DULLES, VA, nov. 1, 2010 –I et første tilbud i sitt slag, GeneSiC Semiconductor kunngjør tilgjengeligheten av en familie med 6,5 kV SCR-modus silisiumkarbidtyristorer for bruk i kraftelektronikk for Smart Grid-applikasjoner. Revolusjonerende ytelsesfordeler med disse kraftenhetene forventes å stimulere nøkkelinnovasjoner innen kraftelektronikk i bruksskala for å øke tilgjengeligheten og utnyttelsen av distribuerte energiressurser (DE). "Inntil nå, multi-kV silisiumkarbid (SiC) kraftenheter var ikke åpent tilgjengelige for amerikanske forskere for å fullt ut utnytte de velkjente fordelene – nemlig 2-10 kHz driftsfrekvenser ved 5-15 kV-klassifiseringer – til SiC-baserte kraftenheter.» kommenterte Dr. Ranbir Singh, President for GeneSiC. “GeneSiC has recently completed delivery of many 6.5kV/40A, 6.5kV/60A og 6,5kV/80A tyristorer til flere kunder som forsker på fornybar energi, Kraftsystemapplikasjoner for hæren og marinen. SiC-enheter med disse vurderingene tilbys nå mer utbredt."
Silisiumkarbidbaserte tyristorer tilbyr 10X høyere spenning, 100X raskere byttefrekvenser og høyere temperaturdrift sammenlignet med konvensjonelle silisiumbaserte tyristorer. Målrettede applikasjonsforskningsmuligheter for disse enhetene inkluderer generell middelspenningseffektkonvertering (MVDC), Nettbundne solcelle-invertere, vindkraftinvertere, pulserende kraft, våpensystemer, tenningskontroll, og utløserkontroll. Det er nå godt etablert at ultrahøy spenning (>10kV) Silisiumkarbid (SiC) enhetsteknologi vil spille en revolusjonerende rolle i neste generasjons forsyningsnett. Thyristor-baserte SiC-enheter tilbyr den høyeste ytelsen på tilstanden >5 kV enheter, og er allment anvendbare for mellomspenningseffektkonverteringskretser som Fault-Current Limiters, AC-DC omformere, Statiske VAR-kompensatorer og seriekompensatorer. SiC-baserte tyristorer tilbyr også den beste sjansen for tidlig adopsjon på grunn av deres likheter med konvensjonelle kraftnettelementer. Utplassering av disse avanserte krafthalvlederteknologiene kan gi så mye som en 25-30 prosent reduksjon i strømforbruket gjennom økt effektivitet i levering av elektrisk kraft.
Dr.. Singh fortsetter: "Det forventes at store markeder innen solid-state elektriske transformatorstasjoner og vindturbingeneratorer vil åpne seg etter at forskere i kraftkonverteringsarenaen fullt ut vil innse fordelene med SiC-tyristorer.. Disse første generasjons SiC-tyristorene bruker det laveste demonstrerte spenningsfallet i tilstanden og differensielle på-motstander som noen gang er oppnådd i SiC-tyristorene. Vi har til hensikt å gi ut fremtidige generasjoner av SiC-tyristorer som er optimert for portstyrt slå av-funksjon og >10kV-klassifiseringer. Som vi fortsetter å utvikle høytemperatur ultra-høyspent emballasjeløsninger, de nåværende 6,5 kV tyristorene er pakket i moduler med fullt loddede kontakter, begrenset til 150oC overgangstemperaturer." GeneSiC er en raskt voksende innovatør innen SiC-kraftenheter og har et sterkt engasjement for utviklingen av silisiumkarbid (SiC) baserte enheter for: (Portene til Spania) HV-HF SiC enheter for Power Grid, Pulserende kraft og rettet energivåpen; og (b) Høytemperatur SiC-kraftenheter for flyaktuatorer og oljeleting.
Ligger i nærheten av Washington, DC i Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc.. er en ledende innovatør innen høytemperatur, høyeffekt og ultrahøyspent silisiumkarbid (SiC) enheter. Pågående utviklingsprosjekter inkluderer høytemperaturlikerettere, SuperJunction-transistorer (SJT) og et bredt utvalg av Thyristor-baserte enheter. GeneSiC har eller har hatt hoved-/underkontrakter fra store amerikanske myndigheter, inkludert Energidepartementet, marinen, Hæren, DARPA, og Department of Homeland Security. Selskapet opplever for tiden betydelig vekst, og ansettelse av kvalifisert personell innen design av kraftenheter og detektorer, fabrikasjon, og testing. For å finne ut mer, besøk gjerne www.genesicsemi.com.
