Zespoły wysokiego napięcia, w których można czerpać korzyści z prostowników o niskiej pojemności, oferujących niezależne od temperatury zerowe prądy powrotne w izolowanych obudowach
Wodospady Rzeki Złodzieja/Dulles, Wirginia., Może 28, 2013 — GeneSiC Semiconductor, pionierem i globalnym dostawcą szerokiej gamy węglika krzemu (SiC) półprzewodniki mocy ogłaszają natychmiastową dostępność 3300 V/0.3 Ampere SiC Schottky Rectifiers – the GAP3SLT33-220FP. This unique product represents the highest voltage SiC rectifier on the market, and is specifically targeted towards voltage multiplier circuits and high voltage assemblies used in a wide range of X-Ray, Laser and particle generator power supplies.
Contemporary voltage multiplier circuits suffer from low circuit efficiencies and large sizes because the reverse recovery currents from Silicon rectifiers discharge the parallel connected capacitors. At higher rectifier junction temperatures, this situation becomes worse because the reverse recovery current in Silicon rectifiers increases with temperature. With thermally constraints high voltage assemblies, temperatura złącza rośnie dość łatwo, nawet gdy przepuszczane są niewielkie prądy. High Voltage SiC rectifiers offer unique characteristics that promises to revolutionize the high voltage assemblies. GeneSiC 3300 V/0.3 A Schottky rectifiers feature zero reverse recovery current that does not change with temperature. This relatively high voltage in a single device allows a reduction in voltage multiplication stages required in typical high voltage generator circuits, through use of higher AC input voltages. The near-ideal switching characteristics allow the elimination/dramatic reduction of voltage balancing networks and snubber circuits. The TO-220 Full Pack overmolded isolated package features industry-standard form factor with increased pin spacing in through hole assemblies.
“This product offering comes from years of sustained efforts at GeneSiC. We believe the 3300 V rating is a key differentiator for the high voltage generator market, and will allow significant benefits to our customers. GeneSiC’s low VF, low capacitance SiC Schottky Rectifiers enables this breakthrough product” powiedział Dr. Ranbir Singh, Prezes GeneSiC Semiconductor.
3300 V/0.3 A SiC Rectifier Technical Highlights
- On-state Drop of 1.7 V at 0.3 ZA
- Positive temperature coefficient on VF
- Tjmaks = 175oC
- Capacitive charge 52 nC (typical).
Wszystkie urządzenia są 100% przetestowane pod kątem pełnego napięcia/prądu i obudowane w obudowie bezhalogenowej, RoHS compliant industry-standard TO-220FP (Full Pack) pakiety. The devices are immediately available from GeneSiC’s Authorized Distributor, Digikey.
O GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc. jest wiodącym innowatorem w dziedzinie wysokich temperatur, węglik krzemu o dużej mocy i ultrawysokim napięciu (SiC) urządzenia, i globalny dostawca szerokiej gamy półprzewodników mocy. Portfolio urządzeń obejmuje prostownik oparty na SiC, tranzystor, i produktów tyrystorowych, a także produkty z prostownikami silikonowymi. GeneSiC rozwinął rozległą własność intelektualną i wiedzę techniczną, która obejmuje najnowsze osiągnięcia w urządzeniach zasilających SiC, z produktami ukierunkowanymi na alternatywne źródła energii, automobilowy, wiercenie ropy naftowej w dół, kontrola silnika, zasilacz, transport, i zastosowań związanych z zasilaniem bezprzerwowym. GeneSiC uzyskał liczne kontrakty badawczo-rozwojowe od agencji rządowych USA, w tym ARPA-E, Departament Energii, Marynarka wojenna, Armia, DARPA, DTRA, oraz Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego, a także głównych głównych wykonawców rządowych. W 2011, firma zdobyła prestiżową nagrodę R&Nagroda D100 za komercjalizację tyrystorów SiC ultrawysokiego napięcia.
Po więcej informacji, please visit www.genesicsemi.com
