SiC Schottky Diodes in SMB (DO-214) packages offer smallest footprints

High Voltage, Reverse Recovery-free SiC Schottky Diodes to critically enable Solar Inverters and High Voltage assemblies by offering smallest form factor surface mount capabilities

Tępy, Wirginia., Listopad 19, 2013 — GeneSiC Semiconductor, pionierem i globalnym dostawcą szerokiej gamy węglika krzemu (SiC) power semiconductors today announces the immediate availability of a family of Industry-standard SMB (JEDEC DO-214AA) packaged SiC Rectifiers in the 650 – 3300 V range. Incorporating these high voltage, reverse recovery-free, high frequency and high-temperature capable SiC Diodes will increase conversion efficiency and reduce the size/weight/volume of multi-kV assemblies. These products are targeted towards Micro-solar inverters as well as voltage multiplier circuits used in a wide range of X-Ray, Laser and particle generator power supplies.

Contemporary Micro-solar inverters and voltage multiplier circuits may suffer from low circuit efficiencies and large sizes because the reverse recovery currents from Silicon rectifiers. At higher rectifier junction temperatures, this situation becomes worse because the reverse recovery current in Silicon rectifiers increases with temperature. With thermally constraints high voltage assemblies, temperatura złącza rośnie dość łatwo, nawet gdy przepuszczane są niewielkie prądy. High Voltage SiC rectifiers offer unique characteristics that promises to revolutionize the micro-solar inverters and high voltage assemblies. GeneSiC 650 V/1 A; 1200 V/2 A and 3300 V/0.3 A Schottky rectifiers feature zero reverse recovery current that does not change with temperature. The 3300 V-rated devices offer relatively high voltage in a single device allows a reduction in voltage multiplication stages required in typical high voltage generator circuits, through use of higher AC input voltages. The near-ideal switching characteristics allow the elimination/dramatic reduction of voltage balancing networks and snubber circuits. The SMB (DO-214AA) overmolded package features industry-standard form factor for surface mount assemblies.

“These product offerings come from years of sustained development efforts at GeneSiC towards offering compelling devices and packages. We believe the SMB form factor is a key differentiator for the Micro Solar Inverter and Voltage Multiplier market, and will allow significant benefits to our customers. GeneSiC’s low VF, Prostowniki SiC Schottky’ego o niskiej pojemności i ulepszone pakiety SMB umożliwiają stworzenie tego przełomowego produktu” powiedział Dr. Ranbir Singh, Prezes GeneSiC Semiconductor.

1200 Dioda Schottky’ego V/2 A SMB SiC (GB02SLT12-214) Najważniejsze informacje techniczne

• Typowy VF = 1.5 V
• T_jmaks = 175^oC
• Odwrotne obciążenie zwrotne = 14 nC.

3300 Dioda Schottky’ego V/0,3 A SMB SiC (GAP3SLT33-214) Najważniejsze informacje techniczne

• Typowy VF = 1.7 V
• T_jmaks = 175^oC
• Odwrotne obciążenie zwrotne = 52 nC.

650 Dioda Schottky’ego V/1 A SMB SiC (GB01SLT06-214) Najważniejsze informacje techniczne

• Typowy VF = 1.5 V
• T_jmaks = 175^oC
• Odwrotne obciążenie zwrotne = 7 nC.

Wszystkie urządzenia są 100% przetestowane pod kątem pełnego napięcia/prądu i obudowane w obudowie bezhalogenowej, Małe i średnie firmy zgodne z dyrektywą RoHS (DO-214AA) pakiety. Oferowane jest wsparcie techniczne i modele obwodów SPICE. Urządzenia są natychmiast dostępne u autoryzowanych dystrybutorów GeneSiC.

O GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. jest wiodącym innowatorem w dziedzinie wysokich temperatur, węglik krzemu o dużej mocy i ultrawysokim napięciu (SiC) urządzenia, i globalny dostawca szerokiej gamy półprzewodników mocy. Portfolio urządzeń obejmuje prostownik oparty na SiC, tranzystor, i produktów tyrystorowych, a także produkty z prostownikami silikonowymi. GeneSiC rozwinął rozległą własność intelektualną i wiedzę techniczną, która obejmuje najnowsze osiągnięcia w urządzeniach zasilających SiC, z produktami ukierunkowanymi na alternatywne źródła energii, automobilowy, wiercenie ropy naftowej w dół, kontrola silnika, zasilacz, transport, i zastosowań związanych z zasilaniem bezprzerwowym. GeneSiC uzyskał liczne kontrakty badawczo-rozwojowe od agencji rządowych USA, w tym ARPA-E, Departament Energii, Marynarka wojenna, Armia, DARPA, DTRA, oraz Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego, a także głównych głównych wykonawców rządowych. W 2011, firma zdobyła prestiżową nagrodę R&Nagroda D100 za komercjalizację tyrystorów SiC ultrawysokiego napięcia.

Po więcej informacji, proszę odwiedzić http://192.168.88.14/Index.php/sic-products/schottky