DULLES, Va., Feb. 25, 2013 /PRNewswire-iReach/ — GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик широкого спектра карбида кремния (SiC) power semiconductors today announces the immediate availability of a family of 1700V and 1200 Переходные транзисторы V SiC. Incorporating high voltage, high frequency and high-temperature capable SiC Junction Transistors will increase conversion efficiency and reduce the size/weight/volume of power electronics. These devices are targeted for use in a wide variety of applications including server, телекоммуникационные и сетевые блоки питания, источники бесперебойного питания, солнечные инверторы, industrial motor control systems, and downhole applications.
Переходные транзисторы, предлагаемые GeneSiC, обладают сверхбыстрой коммутационной способностью., квадратная зона безопасной работы с обратным смещением (РБСОА), а также независимые от температуры переходные потери энергии и время переключения. Эти переключатели не содержат оксида затвора., нормально выключен, имеют положительный температурный коэффициент сопротивления в открытом состоянии, и способны управляться коммерческими, общедоступный 15 Драйверы затвора V IGBT, в отличие от других переключателей SiC. Предлагая совместимость с драйверами SiC JFET, Junction Transistors can be easily paralleled because of their matching transient characteristics.
“As power system designers continue to push the limits of operating frequency, при этом по-прежнему требуется высокая эффективность схемы, the need SiC switches which can offer a standard of performance and production uniformity. Использование уникального устройства и инноваций в производстве, GeneSiC’s Transistor products help designers achieve all that in a more robust solution,” сказал доктор. Ранбир Сингх , Президент GeneSiC Semiconductor.
1700 V Junction Transistor Technical Highlights
- Три предложения – 110 мОм (ГА16ДЖТ17-247); 250 мОм (GA08JT17-247); и 500 мОм (ГА04ДЖТ17-247)
- Tjmax = 175°C
- Turn On/Off Rise/Fall Times <50 наносекунды типичные.
1200 V Junction Transistor Technical Highlights
- Two offerings – 220 мОм (GA06JT12-247); и 460 мОм (GA03JT12-247)
- Tjmax = 175°C
- Turn On/Off Rise/Fall Times <50 наносекунды типичные
Все устройства 100% протестированы на полное напряжение/ток и размещены в безгалогенном корпусе, Комплекты TO-247, соответствующие RoHS. Устройства сразу доступны у авторизованных дистрибьюторов GeneSiC..
