august 30, 2011 – Dulles, VA – Ny fysikk lar tyristorer nå høyere nivå
Et elektrisk strømnett leverer pålitelig strøm ved hjelp av elektroniske enheter som sikrer jevn, pålitelig kraftflyt. Inntil nå, silisiumbaserte sammenstillinger har vært stolt på, men de har ikke vært i stand til å håndtere kravene til det smarte nettet. Materialer med bredt bånd som silisiumkarbid (SiC) tilbyr et bedre alternativ da de er i stand til høyere byttehastigheter, en høyere gjennomslagsspenning, lavere byttetap, og en høyere overgangstemperatur enn tradisjonelle silisiumbaserte brytere. The first such SiC-based device to reach market is the Ultra-high-voltage Silicon Carbide Thyristor (SiC Thyristor), developed by GeneSiC Semiconductor Inc., Dulles, Va., with support from Sandia National Laboratories, Albuquerque, N.M., the U.S. Department of Energy/Electricity Delivery, and the U.S. Army/Armament Research, Development and Engineering Center, Picatinny Arsenal, N.J.
The developers adopted a different operational physics for this device, which operates on minority carrier transportation and an integrated third terminal rectifier, which is one more than other commercial SiC devices. Developers adopted a new fabrication technique that supports ratings above 6,500 V, as well as a new gate-anode design for high-current devices. Capable of performing at temperatures up to 300 C and current at 80 EN, the SiC Thyristor offers up to 10 times higher voltage, fire ganger høyere blokkeringsspenninger, og 100 ganger raskere byttefrekvens enn silisiumbaserte tyristorer.
