракты с крупными правительственными агентствами США, включая ARPA-E, Департамент энергетики США, Флот, DARPA, Департамент внутренней безопасности, Департамент торговли и другие ведомства Министерства США. обороны. GeneSiC продолжает быстро улучшать оборудование и кадровую инфраструктуру в своем Даллесе., Объект в Вирджинии. Компания активно набирает персонал, имеющий опыт производства сложных полупроводниковых устройств., тестирование полупроводников и конструкции детекторов. Дополнительную информацию о компании и ее продуктах можно получить, позвонив в GeneSiC по телефону 703-996-8200 или посетив www.genesicsemi.com.
